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在Si衬底表面,利用高温氧化获得了厚度小于0nm的SiO2超薄层,经过进一步的快速热氮化制备出氯化SiO2超薄层通过光电子能谱(XPS)和表面荷电能谱(SCS)的测试分析,研究了氮化SiO2超薄层中N的分布以及SiO2超薄层/Si界面态密度(Dit)的变化,结果表明:快速热氨化引入的大部分N积聚在SiO2/Si的界面附近,能够用一个双层氮化模型解释;快速热氨化使得Dit变小.同时,还发现较小的Dit对应较大的击穿场强. 相似文献
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