基于TK-PV1型光伏效应实验平台实验项目设计——光谱响应测试

基于TK-PV1型光伏效应实验平台,设计了一种测试太阳能电池光谱响应的方法.实验中,通过测试红、绿、蓝LED3种光源的驱动电流与太阳能电池的短路电流之间的关系,以及驱动电流与相应辐照度之间的关系,对其进行线性分析,结合太阳能电池在相同辐照度的3种光源照射下的短路电流的数据,得出被测太阳能电池对绿光的光谱响应最好的结论.     

热处理温度对纳米晶Ba3(Zn0.4Co0.6)2Fe24O41晶相和X波段吸波特性的影响

采用溶胶-凝胶自蔓延法制备了Ba3(Zn0.4Co0.6)2Fe24O41铁氧体粉末,先将样品在450℃退火2h,然后将其分别在950、1100、1150、1200、1260℃下热处理5h。利用XRD和微波矢量网络分析仪对产物的晶体结构、X波段的电磁性质及其吸波性能进行了表征。实验表明,1200℃和1260℃热处理后的样品主相为六角Z相结构,并且在整个所测频段内都具有很大的磁导率虚部,后者还具有很高的磁导率实部;1mm厚的上述两样品在X波段内其反射功率损耗都在20dB以上,1200℃热处理后的样品反射功率损耗的最大值达43.112dB,上述两样品具有宽频大功率损耗特性,是X波段较为理想的微波吸收剂。     

掺杂镧的钡、锂铁氧体粉末的微波吸收特性

利用柠檬酸溶胶-凝胶自蔓延法合成掺杂镧的磁铅石型系列M型钡铁氧体 (La0.5Na0.5)xBa1-xFe12O19(x=0,0.1,0.3,0.5)和尖晶石型锂铁氧体Li0.5LaxFe2.5-xO4(x=0,0.005,0.015,0.025),并对镧的含量对铁氧体的吸波性能的影响进行了对比研究.实验结果表明,添加适量的镧能显著地改善铁氧体的吸波性能;掺杂量为x=0.3的钡铁氧体和x=0.015锂铁氧体对微波吸收最佳.     

W型Zn-Co铁氧体的制备及微波吸收特性

利用柠檬酸溶胶-凝胶自蔓延燃烧法合成了Ba（Zn1-xCox）。Fe15O27铁氧体纳米粉末．通过XRD和矢量网络分析仪测定了粉末样品的晶体结构和电磁参数．实验结果表明,Co的替代可以降低W相的成相退火温度;x=0．35的样品为复相铁氧体,在GHz附近有较高的磁损耗正切角和电损耗正切角;x=0．4的样品为W型六角铁氧体相,其自然共振吸收峰在9．0GHz,1mm厚样品的最大反射功率损耗达35．6dB,但在GHz频段没有明显的吸波特性．     

Ni_(1-x)Co_xFe_2O_4铁氧体纳米粉末的磁性能和微波吸收特性

利用柠檬酸溶胶-凝胶自蔓延燃烧法合成了Ni1-xCoxFe2O4(x=0,0.1,0.3,0.5)铁氧体纳米粉末。利用XRD、VSM和矢量网络分析仪测定了粉末样品的晶体结构、磁性能和电磁参数。定性分析了样品的饱和磁化强度、矫顽力、复磁导率和复介电常数随频率和Co含量的变化关系。结果表明,自蔓延的所有粉末样品经过600℃,2h高温退火后均为尖晶石相纳米晶颗粒。随着Co替代量x的增加,样品的自然共振频率先增大后减小,并对微波吸收特性有一定的改善。     

NiCo铁氧体的sol-gel自蔓延法制备及电磁性能

为了提高NiCo铁氧体Ni1–xCoxFe2O4(x=0,0.1,0.3和0.5)的抗电磁干扰特性,采用柠檬酸sol-gel自蔓延法制备了纳米晶粒的NiCo铁氧体样品。利用XRD、VSM和矢量网络分析仪,测定了样品的晶体结构和磁性能及电磁性能。结果表明:在0.1～1.5GHz频段,Co含量x=0.1时样品的tanδ比x=0时提高了一倍以上。但Co含量的进一步增加却使样品的损耗特性变差,例如x=0.5时的tanδ仅为x=0时的40%,这与Co2+占位和晶粒度大小有密切关系。     

载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响

研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响 ,外延膜的质量和生长速度对载气流量极为敏感。当载气流量较小时 ,样品的 X射线衍射谱 (XRD)中出现了杂峰(1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 ) ,相应的光致发光谱 (PL)中出现了黄带 (YL) ,靠近带边有杂质态。而当载气流量增大时 ,样品质量改善。Ga N外延膜的结构和光学性质的相关性表明深能级的黄带与生长过程中产生的非 c轴方向晶面有关 ,据此我们推测 :Ga空位与束缚在 (1 0 -1 1 )和 (1 1 -2 0 )等原子面上的杂质构成复合结构 ,这些复合结构所产生的深能级对黄带的发射有贡献 ;由于预反应使生长过程中混入的附加产物及杂质对带边发射有重要影响     

a-Si:H热处理过程中形成的纳米硅粒及其光致发光

报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1.6～15 nm内.根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成纳米硅颗粒大小之间的关系,并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.经退火形成的nc-Si可见光辐射较弱,不能检测到它们的光致发光,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红PL,并且钝化后的nc-Si在空气中暴露一定时间后,其辐射光波长产生了蓝移.就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论.     

Mn+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性

利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中,获得了稀磁半导体(Ga,Mn)N.光致发光谱结果显示由于Mn的注入,使GaN中常见的黄带发射被大大抑制.在反射和吸收光谱中,观察到锰引入的新吸收带,分析表明该带是由电荷转移过程和锰引入能级(价带顶上310meV处)的吸收组成的.透射光谱显示(Ga,Mn)N的光学带隙发生了红移,计算表明该红移量为30±5meV.震动样品磁强计的测量结果证实了Mn掺杂的GaN样品在室温下具有铁磁性.