基于定子电压定向的双馈风力发电机功率控制

本文介绍了一种基于定子(电网)电压定向的双馈风力发电机输出功率控制策略。此控制策略无需测量定子磁链,可实现发电机输出有功、无功功率的独立控制。并根据此控制方法,使用Matlab/Simulink软件构建了一个用于1.5MW双馈风力发电机的输出功率控制系统,仿真验证了在有功功率、无功功率或电网电压出现降落的条件下,该控制策略的有效性。     

基于粗糙径向基神经网络的电网故障诊断新模型

在一种属性约简方法的基础上,利用粗糙集和径向基网络的优势,将二者充分融合,构建了一种电网故障诊断新模型,并对其进行了改造.通过对电网故障诊断算例的仿真实验比较表明,该模型减少了识别的主观因素,简化了网络结构,并且识别效果明显,分类能力强,具有很强的容错性和解释性,有很广阔的应用前景.     

基于图神经网络的网络性能智能预测

传统网络性能预测技术存在网络状态获取不够全面及网络性能评估准确性欠佳等问题，利用图神经网络学习推理网络关系数据的特点，结合捕获的网络全局信息，提出了一种基于图神经网络的网络性能智能预测方法。通过网络系统抽象及网络性能建模，将复杂的网络信息转化为形式化的图数据进行描述，利用图空域卷积处理图网络节点的消息传递过程，实现网络信息之间的关系推理，研究了实现网络性能预测的图神经网络模型，提出了一种能处理流量矩阵、网络拓扑、路由策略、节点配置的图神经网络体系结构，最后通过实验论证了模型能更好地实现包括时延、抖动和丢包率的网络性能的准确预测。     

小型LD 脉冲激光测距仪的人眼安全控制

小型脉冲半导体激光测距仪使用的激光波长处于非人眼安全的波段如905nm ,要保证 测距仪的辐射安全性必须控制激光发射参数。在设计高精度远距离半导体激光测距仪的过程中,必须提高激光发射功率和频率。本文讨论了在设计过程中,满足激光辐射安全国标的最佳激光发射参数。     

高压有级变频软起动装置在烧结机引风机的应用

本文将可控硅高压有级变频软起动器成功应用于张钢炼铁烧结机主引风机同步电机的启动装置中;并分析了试运行中出现的故障、原因,给出了处理措施,从而保证了装置的安全可靠运行。     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

有线电视宽带网边界路由系统安全技术研究

提出在当今有线电视宽带网络环境下,从构建安全的边界路由系统出发,研究在边界路由器上采取针对有线电视宽带网内部网络的报文过滤和针对路由系统本身的安全策略,并在某有线电视宽带网络中进行了典型应用,实践证明可以达到事半功倍的网络安全目的.     

特高含水期油田动态监测系统优化技术研究

对大庆油田目前所有的注入剖面和产出剖面测井技术进行了优化研究.在油藏数值模拟的基础上,得到试验区块的模拟吸水剖面和产出剖面,与测井得到的吸水剖面和产出剖面进行了对比分析.为了使两者之间有可比性,对小层流量进行了合理的劈分或合并,求出两者之间的样本偏差.其结果可以用于制定下一步动态监测方案,从而达到对试验区块的动态监测系统的优化,为充分挖掘试验区块剩余油及提高采收率提供依据.     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。