电声子耦合对量子点非平衡输运的影响

电子-声子耦合显著影响半导体量子点和单分子晶体管的非平衡输运.在非平衡格林函数运动方程方法的框架内,通过改进电声子解耦,发现低温下量子点谱函数中声子伴带明显依赖于两边电极费米能级与重整后局域能级的相对位置,呈现电子-空穴对称性破缺.Kondo峰的声子伴带分为两类,分别与由电子或空穴组成的多体自旋单态相对应.当局域能级存在Zeeman分裂时,两类不同起源的Kondo声子伴带在自旋分辨的谱函数中可以相互区分.谱函数的这些特性也体现在非线性微分电导谱中.     

海水中极低频水平电偶极子电磁场的解析解

将海水看作线性、均匀、各向同性的半无限大导体空间,利用汉克尔变换及开尔文函数的近似展开式,推导求得了极低频时谐水平电偶极子在海水中产生的电磁场的近似解析表达式.运用推导的解析表达式,可以计算海水中任意场点的电磁场值.     

嵌入式SNMP Agent在微波通信网管的实现

分析了嵌入式SNMPAgent软件的功能需求,以及软件结构,以及硬件开发平台的选用;并基于SNMP协议和嵌入式ARM,介绍了嵌入式网络管理系统在微波通信网络管理中的软硬件实现方案。文中讨论的方案,已应用于微波通信网络管理中。     

基于分层结构的复杂多发箔条云团散射模型

为了提高计算复杂多发箔条云团的雷达散射截面的精度和效率,提出了一种基于分层结构的复杂多发箔条云团散射模型。对多发箔条云团采用"层-角-角"结构划分,准确模拟箔条云团单元的电磁散射特性,并考虑箔条云团各部位之间的遮挡和相互作用系数,经过迭代计算,得到复杂多发箔条云团的雷达散射截面。模型的验证计算结果表明,该模型具有较好的精度和实用性。     

基于DFSS的汽车NVH开发流程研究

传统的汽车NVH开发流程是基于系统工程理论展开的.但是,汽车NVH性能表现不仅取决于设计,同时也受工艺、过程质量控制等因素的影响.基于六西格玛设计理论,系统地梳理了汽车NVH开发流程.借鉴于六西格玛设计理论的IDDOV流程,对传统的汽车NVH性能"V"型开发流程进行了优化,导入了六西格玛设计理论的主要技术方法,如基于质量功能展开的市场需求分析、系统设计、稳定性优化设计、面向X的设计等,最终建立了全新的融合六西格玛设计理论、系统工程理论的汽车NVH性能开发流程,较好地满足了产品开发的实际需求.     

小檗碱脉冲控释PLGA微球的制备及其载体吸附作用研究

目的：研究小檗碱PLGA脉冲控释微球的制备工艺和体外释放特性。方法：建立小檗碱含量测定方法,采用复乳法制备小檗碱PLGA脉冲控释微球,透射电镜观察微球形态,定期取样考察小檗碱PLGA微球体外释放特性,并考察微球载体材料对小檗碱的吸附能力。结果：制备的小檗碱微球形态圆整光滑,载药量为0.35%,包封率为42.61%,无突释现象,初期释药量极少,22 d后开始逐渐大量释放。PLGA原料对小檗碱吸附作用明显,PLGA空白微球和PLGA有机溶剂对小檗碱吸附相对较弱。结论：成功制备了小檗碱PLGA微球,形态结构、包封率、释放特性均符合要求,初步考察结果表明PLGA原料对小檗碱吸附能力最强,可进行后续的研究。     

曲线装饰线条抹灰模板的改进

对于建筑物外墙凸出曲线条的抹灰,若要做到上下通线,必须用曲线模板定型。而传统做法一般采用三合板或五合板按设计曲率裁制。由于抹灰前要对基层进行湿润．砂浆中的水分极易被胶合板吸收。     

微织构对Ti-6Al-3Nb-2Zr-1Mo合金的应力腐蚀性能的影响

采用EBSD方法对断口以及裂纹扩展路径进行观察,研究了近α型钛合金Ti-6Al-3Nb-2Zr-1Mo组织中的微织构对应力腐蚀敏感性和裂纹扩展路径的影响规律。结果表明,微织构区域的形貌为接近平行于轧面的不规则薄片层状,长度方向沿轧向扩展,微织构区的晶粒取向为c轴趋近于与板材横向平行。当加载方向与微织构区的长度方向接近平行时,微织构区内部晶粒易于柱面滑移,降低裂纹尖端的应力集中和降低应力腐蚀敏感性;当加载方向与微织构区的长度方向接近垂直时,微织构区内部晶粒不容易发生柱面滑移和基面滑移,易于造成局部应力集中和形成微裂纹,提高板材的应力腐蚀敏感性。     

超过设计寿命的在用压力容器检验方法探究

针对超过设计寿命的压力容器继续使用问题,为保证压力容器安全运行状态,降低事故发生概率,必须对压力容器进行定期检验评价.应当采取哪种检验方法是一个技术难题,为此通过对各种类型超期服役压力容器失效方式的研究及检验实践,分析总结出了一套组合检验方法,包括宏观检验、超声波测厚、无损探伤、材质检验、声发射测试等方法.经实际应用证...     

高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理

研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制．实验中利用不加磁分析器的离子注入机，采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge+和Ge2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法，制备了1e16～1e18cm－2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品．用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在，并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量．通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸．用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布，与实验结合，得到纳米晶形成的物理机制，即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge＋和Ge2＋相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关．