全文获取类型
收费全文 | 7734篇 |
免费 | 475篇 |
国内免费 | 398篇 |
专业分类
电工技术 | 508篇 |
综合类 | 619篇 |
化学工业 | 993篇 |
金属工艺 | 548篇 |
机械仪表 | 520篇 |
建筑科学 | 666篇 |
矿业工程 | 498篇 |
能源动力 | 138篇 |
轻工业 | 768篇 |
水利工程 | 475篇 |
石油天然气 | 304篇 |
武器工业 | 68篇 |
无线电 | 646篇 |
一般工业技术 | 521篇 |
冶金工业 | 445篇 |
原子能技术 | 61篇 |
自动化技术 | 829篇 |
出版年
2024年 | 75篇 |
2023年 | 218篇 |
2022年 | 272篇 |
2021年 | 280篇 |
2020年 | 234篇 |
2019年 | 261篇 |
2018年 | 230篇 |
2017年 | 128篇 |
2016年 | 144篇 |
2015年 | 179篇 |
2014年 | 413篇 |
2013年 | 339篇 |
2012年 | 396篇 |
2011年 | 463篇 |
2010年 | 410篇 |
2009年 | 411篇 |
2008年 | 371篇 |
2007年 | 377篇 |
2006年 | 409篇 |
2005年 | 312篇 |
2004年 | 286篇 |
2003年 | 287篇 |
2002年 | 236篇 |
2001年 | 219篇 |
2000年 | 176篇 |
1999年 | 140篇 |
1998年 | 102篇 |
1997年 | 124篇 |
1996年 | 122篇 |
1995年 | 135篇 |
1994年 | 120篇 |
1993年 | 79篇 |
1992年 | 76篇 |
1991年 | 86篇 |
1990年 | 84篇 |
1989年 | 68篇 |
1988年 | 45篇 |
1987年 | 45篇 |
1986年 | 39篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 32篇 |
1983年 | 30篇 |
1982年 | 26篇 |
1981年 | 27篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 18篇 |
1978年 | 10篇 |
1977年 | 3篇 |
1976年 | 3篇 |
1955年 | 3篇 |
排序方式: 共有8607条查询结果,搜索用时 8 毫秒
81.
82.
83.
利用有限元方法对不同几何尺寸及变形参数下的某深基坑支护桩受力及变形特性进行了数值模拟,分析得出了深基坑开挖和支护过程中支护桩几何参数对该工程开挖变形的影响程度和灵敏性。最终确定了影响深基坑开挖与支护过程支护桩的主要设计参数,为同类地质条件下的相似基坑工程支护桩设计提供了参考的依据。 相似文献
84.
85.
86.
Suessen公司的产品介绍SomeProductsofSuessen¥//一、Suessen高性能纺纱部件是新型环锭纺纱机必不可少的组成部分,是促进现有环锭纺纱机现代化的有力武器1SuessenHP型牵伸装置HP型牵伸装置可改善纱线的不匀率,其原因... 相似文献
87.
Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization. oindent 相似文献
88.
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。 相似文献
89.
90.