快中子水分测试仪

本文主要介绍了用中子法对各种物料中含水率进行测量的研究。它具有操作简单,反应迅速灵敏,测量精确,适合在线连续使用等特点。     

Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs(001)表面形貌的热力学分析

采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上生长Al_(0.26)Ga_(0.74)As外延层,并在相同的退火条件下,分别退火0,10,20,40 min。利用扫描隧道显微镜对不同退火时间下Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs样品表面进行了扫描,得出不同退火时间Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面形貌特点。在40 min的热退火后,Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于热力学理论的半平台扩散理论模型估测获得平坦Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs薄膜表面所需退火时间,根据理论模型计算得到Al_(0.26)Ga_(0.74)As/GaAs平坦表面的退火时间和实验获得平坦表面所需退火时间一致。     

15 t/h长龄水冷冲天炉的设计改进和生产实践

介绍长龄水冷冲天炉的结构及工作原理,分析风眼漏水和炉体挂渣的原因.根据生产的实际情况,对15t/h长龄水冷冲天炉的结构及工艺参数进行不断改进,解决存在的突出问题,实现了两班制条件下,连续熔化4～6周的长龄要求.     

深冷处理对Al2O3陶瓷铝基复合材料耐磨性的影响

采用预制件-挤压铸造法制备出Al2O3颗粒及纤维双相增强Al基复合材料,并进行磨损实验,采用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）研究了在高载荷条件下经固溶时效处理的复合材料在循环深冷处理前后的磨损性能。结果表明,深冷处理能有效提高复合材料的耐磨性能;双相增强和体积变化能有效抑制磨粒和粘着磨损。     

GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程

采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。     

关于建设和运营4G网络的思考

通过对我国2G、3G网络建设状况的反思,从避免重复建设、节约频谱资源、利于市场均衡和移动通信事业发展等方面考虑,提出国内只建一张4G网络的设想,并分析了三种可能的建设运营模式:一是以省为单位,三家运营商分片组建4G网络;二是中国移动和中国联通在现有试验网基础上分别建网,中国电信租用这两家的4G网络;三是独立成立一家公司运行4G网,三家运营商租用该公司的4G网络。     

背照式AIGaN/GaN基光电探测器的结构设计及性能模拟

基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光电响应特性和电学参数,结果与实测数据和文献报道数据一致性较好.计算时还考虑了材料制备和器件工艺的实际情况,分析了有关参数对器件性能的...     

InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究

利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构...     

RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜

利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs（001）基片上外延生长了不同In组分（39%、29%、19%）的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于（2×3）表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。     

GaAs(001)表面重构

GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年来研究者们对于GaAs(001)表面重构的研究成果,结合所在实验室最近的实验数据,对GaAs(001)表面重构的相关研究成果进行了汇总和遴选,重点讲述了在实际应用中常用的几种表面重构;从富As表面的C(4×4)重构、不同(2×4)重构到逐渐富Ga的(n×6)重构、(4×2)重构,结合RHEED衍射花样、STM扫描图片以及球棍模型,对它们的倒、实空间图像以及理论模型都进行了深入的探讨和研究,为将来进行GaAs(001)表面的更深入研究打下基础并提供数据和理论支持。