纳米器件单粒子瞬态仿真研究

利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28 nm体硅器件的单粒子瞬态（SET）效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响。随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小。与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著。仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面。     

生姜提取物/虾青素复配液对冷鲜牛肉保鲜效果的影响

探讨生姜提取物（ginger extract,GE）和虾青素（astaxanthin,AT）复配保鲜液对4±1℃冷藏条件贮藏14d牛肉品质和保质期的影响。将试验随机分成五组：CK组、AT组、0.25%GE-AT组、0.50%GE-AT组和0.75%GE-AT组,以感官特征、理化指标、微生物指标等方面来评价其保鲜效果。研究表明：保鲜液处理组感官评分、颜色等指标均明显优于CK组,GE-AT复合涂膜能显著延缓冷鲜牛肉pH、汁液流失率、TBARS值、TVB-N值及菌落总数的上升,可有效抑制微生物的生长繁殖,从而降低牛肉腐败变质速度。与CK组相比,GE-AT组复配保鲜液可将牛肉的货架期延长4～5d,且GE-AT复配保鲜液处理组优于单独AT保鲜液处理效果,且0.50%GE-AT复配保鲜液保鲜效果最佳。     

工业打磨机器人在轧钢平整机上的设计应用

为实现轧钢平整机钢辊的自动化打磨,结合实际打磨工作情况,研究并设计了一种基于PLC与工业机器人的打磨工作站控制系统。该控制系统以ABB工业机器人和西门子PLC为核心,对工作站控制系统硬件和程序进行了设计。根据现场生产测试结果表明,该系统工作站能自动完成平整机钢辊打磨任务,系统整体运行状态良好,工作速度稳定,可有效替换人工在线打磨工序,实现平整机钢辊表面打磨自动化。     

悬挂式接管焊接机器人机电系统

针对接管相贯线处的焊接特点,研发了悬挂式接管焊接机器人,介绍了机械结构特点和适用性.控制系统采用工业PC作为主控计算机和PMAC多轴控制卡进行多轴控制,利用二级控制结构实现作业管理,协调各轴运动完成焊接作业.进行了在筒体上外接管和内接管的焊接试验与在椭球体上外接管与内接管的焊接试验.结果表明,机器人的机械本体结构和控制系统能够实现多种接管的焊接需求,能够很好地完成接管相贯线处的焊接,提高了工作效率和焊接质量.     

消隐的别墅 紫山住宅

<正>紫山住宅是位于韩国Youngin广桥山区的一处私人住宅,由韩国金孝晚建筑事务所设计。住宅坐落于广桥常绿山区的一片自然绿地之中,位于山区的入口位置,周     

SAR测雨反演算法MREA的研究

介绍了利用X-SAR的归一化雷达散射截面(NRCS)来反演地表降雨量的算法:改进型回归经验算法(MREA),依据测雨反演算法的基本原理,重点分析了MREA算法的理论依据,对于矩形降雨分布在地表降雨量R=50 mm/h和R=100 mm/h的条件下用MREA算法进行反演,指出了NRCS随x轴坐标不断变化这一导致MREA算...     

桑蚕茧的荧光色,结构和性能研究

应用多种研究方法,系统探讨了桑蚕茧的荧光特性、不同荧光色蚕茧的丝蛋白结构和性能的异同点;并且发现,由于荧光性物质不同所引起的茧丝蛋白高次结构不同,从而形成了不同荧光色茧的性能差异。     

60 GHz超高速无线网络接入机制研究

首先介绍了工作在60 GHz频段、支持1 Gbit/s以上数据速率的IEEE 802.15.3c标准和IEEE 802.11ad标准草案规定的无线接入机制的基本原理,然后对它们的特点和性能进行了详细的对比分析。研究结果显示:2种无线接入机制都采用了TDMA+CSMA/CA的混合机制,但各有所长;IEEE 802.11ad接入机制兼容性更好,能达到更高的数据速率,然而原理更复杂;IEEE 802.15.3c接入机制实现相对简单,同样也能达到Gbit/s级别的数据速率。最后,对全文进行总结并指出了未来的研究方向。     

低用量耐盐滑溜水体系研究

为实现成本控制并有效节约水资源,对滑溜水体系的各项性能提出了更高的要求。以减阻剂CT2-7为主剂构筑的滑溜水体系在减阻剂加量为0.025%时,降阻率为71.43%。在Na^(+)浓度为6×10^(4)mg/L,Ca^(2+)浓度为7.5×10^(2)mg/L时,降阻率大于70%,耐盐性能良好,能够利用返排液进行配液,实现返排液回用。在120℃下剪切5400s,体系黏度上升,表现出剪切增稠,证明该滑溜水体系具有良好的耐温耐剪切性能。所构筑的滑溜水体系能够显示低用量耐盐减阻,具有良好的应用前景。     

GeSi／Si应变超晶格退火及离子注入研究

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格不适应做过多的热处理．同时测定Ｐｄ＋注入在ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格的杂质能级为ＥＣ＝０．２８ｅＶ，与体Ｓｉ中的Ｐｄ杂质能级一致．