LTCC电容π型等效电路模型的提取与验证

对LTCC内埋置MIM电容的传统型等效电路进行了研究,对其等效电路模型的参数进行了提取,详细推导了该模型中元件的参数估算公式,并用二层LTCC电容进行仿真验证,可以看出建立的三维HFSS模型在第一谐振频率点内与电路仿真结果有很好的一致性,但是随着频率的增高,片式器件高频寄生效应就会更加明显, 因此需要提取更加准确的高频等效电路.     

高性能静磁表面波带通滤波器设计

静磁表面波由于其易激发性和色散的可控性得到了较多的应用，可利用其制作高性能的静磁表面波带通滤波器。文中详细阐述了高性能静磁表面波带通滤波器各部分的设计方法，并利用仿真和实验结果证明了设计思路及方法的正确性．     

巨磁阻抗效应研究的最近进展

本文简要介绍最近几年来有关巨磁阻抗效应理论的研究概况,并综述巨磁阻抗材料的研究进展,指出为了更好地理解巨磁阻抗效应对其微观机理的研究是必要的。     

主链型光敏聚酰亚胺材料的制备工艺研究

本文通过溶液聚合法合成了一种结构型聚酰胺酸,经过热亚胺化处理后得到了主链型聚酰亚胺,探讨了合成光敏聚酰亚胺的关键技术,并以重均分子量为参考,分析了各种条件对反应的影响规律,得到了较佳的工艺条件。     

快速循环晶化高Bi代DyGaIG磁光膜的研究

本文提出一种细化柘榴石磁光膜晶粒的有效方法。理论和实验结果分析表明该方法较普通方法有许多明显的优点。     

截止频率为200MHz的LTCC叠层低通滤波器的研制

在对LTCC多层结构电感和电容元件研究的基础上,由对L、C的参数的控制,通过三维场仿真软件HFSS对LTCC滤波器三维结构模型进行仿真模拟和参数提取,设计制作了截止频率为200MHz、在600MHz带外抑制大于25dB的0805尺寸无源集成低通LC型滤波器.仿真结果与样品的测试结果基本吻合.实验证明通过合理的设计,用H...     

Co2+取代与Li+掺杂对NiCuZn铁氧体磁性能和直流叠加特性的影响

采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体,研究了Co2+取代与Li+掺杂对NiCuZn铁氧体材料的饱和磁感应强度、剩磁、矫顽力、起始磁导率以及在直流偏置场下增量磁导率的影响.研究表明,适量的Co2+取代与Li1+掺杂会通过影响铁氧体材料的磁晶各向异性常数在一定程度上影响材料的磁导率.随着直流偏置场的增大,材料的磁...     

Co2Z钡锶铁氧体材料的高频磁性能

采用固相法制备Sr2+部分取代Ba2+的Co2Z铁氧体材料(Ba1.5Sr1.5Co2Fe24O41),探究了预烧温度、烧结温度、烧结气氛等制备工艺对材料磁性能的影响,并用扫描电镜和XRD分析仪对材料的微观形貌和相成分进行了观察、测试。研究表明,当预烧温度为1250～1280℃时,起始磁导率随预烧温度的增高而降低,Q值(1GHz)随之增高。当烧结温度从1220℃升高到1280℃时,起始磁导率随之增高,Q值(1GHz)随之减小。当烧结气氛由空气改为氧气时,起始磁导率降低,Q值(1GHz)增高。1280℃下预烧2h、1240℃氧气气氛中烧结3h的材料磁性能较优,起始磁导率为4.2,品质因数Q值在1GHz时为11.3,截止频率高于1.8GHz。     

静磁表面波器件插入损耗分析

对静磁表面波(MSSW)器件插入损耗理论进行了总结,并对影响静磁表面波器件插入损耗的各因素进行了分析和模拟,还根据自己的实际经验提出了几种减小静磁表面波器件插损的方法.     

高磁导率软磁材料的研究现状与关键工艺

介绍了国内外高磁导率软磁材料的生产和研究现状，分析了高磁导率材料，尤其是软磁铁氧体的关键工艺，并对制约高磁导率材料发展的一些因素进行了讨论。