基于钻井液漏失侵入深度预测的裂缝性碳酸盐岩储层改造优化

四川盆地高石梯-磨溪地区缝洞型碳酸盐岩气藏具有储层低孔低渗、埋藏深,储层温度高,层厚,裂缝、孔洞较发育,非均质性强、含H₂S,岩石闭合应力高等特点。通过前期技术攻关,形成了适合高石梯-磨溪低渗透储层增产改造工艺技术,一定程度上提高了区块低渗区的单井产量。储层裂缝孔洞较发育,钻井完井过程中不可避免地漏失大量钻井液,造成储层深部污染损害。因钻井液漏失侵入深度不明确,酸化设计中的酸液波及范围无法界定,故常规酸化技术不能完全解除漏失的钻井液对储层的深度损害,降低了储层酸化改造效率。建立了基于溶质运移与对流扩散理论的裂缝网络性钻井液漏失侵入深度预测模型,结合现场实例井,预测了钻井液漏失最大侵入深度,明确了储层污染堵塞范围,为储层酸化设计的酸液规模和酸化范围提供量化依据,试验井改造效果明显,提高了酸化改造效率。     

国外采气工程技术现状及发展趋势

随着世界各国对能源的进一步需求和对环境问题的日益关注,天然气受到了普遍重视,发展采气工程技术已成为当代世界潮流。近年来国外的采气工程技术已有很大进步(在常规完井技术基础上发展了含酸气井的完井技术,大产量气井的完井技术,水平井、分支井和老井侧钻井的完井工艺技术,并向智能完井技术方面发展,完井工程逐渐和气藏管理逐步结合起来,其完井工程理论先进、完井设计方法系统,在天然气藏勘探开发领域中得到了广泛的应用)。重点介绍了国外在完井、压裂酸化、人工举升、修井及室内实验技术等各方面的发展现状和发展趋势,对国内采气工程技术的发展具有很好的借鉴意义。     

有机铬冻胶暂堵剂的研制及应用性能

简述了暂堵剂在非均质地层中的暂堵原理,通过分析有机铬冻胶暂堵剂成冻时间、破胶时间的影响因素,优选了暂堵剂的配方并进行了应用性能研究。研究结果表明,该暂堵剂具有较强的岩性适应能力、良好的注入性能、较好的剪切恢复性能、良好的封堵性能,并且破胶液化后能使岩心渗透率恢复到85％以上。模拟非均质地层的双填砂管岩心模型的研究表明,该暂堵剂可以减少堵剂进入低渗透层的程度,从而大大减小对非目的层的伤害。     

CRH2/380A系列动车组转向架构架组成检修的工艺布局设计研究

随着我国高速铁路的快速发展,CRH2/380A系列动车组已在国内广泛应用,为保证动车组的安全高效经济运行,其高级修的质量及效率显得尤为重要。目前动车组高级修主要由原制造企业实施,为最大化的利用企业的场地设施资源,本文从工艺流程、检修特点、施工周期等多方面考虑,详细介绍了几种典型的构架检修的工艺布局设计,阐述了工艺设计的注意项点。     

Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.     

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(L_sd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,V_gs= 1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件f_T达到220 GHz、最大振荡频率(f_max)达到48 GHz。据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。     

Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析

对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。     

86.5GHz下输出功率257mW的 W波段GaN MMIC放大器

我们报道了一个三级W波段GaN MMIC功率放大器。考虑到W波段MMIC的耦合效应,所有的匹配电路和偏置电路都是先进行电路仿真以后,再用3D电磁场仿真软件进行系统的仿真。此MMIC功率放大器在频率为86.5GHz下输出功率能达到257mW,相应的功率附加效率(PAE)为5.4%,相应的功率增益为6.1dB。功率密度为459 mW/mm。另外,此MMIC功率放大器在83 GHz到90 GHz带宽下有100mW以上的输出功率。以上特性都是在漏极电压为12V时测试得到。     

基于小波尺度谱的转子系统碰摩声发射特性

针对转子系统动静件间发生碰摩时会引起弹性应变而产生声发射,进而可利用声发射来辨识和诊断碰摩故障的特点,首先对碰摩声发射和碰摩振动信号进行了试验对照研究,讨论基于声发射的碰摩辨识别方法的独特优越性.然后,着重对碰摩声发射的特性进行了试验研究,并借助于小波尺度谱优越的时频分析性能,利用小波尺度谱对碰摩声发射的时频特性、传播特性和频散特性等进行了详细分析.分析结果显示小波尺度谱非常适合碰摩声发射这种频率丰富、非平稳和非线性的多模态波,是模态声发射分析的有力方法.     

激光熔覆M－Cr－Al－Y合金及其抗氧化性能研究

本文研究了Ｍ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ合金（Ｍ＝Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ）激光熔覆层的显微组织，微区成分及抗氧化性。氧化增重试验结果表明，Ｍ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ涂层具有比１Ｃｒ＿（１８）Ｎｉ＿９Ｔｉ不锈铜低得多的氧化增重和氧化速率，其中以Ｃｏ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ涂层为最好，其次依次为Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ，Ｎｉ－Ｃｏ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ．