Nb2O5掺杂Co2Z 六角铁氧体的烧结行为和电磁特性

采用固相反应法制备Nb2O5掺杂Co2Z六角铁氧体[Ba3(Co0.4Zn0.6)2Fe24O41,Z-型].通过显微结构观察和电磁性能的测试分析,研究了不同Nb2O5掺量对Z-型铁氧体烧结特性和电磁特性的影响.结果表明:由于Nb5 固溶于铁氧体中,增加了空穴浓度,使体扩散加剧,进而促进材料的烧结.适当添加Nb2O5可提高样品的致密化程度,改善Z-型六角铁氧体的显微结构和电磁特性.在Nb2O5掺量为Co2Z一次预烧料质量(下同)的0～0.8%内,随Nb2O5掺量增加,在Z-型六角结构相生长的同时,伴生M-相六角结构.六角结构致密度增加,磁导率增大,铁磁共振频率点移向低频.掺量为0.8%Nb2O5的样品在1 260℃烧结6 h,得到材料的相对密度为95%左右,起始磁导率为33,高μQ积,低损耗角tgδ矫顽力Hcb.     

一种静磁表面波滤波器带宽控制的有效方法

根据静磁表面波的各向异性色散与传输基本理论，建立了静磁表面波带通滤波器的带宽控制模型。在中心频率及基本带宽一定的情况下，通过调节磁场的方向实现了31MHz的带宽调整。实验结果表明所提出的静磁表面波带通滤波器的带宽控制技术是一种能够有效地控制带宽且易实现的解决方案。     

铁硅铝磁芯升压电感的设计

铁硅铝粉芯饱和磁感应强度高,同时具有良好的高频磁性能及低损耗、低成本等特点,而获得广泛应用.选择铁硅铝粉芯作为Boost升压电感磁芯,采用迭代方法对铁硅铝磁芯进行优化选择,归纳出铁硅铝磁芯的设计过程,并通过实例证实了铁硅铝磁芯在大电流下不易饱和及低损耗的特点.     

片式抗EMI低通滤波器的LTCC工艺研究

采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺实现抗电磁干扰(EMI)低通滤波器,针对在工艺流程中出现的各种问题,通过分析后提出解决方案,经反复实验,成功制作出与设计目标相符合的器件.所总结的工艺经验同样适用于基于LTCC工艺的其他器件.     

一种用于淀积铁磁膜的新型磁控靶研究

本文给出了一种新型铁磁靶设计方法，并用设计的ＤＣ磁控靶成功地制备出了用于磁头的ＦｅＳｉＡｌ合金薄膜，性能分析表明用该靶制备的膜可满足ＭＩＧ磁头的指标。     

微带环行器的设计方法与仿真

由于微带环行器具有体积小,易与微波电路集成等优点,从而成为现阶段环行器研究的主要对象。针对同一铁氧体基片,采用不同的设计方法,设计工作在X波段的微带结环行器,在HFSS中进行仿真,各设计方法的仿真数据均满足设计要求和性能指标。仿真结果表明经典理论设计与计算机仿真相结合对微带环行器的设计具有指导意义。     

Bi_2O_3含量对NiCuZn旋磁铁氧体基板材料性能的影响

采用氧化物法制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了Bi2O3掺杂对其旋磁性能的影响。结果表明,在1～4wt%的范围内,随着Bi2O3含量的提高,铁磁共振线宽△H和介电损耗角正切tgδε都呈现出先减小后上升的趋势;并且在掺杂量为3wt%、烧结温度为900℃时,△H15kA/m、tgδε=6.5×10-4、Ms300kA/m,可用于低温共烧旋磁铁氧体基板的制备。     

低温共烧陶瓷射频无源集成基础技术研究进展

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是当今世界射频无源集成的关键技术,嵌入式无源元件设计与模型化是LTCC重要基础技术。本文介绍了LTCC射频无源集成的关键技术,并着重介绍了射频无源元件(如电感、电容)的等效电路模型的发展过程。     

子带信号处理中FIR滤波器组的设计

提出了一种子带信号处理中滤波器组的设计方法,充分利用现场可编程门阵列(FPGA)中硬件资源,根据FPGA设计中“速度和面积互换”的原则,采用流水线的结构,在满足原设计性能要求的情况下,将系统的资源开销降至有效的范围内。     

双层细晶粒Glass／Al／BiGaDyIG薄膜的磁光性能

快速循环晶化Ａｌ／ＢｉＧａＤｙＩＧ双层膜的研究结果表明，由于晶粒细化及膜层间干涉增强效应，在０．１～１．３μｍ膜厚范围．其平均有效法拉第角比单层膜增加了０．２５°，且随循环次数增加而增大。同时．部分ＡＩ３＋离子在退火期间扩散进石榴石的八面体和四面体位，导致居里温度下降（１４０～１６１μ）。这些结果对提高石榴石磁光盘信噪比以及增大记录密度是极有意义的。