生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响

采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长InAs(4ML)/GaSb(8ML)超晶格(SLs).研究了生长温度(400～440℃)对超晶格晶体结构和表面形貌的影响.结果表明,420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小,其荧光光谱(PL)峰值波长在约2.54μm处,响应光谱50%截止波长在约2.4μm处.通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面,并发现生长温度强烈影响混合界面InAs/GaSb超晶格结构和表面形貌,而对InSb界面超晶格的影响较小.     

猪专用酶的设计及应用

通过对猪专用酶的设计思路、酶的生物学功能以及在养猪生产中的应用效果等的简述,以期在猪饲养过程中更加有效的使用酶制剂提供参考。     

Hg3In2Te6晶体欧姆接触及电学特性

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Tes)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进行了分析,结果表明...     

黑曲霉SS-A-52液体发酵生产果胶酶培养基优化的研究

采用一株产果胶酶的黑曲霉菌种SS-A-52进行了液体发酵生产果胶酶的培养基优化,研究结果表明:在初始pH5.4、培养温度28℃-30℃的条件下,最佳培养基组成为:3%的桔皮粉,2%的麸皮,0.35%硫铵,0.2%的碳酸钙及少量的营养液。其产果胶酶活力可这10.46万μ/ml,通过尝试过程分批补料工艺,产酶达18.59万μ/ml。     

康宁木霉产木聚糖酶条件研究

本文描述了康宁木霉SK-47产木聚糖酶的最佳培养基组成:玉米芯粉4%、麸皮1%、硫酸铵0.25%、磷酸二氢钾0.2%、硫酸镁0.05%、氯化钙0.03%、碳酸钙0.3%、Tween-80 0.02%。以及部分培养条件的优化。     

光照对阳极化InSb探测器性能影响的研究

使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p／n结表面附近的反型层与P型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差。     

300MW机组冷端系统试验研究与性能优化

根据300MW机组冷端系统试验数据,分析了机组通流部分改造前后冷端系统设备运行性能和存在的问题,以及机本体性能与冷端系统性能匹配问题。对单体冷端设备进行了改造和性能优化,凝汽器入口加装排汽导流板后,凝汽器压力降低0.371～0.583kPa,端差下降约3.4℃,传热系数提高634.22w/(m2·℃);冷却塔性能优化后,降低了出塔水温;A、B循环水泵改造后,提高了单泵流量,并可灵活调节其运行方式。冷端设备性能优化后,冷端系统整体运行性能提高了,背压约降低1.7kPa,机组煤耗率降低约5.3g/(kW·h)。     

Mg离子注入成结制备InSb光电二极管阵列研究

利用Mg离子注入制备了具有较好性能的128×128元平面结InSb面阵芯片。77K下测得截面积为38μm×38μm的InSb二极管,其典型零偏阻抗为3.5MΩ。对光电流测试结果及计算值进行了分析。提出了估算Mg离子在InSb中注入射程及结深的简化模型,采用这一模型的结深计算值与实测结果相符。     

温差变化对套管变形影响规律研究

套管变形已成为制约页岩油气发展的重要因素,不仅影响了储层开发进程,而且降低了油气井产量。为此,采用数值模拟的方法,通过温压耦合效应对套管应力的影响分析来研究温差变化对套管变形的影响规律。研究结果表明：压裂液注入温度比注入排量对套管应力的影响程度更高;在不同水泥环形态下,当管壁处水泥环出现缺失时,温降引起的套管应力增幅(30 MPa以下)较小,而其他部位在水泥环缺失或水泥环完整的情况下,应力增幅(70～90 MPa)较大,这种现象最终导致套管应力对水泥环形态的敏感度降低;压裂时温度影响套管应力的主要方式是套管内的热应力。所得结论可为页岩油气井现场施工中套管变形问题的分析提供理论指导。     

两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究

低频噪声的测量和分析已成为红外探测器性能和可靠性评估的一种重要手段.制备了聚酰亚胺单层钝化和硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化两种结构InGaAs探测器,测试了不同偏压或不同温度下器件的低频噪声谱,讨论了偏压和温度对InGaAs探测器低频噪声的影响.随着偏压的增加,噪声增大,拐点向低频方向移动,并且低频噪声随温度降低而减小.认为硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化器件相对聚酰亚胺单层钝化器件相同偏压或温度下噪声较小,拐点低.因为硫化处理和ZnS层增强了钝化效果,器件的表面漏电流明显减小,因而大大降低了器件的低频噪声.