栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异.为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中.     

新疆底栏栅引水渠首

在坡降陡急和河床为卵石、漂、砾的山溪河道上,底栅式引水枢纽在新疆已被证明为十分有效的引水形式之一.水流挟带的大颗粒泥沙越过枢纽的栏栅顶面而送到下游,使这种引水形式的排沙引水效果良好.新疆已建成这种形式的渠首近五十座. 引水枢纽由栏栅堰、冲沙闸、溢洪堰和导流堤组成.工程的布置方式取决于河道的水文泥沙条件和地质条件.在一般情况下,当冲沙闸底低于栏栅堰底时,枢纽的上游河道容易保持主槽.渠首建成后,河道中的含沙量和流量的关系重新调整,即以少量的水冲走大量的泥沙.为了防止枢纽下游淤积,必须对下游河段采取缩窄并延长导流堤等措施.但缩窄下游河床和抬高栏栅堰顶应统一考虑, 以免引起剧烈冲刷和危及建筑物安全.布置冲沙闸一般应靠近栏栅堰.当枢纽采取两岸取水形式时,冲沙闸应布置在河床中心.冲沙闸门在洪水期或则长期开启,或则间隙开启,在枯水期一般为闭闸壅水运用.上游导流堤有助于人为地造成有利的弯道,或者能使河床水流保持平稳, 以便使上游河床在各级流量下都能具有较好的水流条件.通过实践证明,衔接闸,堰和天然河道的消能防冲设施,以裙板和防冲墙效果较好.