多层共烧元件界面研究的现状与展望

通过调研国内外多层陶瓷元件界面的研究现状,并结合自身工作,分析了在制备过程中多层陶瓷元件界面所存在的关键问题及其难点:共烧匹配性、扩散、结合性能等,提出了相应的控制措施,展望了其发展方向.并介绍了主导烧结曲线(MSC)、有限成分法(FEM)等相关的理论模型.这些都是有效控制界面品质,获得高性能多层陶瓷元件的关键.     

LiNbO3铁电畴结构扫描力显微镜表征

为了分析评价铌酸锂(LiNbO3)单晶单畴化的效果,应用扫描力显微镜(SFM),对LiNbO3单晶片的电畴微观结构进行了分析表征。由于在压电力模式下,电畴的成像受到了样品本身结构的影响,畴图中出现的图像结构多与划痕相关。电畴的图像结构随着电压的加大越趋明显,可以断定,检测信号的确为样品本身压电响应。实验中对厚为1 mm的LiNbO3单晶加10 V直流偏压2 min,极化强度发生改变,但远没达到反转电压。这些对电畴结构的表征为表面加工工艺的改进提供了微观分析依据。     

滤波器封装盒体气体泄漏失效分析

针对滤波器封装盒体气密性检查不合格的问题,运用扫描电镜以及电子探针能谱仪分别对气密性检查合格和不合格的盒体进行了微观结构和成分的分析比较,找出了盒体气体泄漏失效的原因。结果表明:由于气密性检查不合格的盒体材料硅含量偏高,且多以片状、颗粒状形式析出于铝合金表面,因而在此处产生了应力集中,导致了细微裂纹的产生;同时过高的硅含量还破坏了液相金属的焊接熔合性能,降低了熔合区域金属的致密度,使其容易产生焊接缺陷;上述两种原因共同作用最终导致盒体的气密性不合格。最后根据分析结论提出了改进措施。     

多层陶瓷电容器端电极可靠性的显微研究

多层陶瓷电容器(MLCC)端电极在实际使用过程中,其电性能会随着时间发生不同程度的偏离,可焊性、耐焊接热等可靠性降低.针对多层陶瓷电容器端电极锡镀层在焊接过程中发生焊接失效问题,利用扫描电子显微镜(SEM)分析了正常样品和可焊性变差样品锡镀层的微观结构,并运用X线能谱(EDS)仪对问题样品进行成分分析.其结果表明,可焊性变差样晶端电极表面锡镀层出现了因氧化产生的异常区域,并通过后期的可焊性实验验证了分析结果,找出了端电极焊接失效的原因,并提出应对端电极氧化问题的改进措施.     

Sm2Co17型永磁材料金相样品的腐蚀条件研究

用三种金相腐蚀剂和不同的腐蚀时间对Sm2Co17型永磁材料进行腐蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)结合X射线能谱仪(EDS)对Sm2Co17型永磁材料的金相腐蚀条件进行了研究.结果表明,0.5ml硝酸、2ml乙酸、100ml蒸馏水的配比,腐蚀60s能清晰显示晶界、晶粒表面以及晶粒中的富Zr和富Sm析出相.与最常用金属材料...     

含钪钡钨阴极龟裂原因分析

针对钪酸盐阴极在装管测试过程中发生发射电流下降,阴极表面出现龟裂等问题,利用扫描电镜和能谱作为研究手段,分析对比了失效阴极与正常阴极的微观结构差异,结果表明,阴极表面龟裂的原因是阴极发射物质成分和工作温度共同作用的结果。根据分析结果,调整工艺参数,解决了龟裂失效问题。     

MLCC端电极Sn镀层的焊接失效分析

针对多层陶瓷电容器(MLCC)端电极Sn镀层的可焊性失效问题,运用SEM和能谱仪对Sn镀层进行微观结构和成分分析,找出了失效的主要原因,并提出了改进意见。在对MLCC三层端电极中的底层Ag端浆的烧渗过程中,由于烧渗工艺不合理,Ag浆中出现玻璃料物质的溢出,造成电镀Sn时Sn层不连续、不致密,以至MLCC端电极的可焊性变差。通过设计合理的烧渗银温度曲线可较好地解决MLCC端电极Sn镀层的焊接失效问题。     

多层陶瓷电容器端电极耐焊接热性能下降原因分析

针对多层陶瓷电容器端电极耐焊接热性能下降的问题,运用扫描电子显微镜分析了端电极表面锡铅镀层的微观结构,并用其附带的能谱仪对其成分进行了分析,找出了端电极耐焊接热性能下降的原因。结果表明:在对多层陶瓷电容器三层端电极中的底层银端浆进行烧结的过程中,由于烧结工艺控制不合理,导致银层部分出现较多的玻璃料物质溢出,因玻璃料物质不导电,在电镀时就会造成表面镀层的不连续致密,从而使得多层陶瓷电容器端电极的可靠性下降,耐焊接热性能降低。     

无卤阻燃剂在印制电路板中的应用进展

介绍了无卤阻燃剂标准,含卤阻燃剂的使用现状、各国禁卤法规以及各大公司无卤印制电路板(PCB)转换进程;详细分析了PCB中阻燃剂种类及其作用机理,并总结出阻燃剂主要通过切断燃烧三要素来源达到阻燃目的;最后综述了无卤PCB开发现状及其失效和可靠性分析现状。由于新型电子产品对PCB的性能要求愈来愈高,同时又要满足无卤无铅的环保要求,单一阻燃剂很难达到要求,因此多种阻燃剂的协同作用是目前研究的热点方向之一。目前对于使用无卤基板材料后电子产品失效及可靠性方面的参考资料较少,也是需要进一步研究的方向之一。     

开尔文力显微镜检测ZnO薄膜的接触电势差

本文利用开尔文力显微镜观测了ZnO薄膜上ZnO/Si台阶处的接触电势差,研究了扫描速度对接触电势差检测的影响,并分析了造成这种影响的原因.实验测得电势分布在ZnO/Si台阶处有明显变化,ZnO/Si的接触电势差为250mV.实测值偏离理论计算值的原因是接触电势差受大气中表面吸附、氧化层、表面电荷等因素的影响.在不同的扫描速度下对同一区域进行扫描,发现扫描速度对接触电势差的检测有很大影响,扫描速度增大,检测结果逐渐偏离真实值,这种现象是力调制模式的开尔文力显微镜的信号处理方式造成的.建议在低速下进行扫描,以获得理想的检测结果.