基于增强粒神经网络的人脸识别算法

针对非限条件下人脸识别准确率较低的问题,提出一种基于粒神经网络（MNN）与遗传算法优化的人脸识别算法。对人脸库进行初始化分析决定每个粒子中人脸的分布,将同一复杂度级别的数据分为一组;将人脸分为额头、眼睛与嘴三个部分,粒神经网络采用不同数量的数据点对面部子区域进行训练,获得多个训练结果;设计了一种多级的遗传算法对粒神经网络进行优化。基于两组公开人脸数据库的对比实验结果表明,该算法的识别准确率优于其他人脸识别算法。     

广域企业内部网的构建

随着企业规模地不断扩大,带来了企业员工培训费用逐步增加、安排培训不便等系列问题。 文章提出了一种运用现代无线通信技术构建广域企业内部网络的方案,分别利用通用分组无线业务 (GPRS)的虚拟专用网(VPN)隧道技术在外地接入企业内部网、利用本地微波分布系统(LMDS) 技术连接同一城市总部与分部,以及利用无线局域网(WLAN)覆盖总部的热点地区,实现了广域企 业内部网的无缝覆盖,并可同时在企业的总部和各个分部进行员工的培训,降低了培训成本,可为大 规模企业的内部网建设提供一定的参考。     

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.     

高频脉冲智能充电器的设计与试验

随着电动自行车的日益普及,充电器的性能更有待完善和发展。本文研究的充电器为36V铅酸蓄电池专用智能脉冲充电器,由高频开关充电电源和单片机两部分组成,整个充电过程中的预充电、快充电、补充充电、涓流充电和停充等五个状态是由单片机控制而自动实现转换,并且设置了温度补偿控制,不仅完善了充电器的性能,而且避免电池出现过充和充电不足现象。     

大豆膨胀素GmEXPA4基因的克隆及表达分析

根据植物膨胀素基因保守区设计简并引物,以大豆矮化突变体HK808幼芽的cDNA为模板,克隆到530bp的膨胀素基因保守区片段,并结合RACE技术克隆得到膨胀素基因全长序列,将其命名为GmEXPA4基因。生物信息学分析结果表明,该基因属于膨胀素中的α-expansin亚家族。GmEXPA4基因的实时荧光定量相对表达分析表明,该基因在东农42及其矮化突变体HK808中的各个时期都有表达,且与植物的生长量密切相关。     

软胶囊缺陷检测与丸形分级的最小二乘椭圆法

针对软胶囊实时缺陷检测与丸形分级问题,提出一种基于远心视觉的椭圆度测量方法及其系统。以最小二乘椭圆作为评定基准,用被测轮廓的最小外接椭圆和最大内接椭圆的通径定义椭圆度误差,建立了椭圆度评定的最小二乘数学模型;建立胶囊缺陷与丸形分级的远心视觉检测系统,给出胶囊缺陷与丸形分级的检测流程;以某药企的保健药丸为对象,开展胶囊缺陷与丸形分级的视觉检测实验。结果表明：合理设定阈值,丸形分级检测的准确率可达100%;单颗胶囊的检测用时0.712 s。通过开发并行处理算法,缩短耗时、提高效率,该椭圆度误差评定方法及远心视觉系统可用于胶囊缺陷与丸形分级的实时检测。     

基于 ＧＰＳ的公交车智能报站系统设计

设计了一种基于ＳＴＣ８９Ｃ５２单片机和 ＧＰＳ的智能公交报站系统。该报站系统无需关注车辆的行驶方向,将公交车往返线路上的全部站点信息以单向循环列表的方式存储在单片机中,并通过全局站点搜索进行公交站点的匹配计算。完成了系统硬件电路的设计和控制程序的编写,并制作了实物。经验证,该系统能实现全自动进出站预报和显示,并且在车辆发生掉头或跨站时也可实现精准的站点判定。     

基于区块链电网现场作业安全防护技术的研究

为保证电网现场作业安全防护完备、可控,满足目前人们对电网现场作业安全防护的要求,详细分析和探讨了现行电网现场安全管理存在的电力设备监管不力、现场作业监控不严的问题。利用区块链网络数据技术,探索新型电网现场作业安全防护技术。通过电力设备监管、现场作业监控、电网数据风险评估这3方面的比较,分析现行系统下电网现场安全管理的痛点。风险评估结果显示,增加数据存储链条后,区块链数据被篡改的风险概率在5%以下。当区块数大于等于20时,防范数据篡改失败的风险概率低于0.3%。仿真试验结果表明,区块链技术的防范系统可有效检测现场作业风险系数,对电企现场安全生产具有积极、有效的现实指导意义。     

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.     

晶片双面磨抛压力控制系统的研究

晶片双面磨抛设备主要用于双面磨抛晶片,其压力控制的精度、速度以及稳定性是影响晶片磨抛质量和磨抛效率的关键性指标,为了满足双面磨抛设备对压力的控制要求,设计了闭环压力控制系统,通过动态调整控制参数实现了对压力的精确控制.