氧化铍陶瓷的分析研究

本文对高热导率电绝缘材料氧化铍进行了分析测试 ,包括对高纯氧化铍粉末的纯度及内含有害杂质的精确测定 ,可对氧化铍陶瓷片的微观结构、晶相、缺陷的分析检测等 ,并对原料不纯和工艺条件控制不当而导致的失效情况进行了分析研究。氧化铍是一种性能极优的高导热绝缘材料 ,它的高频损耗低 ,是制造大功率输能窗、大功率行波管螺旋线夹持杆的首选材料 ,也广泛用作大功率半导体器件的热沉材料、集成电路陶瓷基片和电真空器件的封装管壳。对原材料的纯度进行精确测定 ,可降低成本和损耗 ;对成型、排胶、烧结过程中不同工艺条件下生产的氧化铍陶瓷…     

真空度对阴极材料微结构影响的电子显微分析

针对阴极失效影响因素中的真空度问题,利用扫描电子显微镜以及能谱仪作为研究手段,分析对比了未老炼以及在不同真空条件下老炼的阴极的微观结构以及成分差异,结果表明,真空度降低,阴极中发射物质将与空气中的水汽以及氧反应,导致微观结构发生变化,这对于行波管的封装可靠性提出了较高要求.     

材料设计系统可视化模拟

结合真空蒸发镀膜实验,提出了一种应用面向对象技术实现可视化材料设计模拟系统的初步设想.采用面向对象方法将模拟模型彻底分解为以对象为基础的框架结构,最终能有效地实现材料设计模拟模型的简化和重用.描述了该模拟系统的特点.     

单晶表面加工损伤的评价方法

单晶表面加工损伤是衡量工艺水平以及单晶片质量的一个主要参数.综述对单晶表面加工损伤进行分析评价的各种方法,对各种分析方法的基本原理、主要特点及应用做了概要介绍.由于单晶表面损伤以及表面残余应力存在一定的梯度及各种表征方法的作用机理、作用深度不尽相同,因此不同的评价方法对同一样品的分析往往会出现差异.根据不同的分析目的,给出了选择分析手段的建议.     

粉末特性对Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17永磁材料及性能的影响

在粉末冶金工艺生产Sm2(Co,Cu,Fe,Zr)17的过程中,粉末特性对材料的性能存在较大影响.本研究对气流磨和滚动球磨两种工艺所制备的粉末进行比较,通过粒度分析及显微镜观察,研究了粉末的粒径与形状对材料性能的影响.分析结果表明,气流磨所制备的粉末平均粒径为4.53μm,尺寸分布范围较窄,粉末颗粒成近似球状,所得材料磁性能参数中Br,(BH)max优于滚动球磨.     

多层陶瓷电容器端电极银浆料匹配问题的研究

针对多层陶瓷电容器一种自主研发的瓷料的银电极匹配问题,运用扫描电子显微镜分析了端电极烧结后的微观结构,并用能谱仪对其进行成分分析,结合实际的生产实践,找出与该瓷料匹配的银浆料。端电极用银浆由有机载体、玻璃料和银粉等组成。经封端、烘干和烧端形成ML-CC的端电极。实验结果表明:用2#银浆作端电极的MLCC具有附着力高、损耗低等特点,完全能满足该系列MLCC生产线的使用要求。     

利用扫描电子显微镜对BeO电路基片进行失效分析

当今电子器件的发展趋势是高密度、多功能、快速化和大功率 ,因此散热问题成为影响功率衰退和器件寿命的关键因素。氧化铍陶瓷的热导率比三氧化二铝陶瓷高一个数量级 ,这是其最为可贵的特性 ,氧化铍陶瓷具有介电常数低、介质损耗小、抗热冲击性好等特点 ,是高频大功率薄膜电路基板的首选材料。薄膜电路导体材料为金 ,金的电阻温度系数小 ,对陶瓷基板有良好的附着性 ,另外为提高金与氧化铍之间的附着力 ,采用镍铬合金作为过渡层[1～ 3 ] 。材料和方法样品为 18ｍｍ× 10ｍｍ× 0 6ｍｍ的氧化铍陶瓷电路基片 ,制作电路的工艺流程为 :基片予处…     

Sm2Co17型永磁合金时效处理的显微结构与内禀矫顽力

采用扫描电子显微镜(SEM)结合X射线能谱仪(EDS)对Sm2Co17型钐钴永磁合金时效处理过程中的显微结构与成分的变化进行分析,揭示该类永磁合金的显微结构在时效过程中随着时效温度和时间的改变而变化的规律,明确正常样品的典型显微结构SEM照片。此方法较光学显微镜的显微结构结果更加准确直观,较透射电子显微镜则有制样简单和分析快速的特点,在产品质量控制中应用效果显著。     

栅极导电层Au迁移导致放大器失效原因分析

针对限幅低噪声放大器使用过程中出现输出不稳定现象,利用扫描电镜和能谱仪对场效应管栅极表面的金属缺失层和栅源之间的金属堆积物进行微观分析,寻找放大器工作不正常的原因。结果表明:场效应管栅极Au层的电迁移,使导线局部电阻增大,温度升高,导致Au的热迁移加重,引起导线出现孔洞和栅源中间堆积金属颗粒,使栅极导线出现开路和栅源极间产生不稳定接触,最终导致场效应管的工作参数漂移和放大器工作不正常。     

掺杂MnZn功率铁氧体的电子显微研究

采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对掺杂MnZn功率铁氧体断面进行了分析和表征.对比研究了各掺杂剂在微结构中的分布情况,并探论其在微结构形成过程中的作用及对电磁性能的影响.结果表明,掺杂剂在显微结构中的存在形式可分为四类:(1)掺杂剂进入晶格.其阳离子半径和电负性与Mn、Zn、Fe的离子半径相当,发生阳离子置换,如TiO2、CeO2等;(2)富集于晶界.掺杂剂阳离子半径较大,常偏析于晶界处,如CaO、Bi2O3等;(3)一部分进入晶格,一部分滞于晶界.如SnO2、V2O5、MoO3等;(4)掺杂剂与气孔伴生存在,偏聚于晶粒内部较浅的缩孔中,如Nb2O5、P2O5等.