宽带Wilkinson功分器的设计仿真与制作

利用Ansoft公司的HFSS软件对设计宽带Wilkinson功分器模型进行仿真,制作出了工作频带为0.8～2.5 GHz,尺寸为4.0 cm×3.0 cm×0.5 cm的宽带功分器并进行了测试,仿真结果和实物测试结果比较接近。该功分器在整个频带范围内具有良好的性能指标,传输损耗<0.8 dB,隔离度>20 dB,该功分器实现了宽带化以及小型化。由于其工作频率处于ISM频段内,因此可广泛应用于GPS、蓝牙等通讯系统中。     

基于铁氧体材料(YIG)的微带环行器设计与仿真

以高纯度的Y2O3、Fe2O3为原料,用固相反应法制备Y3FesO12( YIG)材料,通过VSM、SEM、Agilent 4291B对材料样品进行分析、测试.结果表明,所制备的YIG材料介电常数大约为15,饱和磁化强度μ0Ms约180mT.基于该材料设计环行器,利用Ansoft HFSS仿真软件建立三维电磁场仿真模型...     

静磁表面波传输各向异性研究

建立了在实际ＹＩＧ／Ａｌ２Ｏ３／金属层状结构中的静磁表面波各向异性色散理论，利用数值计算方法研究了偏离正常传输方向φ角时的波矢－频率（ｋ－ｆ）和群延时－频率（τｒ－ｆ）的色散特性，随φ角的增大，色散加剧，群延时增大，但可激励静磁表面波的理论带宽变窄，φ存在一极限值，且在靠近静磁表面低频限的频率范围内φ的极限值也是色散的，与Ａｌ２Ｏ３层的厚度有关。     

紫蓝磁光材料的量子法拉第效应

从量子角度分析了Bi3+离子替代对紫蓝磁光材料法拉第效应的影响,研究了DyIG (镝铁石榴石)材料的磁光频谱特性,结果表明DyIG材料在350mm和550nm有两个磁光极大峰值,这极有利于短波高密度磁光记录。     

用于LTCF工艺的低温烧结M型Ba铁氧体的显微结构与电磁特性

首先用机械球磨法、以Bi2O3为助烧剂制备了低温烧结M型钡铁氧体(BaFe12O19),结合相结构和显微形貌分析研究了添加量对低温烧结钡铁氧体结构与性能的影响.在一次球磨6h、预烧温度1100℃、Bi2O3掺杂量为3wt%、二次球磨9h、900℃烧结后制得了不同参数的M型铁氧体材料.然后采用上述工艺初步研究了低温烧结的ZnTi和CoTi取代的M型钡铁氧体的性能.     

Bi_2O_3掺杂对Ni_(0.6)Cu_(0.05)Zn_(0.35)Fe_2O_4铁氧体材料旋磁性能的影响

采用氧化物法制备了Ni0.6Cu0.05Zn0.35Fe2O4材料.研究了Bi2O3掺杂对NiCuZn铁氧体材料旋磁性能的影响.用XRD和SEM研究样品的晶体结构及微观形貌.结果表明,掺入3wt%的Bi2O3可以将材料的烧结温度降低到900℃,其Ms=320 kA/m、△H＝13.68kA/m、tgδε＝7.42×10-4.     

基于传输线变压器的功率合成/分配器的原理与设计

基于传输线变压器的功率合成/分配器具有宽频带、应用频率高、体积小、承受功率大、损耗小的特点,是一种良好的射频器件.本文根据传输线变压器的基本理论,通过分析功率合成/分配电路的两大组成部分--功率合成/分配网络和阻抗匹配网络,分别得到对传输线和磁芯的不同要求.总结出一种设计功率合成/分配器的通用方法,为设计功率合成/分配器提供了理论参考.     

锂铁氧体的低温烧结及磁电特性研究

针对片式电感器用锂铁氧体的材料制备和特性进行了研究.通过添加适量超细球状Bi2O3有效抑制Li的挥发,并将锂铁氧体的烧结温度降低至900℃以下,而后引入ZnO、TiO2、MgO、MnCO3、BaTiO3等添加剂,分析研究了Fe2O3含量的偏离、离子取代对复合锂铁氧体电磁性能影响的机理,优化了工艺,在880～900℃烧结的样品起始磁导率μi可达250～300,温度系数αμ/μi＜5×10-6(10～70℃),比损耗系数tanδ/μi＜5×10-5,截止频率小于10 MHz,电阻率ρ＞1010Ω·m,居里温度Tc＞150℃.     

光通信用偏振分束器的分析与验证

利用冰洲石在近红外波段具有低的光损耗和高的双折射效应,分析了一种新型光通信用偏振分束器,得到了分束器入射角θ、插入损耗α、消光比γ和胶合剂折射率ng的理论设计公式。实验结果表明:实验与理论结果基本吻合,分束器插损<0.3 dB,消光比>20 dB,可供工程实际应用。     

基于复合铁氧体基片的三倍频程超宽带微带环行器设计与仿真分析

通常利用单一铁氧体材料制成的微带环行器难以有超倍频程的带宽。根据一般微带环行器的设计理论,利用两种不同的铁氧体材料构成的复合基片设计并制作了一种工作在三倍频程带宽的超宽带微带环行器。仿真结果表明,该环行器在6~18 GHz的工作频带内,插入损耗(|S12|)小于1 d B,回波损耗(|S11|)大于20 d B,隔离度(|S21|)约19 d B,满足超宽带微带环行器的设计指标。除在整个工作频带内插入损耗有所增加且在低频段的6~6.5 GHz内出现了低场损耗外,实测结果与仿真结果基本吻合。文末讨论了实测结果和仿真结果之间出现低场损耗等差异的原因。