非达西渗流与采场底板突水防治

用Forcheimer型非Darcy渗流理论,从非线性动力学系统结构失稳的视角揭示了煤矿突水的机理。研究表明:矿井突水与岩层的孔隙率、颗粒直径、雷诺数及水流速度等因素有关;雷诺数Re随孔隙率ε的增大而减小;孔喉比b=0~10,雷诺数受孔喉比影响较大;孔隙率为0.2~0.5,孔喉比受孔隙率的影响较大。     

高精度CMOS Wildar多值电压带隙基准电路设计

基于经典Wildar带隙基准结构,通过单级高增益低失调运放及其闭环负反馈设计,将电压求和模式输出与电阻负载驱动紧密结合,同时增加简单的单管并联高阶补偿结构,实现了一种具有较大负载驱动能力的高精度多值低压基准输出,解决了经典基准电路在补偿精度与PSRR方面的局限性.CSMC 0.5μm CMOS工艺仿真结果表明,在-40～125℃,一阶补偿的温度系数为6×10~(-6)/℃,输出电阻支路采用并联MOS管的高阶补偿后,温度系数下降到1.27×10~(-6)/℃,低频下电源抑制比达到-57 dB.     

用于流水线A/D转换器的改进型数字自校准算法

数字自校准算法在高精度流水线ADC中应用越来越广泛.目前,基于数字自校准算法的流水线ADC的结构一般都是1.5位/级.基于对各种结构优缺点的分析,选择在芯片功耗和面积方面有很强优势的2位/级结构,并设计了一种符合这种结构的改进型数字自校准算法.这种改进算法解决了目前数字自校准算法中校准参数不准确的问题,使校准输出后的数据准确度更高.实验结果表明,该改进型数字自校准算法使系统的线性度有了很大的提升.     

硅微电子兼容技术的发展

硅微电子兼容技术是微电子技术与其它相关技术相互结合的产物,是微电子学科领域的重要发展方向之一,并使其在性能和应用领域等方面得到进一步的提高和扩展.本文主要介绍GaAs/Si、SiGe/Si、LB/Si、低温微电子、真空微电子和超导/半导兼容技术的新进展和发展趋.     

一种CMOS低压带隙基准电路的分析与设计

不同于常规电压求和带隙基准,电流求和是实现低压基准的主要方法.文章重点分析了一种负温度系数电流的生成方法,基于电流求和模式,设计了一种简单且无运放的电压基准结构,其输出最大基准值为1.1V,功耗为7μA.     

硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析

本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（Ｈ＿（ＦＥ）可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。     

坚持两条腿走路方针促进四川电力工业的高速度发展

伟大跃进的1958年,在我国社会主义建设史册上,将永远闪灼着灿烂的光辉。从这个划时代的一年开始,四川电力工业的发展,和全国、和别的工业一样,进入了一个崭新的历史时期。在建设社会