复式结构特高面板堆石坝安全性论证

混凝土重力坝—堆石坝复式结构,在坝踵增设混凝土坝(墙),既减短了混凝土面板长度,又提高坝体底部的可维修性,大石峡水电站拟采用此复式结构面板坝体型.以大石峡面板坝为工程依托,采用三维有限元数值模拟方法,对此复式结构体型应用于特高面板堆石坝的安全性进行论证,研究了该结构的正常使用受力状态和抗震稳定性.结果表明,坝体应力变形...     

含酰胺基的次膦酸金属盐阻燃剂在PBT中的应用

比较了β (N 苯基甲酰胺)乙基甲基次膦酸的锌、镁、铝盐\[Zn(CEMP)、Mg(CEMP)和Al(CEMP)\]对聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)阻燃性能的影响。结果表明,相比于Zn(CEMP)和Mg(CEMP),Al(CEMP)表现出较好的阻燃效果,当其添加量为20 %(质量分数,下同)时,可使PBT的极限氧指数达到39.5 %,垂直燃烧达到UL 94 V 0级;Al(CEMP)能够降低PBT的热分解速率,提高其残炭率;热分解过程中的残留物主要含磷和碳组分,初步推断Al(CEMP)主要通过凝聚相发挥阻燃作用。     

超高压断路器非全相回路设计方案可靠性探究

断路器控制回路作为高压断路器操作的重要神经中枢,其设计可靠性对电力系统安全稳定运行有着重要意义.介绍保护试验人员对某超高压变电站断路器非全相回路实际检验时发生的不经出口压板跳闸现象.分析现象原因,结合运检探究该非全相回路设计方案在极端情况下的可靠性问题,并提出改进建议.     

新课标下信息技术教学中学生创新能力的培养

创新能力的培养是时代的需要，是新世纪人才最核心的素质培养。信息技术教师在教学中应该更注重培养学生的创新探索能力。高中信息技术新课标的制定与实施，带给教师全新的教育理念，它要求以学生为主体，让学生全身心地融入教学的全过程，自主探究，发现知识，创造性地运用知识，同时得到充分的情感体验、真切的人文关怀。这就需要教师在教学时多进行创造性的教学活动，使课堂成为培养学生创新能力的沃土。那么，信息技术教师应当如何去培养学生的创新能力呢？     

中国电工技术学会低压电器专业委员会甘肃省分会召开成立大会

中国电工技术学会低压电器专业委员会甘肃省分会经过数月的筹备,与甘肃省电机工程学会电器专业委员会于一九八三年七月十九日至二十一日在甘肃省天水市同时成立。十个兄弟单位的八十七名代表出席了大会,机械工业部电工局电器处派了代表参加,西安交通大学电器教研室方鸿发副教授出席了会议。同时大会还收到中国电工技术学会、甘肃省电机工程学会、甘肃省机械工程学会发来的贺电。会议选举了第一届理事     

纳米羟基磷灰石晶体的制备及表征

采用化学沉淀法合成纳米羟基磷灰石(HA),并采用X-射线衍射和透射电镜(TEM)对其结构和晶粒尺寸进行了分析。制备的纳米HA主要为柱状晶体,平均尺寸为70 nm。这说明在常温常压水-乙醇反应体系下,可获得纯度、结晶度较好的纳米HA晶体材料,且晶体完整,具有与人体骨羟基磷灰石晶体相似的结构特征。     

无轴承开关磁阻电机悬浮绕组短路故障下的容错运行控制方法

为了提高无轴承开关磁阻电机(BSRM)的可靠性,研究了BSRM悬浮绕组短路故障下的容错运行控制方法。首先,基于正常运行的电机数学模型,推导得到短路电流模型和电机容错数学模型,通过有限元仿真验证数学模型的正确性;其次,基于容错模型提出悬浮力及转矩补偿策略,通过有限元仿真及Matlab/Simulink动态建模仿真对所提控制策略进行分析和验证;最后,通过样机悬浮绕组短路实验验证了所提方法的有效性。     

膨胀土路基的应对措施

在膨胀土地基上修筑公路路基或采用膨胀性土作为公路路基填料时，受外界因素如地质、水文、气候环境等影响，往往产生道路基底的交替升降变形，路堤压实度的反复变化；在较大路基填挖段，应力与变形的改变与重复更迭，使道路的强度及稳定性发生变化，产生溜坍、滑坡、纵向开裂等病害，最终造成公路路基、路面与构造物的破坏。结合工程实践经验，对膨胀土路基的设计与施工提出一些浅见。     

配电台区高低压设备典型故障分析

选取一例典型的配电台区高低压设备综合缺陷引发烧损故障进行深入剖析,从配电台区运行管理、保护设备配置、安装工艺管控等方面挖掘出当前存在的严重问题.在此基础上,针对性提出高效可靠的解决方案,着力提升配电设备运行水平.     

Al~(3+)-Ce~(3+)共掺杂纳米SiO_2的发光性能

采用溶胶-凝胶技术制备了Al3+-Ce3+共掺杂的纳米SiO2,并对其进行H2气氛中700～800℃的热处理.采用透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、Fourier红外光谱仪(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、紫外-可见分光光度计(ultraviolet-visible spectrophotometry,UV-Vis)及荧光光谱仪观察并测试掺杂改性纳米SiO2的形貌及光学性能.结果表明,掺杂纳米SiO2中存在两个起源小同的383nm发光带:一个为由245nm激发产生的383nm和402nm双峰结构的发光带.该发光起源于纳米SiO2的本征缺陷中心;另一个为由314nm激发产生的383nm宽带发光,该发光带起源于掺杂的Ce3+;并且研究了该发光带强度与Al3+的掺杂浓度以及热处理温度的关系.