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61.
阐述了延安石油化工厂制氢装置在试车过程中遇到的一些问题,如:净化风杂质含量高、程控阀回讯故障、转化炉管堵塞、除氧水换热器超压泄漏、转化气余热锅炉炉壁超温等。通过增设净化风干燥过滤器,净化风中水质量分数控制在不大于1.0μg/g,固体杂质粒径不大于0.1μm,满足了全装置程控阀用风要求;对部分程控阀重新校对安装并对部分程控阀紧固、清污,解决了程控阀回讯故障;对堵塞的转化炉管切割清污,解决了转化炉管堵塞问题;在除氧换热器壳程出口增设安全阀,避免了设备管线超压泄漏;重新安装转化气余热锅炉隔热塞,减小了人孔处隔热塞间隙(小于3 mm),消除了炉壁超温隐患。以上举措为装置一次性试车成功奠定了基础。  相似文献   
62.
建筑单位要想顺利的实现可持续发展的战略,招投标制度能否合理有效的实施是一个重要的影响因素。作为一种应用十分广泛的采购模式,工程项目的招投标工作不但能够提升国有资金的使用效率,同时也为我国的建筑行业营造了公平的竞争环境。然而,我国实行招投标制度的时间并不长,并且存在着很多影响招投标管理工作的因素,这就导致了工程招投标管理工作中暴露出了一定的问题,而为了进一步的提升工程招投标管理的水平,我们就应针对这些问题制定出合理的解决对策。文章便对现阶段我国工程招投标中存在的问题以及解决对策两个方面的内容进行了详细的分析和探讨,从而论述了如何做好我国工程的招投标管理工作。  相似文献   
63.
SMT与印刷电路板的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
从SMT的工艺要求出发,讨论了使用SMD时设计印刷电路板的总体要求,提出了在利用PROTEL设计软件时各种元器件的制作要求,制作方法以及布规范。  相似文献   
64.
本文基于有耗传输线模型,运用等效源理论首次分析了工作在GHz频率时时钟树电路互连系统对传输信号完整性的影响,对时钟树的'T’型结构引入三端口网络,计算结果表明这是一种有效的分析时钟树电路信号完整性的方法.  相似文献   
65.
PDP选址驱动芯片HV-CMOS器件的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
文章提出了一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS(High Voltage N-channel Lateral Double-diffused MOSFET)工艺结构,并通过二维MEDIC^[1]软件对该结构进行模拟,论证了其独特的优越性-防穿通。同时提出了HV-PMOS(High Voltage P-channel MOSFET)的厚栅氧刻蚀方法-多晶硅栅自对准刻蚀。  相似文献   
66.
无掩模定域性电化学沉积-增材制造技术是采用电化学沉积原理、摈除掩模与支撑、以增材制造方式实现三维金属微结构制造的一种新技术。本文综述了体现该技术核心内容与工艺特征的代表性技术:介绍了无掩模定域性喷射电化学沉积-增材制造技术和无掩模定域性直写电化学沉积-增材制造技术的基本原理和研究现状,分析了2种技术各自的特点、存在的问题和今后的研究发展趋势。  相似文献   
67.
SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.  相似文献   
68.
非对称半桥电路拓扑采用脉冲宽度调制技术,具有易实现零电压开关的优点,可广泛应用于家用电器,汽车电子等领域中。文中首先介绍了非对称半桥电路的工作原理,接着对其进行了稳态分析,重点给出了一个非对称半桥式开关电源的设计过程。考虑到拓扑结构参数和零电压开关的影响,对电路的输出电压进行了修正。此外,谐振电感和死区时间是确保零电压开关实现的两个重要参数,文中给出了其实际的设计过程,并通过仿真证明了其实现的可行性。  相似文献   
69.
针对自举开关中的寄生效应和导通电阻的非线性问题提出了一种新的低压低电阻的自举开关.同时利用增益增强技术设计高直流增益和高单位增益带宽的运放,从而保证采样保持电路和子级电路的性能.基于以上技术,设计了一个10位100Ms/s流水线模数转换器,该模数转换器用0.18μm CMOS工艺流片验证.经测试,该模数转换器可以在采样率为100MHz,输入频率分别为在6.26和48.96MHz的情况下分别获得54.2和49.8dB的信噪比.  相似文献   
70.
针对自举开关中的寄生效应和导通电阻的非线性问题提出了一种新的低压低电阻的自举开关.同时利用增益增强技术设计高直流增益和高单位增益带宽的运放,从而保证采样保持电路和子级电路的性能.基于以上技术,设计了一个10位100Ms/s流水线模数转换器,该模数转换器用0.18μm CMOS工艺流片验证.经测试,该模数转换器可以在采样率为100MHz,输入频率分别为在6.26和48.96MHz的情况下分别获得54.2和49.8dB的信噪比.  相似文献   
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