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51.
在抽油泵柱塞的基体上,对国产Ni60A自熔合金粉末进行了中频感应重熔与激光强化复合新工艺的试验研究,并对复合熔覆的表面粗糙度、空隙率、裂纹、显微组织及耐磨损能力进行了系统的分析。试验结果表明,复合熔覆具有中频感应重熔的优点,能够获得大面积的表面光洁的覆层,且覆层组织均匀,无裂纹,与基体存在良好的冶金结合;同时,复合熔覆又具有激光重熔的优点,不仅降低了覆层中的孔隙率,而且又提高了覆层与基体的结合强度,使之具有较好的耐磨损能力。  相似文献   
52.
雷达T/R组件的集成度越来越高,已出现了将天线也集成在组件上的多通道瓦片式收发T/R组件。由于天线的集成,传统的传导测试方法无法对这种新结构T/R组件的电路性能进行直接测量。针对该问题,提出一种辐射对比测试方法,采用辐射法先对T/R组件天线单元进行测试,然后对集成天线的T/R组件进行测试,最后将天线对T/R组件电路性能的影响扣除,得到T/R组件电路的各项性能参数。在分析测试原理的基础上,对一种集成天线的多通道X波段的瓦片式T/R组件发射峰值功率、通道间相位一致性和接收增益等指标进行了试验测试,测试结果与电路直接测试对比,幅度误差<0.69 dB,相位误差<10.5°,满足工程应用需求。  相似文献   
53.
5G在改变人们生活的同时也在引领科技的创新,5G的垂直应用非常广泛,其中5G医疗专网是5G技术在医疗健康行业的一个重要应用。5G与目前主流的大数据、云计算、人工智能、区块链等技术相结合,凸显出5G带来的便捷,5G医疗对于民生有很大的推动作用,与我们的生活息息相关,能够改变传统的医疗模式,更加方便、智能地服务社会,提高全民智慧医疗水平。  相似文献   
54.
电力变压器在运行过程中会受到短路电流的冲击,从而导致绕组发生轴向或者径向位移.短路电抗是反应变压器绕组状态的有效参数之一,利用C8051F040和WinCE 6.0平台设计了短路电抗的在线监测系统,并在一台模型变压器上验证了系统的稳定性.  相似文献   
55.
本文主要研究磁流变阻尼器应用在高速、高冲击性环境下发射装置的反后坐装置中,其结构参数磁感应强度和阻尼通道间隙对发射装置的振动影响;采用有限元和abaqus软件二次开发平台相结合的方法建立该发射装置结构动力学有限元模型,改变磁流变阻尼器的结构参数模拟整个装置的发射过程,研究发射装置的振动特性.仿真计算结果表明,输入不同的电流值和不同的阻尼通道间隙值会对发射装置振动特性产生影响,在设计和应用发射装置上磁流变阻尼器时应给予重视.  相似文献   
56.
现代通信技术日新月异,就当前通信技术发展的实际情况来看,使用IP技术实现综合业务承载,取代传统的TDM网络,是现代社会通信技术发展到一定程度的必然结果。因此必须全面研究IPRAN的组网模型建设、网络保护以及网络的维护管理工作等。  相似文献   
57.
数控钻孔工序是一个以自动化加工为主的工序,对产前准备及基础化管理的要求相对较高,且十分重要,并且随着科学技术的发展与日新月异,对生产力的要求也就越来越高。为了适应时代发展与技术进步的需要,各行各业都在寻求提高生产效率的有效方法与手段,原因在于,生产效率的低下严重制约了企业的发展、进步与技术能力的提升,在这种环境下,我们将重点放在如何通过先进的技术手段与科学的规范管理达到提高生产效率的目的上。本文详细阐述了通过对数控机床的合理维护、刀具管控、参数优化、标准化作业等几方面的研究与分析,然后采取相应的措施,在保证产品质量的前提下达到提高生产效率的目的,在具体实施过程中,我们首先选1台数控钻床进行试点研究,然后平面推广,以期达到钻孔工序的产能较改善目前相比至少提升20%以上的效果,按照此项技术的加工方法,根据公司订单结构与设备状态,每月将增加产能至少4000m2的生产任务。  相似文献   
58.
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。  相似文献   
59.
针对开关磁阻发电机(SRG)转矩波动大及难以快速精确调速的缺点,提出了二阶滑模控制(2-SMC)与直接瞬时转矩控制(DITC)相结合的复合控制方案,设计二阶滑模控制器,基于Matlab/simulink搭建风力发电系统模型。仿真结果表明,所用控制方案不仅实现了最大功率跟踪,有效降低了发电机转矩脉动,同时减小了输出功率的波动。  相似文献   
60.
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25~29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。  相似文献   
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