仿人智能模糊控制在污水处理中的应用

基于化工过程中污水处理的严重非线性，时间延迟、非参数模型等特性，使得采用常规的控制技术如ＰＩＤ，对ＰＨ值进行精密控制难以取得理想效果，提出了仿人智能模糊控制应用于污水处理，系统具有较强的鲁棒性和自适应性，现场运结果表明该系统具有优良的控制性能。     

数字电视调谐器中锁相环锁定时间的计算

对数字有线电视调谐器中带有源滤波器结构的锁相环进行分析,深入研究了锁定时间与环路参数的关系,在推导环路相位误差的基础上,提出了一种计算环路锁定时间的方法,并给出具体的计算公式。计算结果与仿真/测试结果比较吻合,说明得到的公式能准确计算出锁定时间,而且可以直观地反映锁定时间与环路参数之间的关系。     

一种新型偏置栅MOS 管漂移区表面电压 和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型，借助数学推导得到该模型的计算方程，通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系，同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。     

使用掺铒光纤放大器的光接收机特性的研究

本文从理论上对强度调制－直接检测ＷＤＭ光传输系统中使用掺铒光纤放大器做前放的光接收机灵敏度及功率恶化进行了分析和计算。采用近似方法导出了光接收机灵敏度的数学表达式。     

FM—SCA无线寻呼系统

本文分析了ＳＣＡ无线寻呼系统的基本构成，着重阐述了在调频广播基础上开展ＳＣＡ无线寻呼所需增加的系统，指出了建立ＳＣＡ无线寻呼台的优势。     

射频电路PCB设计

介绍了采用PROTEL99SE进行射频电路PCB设计的设计流程。为了保证电路的性能，在进行射频电路PCB设计时应考虑电磁兼容性。因而重点讨论了元器件的布局与布线原则来达到电磁兼容的目的。     

SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响

对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

变压器有载调压二次回路探讨与研究

变压器有载分接开关是变压器的主要组件,广泛应用于我国高压电网中,它对于改善电网安全运行,提高电压质量发挥了一定的作用。所谓有载调压通常是指在带电的情况下,对有载调压变压器的变比进行调整,以满足电压质量的要求。     

基于变压器有载分接开关的研究

正1引言有载分接开关是变压器中的主要部件,广泛应用于高压电网中,它对于改善电网安全经济运行情况及提高电压质量发挥了一定的作用。同时有载分接开关的动作的正确性和可靠性也直接决定了变压器能否安全稳定运行。本文中主要介绍了有载分接开关的动作原理、动作过程、过渡过程中的标准波形以及在日常维护工作中应当注意的问题等。