X射线线阵列探测器数字图像的非均匀性原因分析

在论述X射线线阵列探测器辐射数字成像系统的基础上，对X射线线阵列探测器辐射数字成像系统获取的图像的非均匀性产生机理进行了理论分析，并在理论分析基础上从测量和校正的角度对各种非均匀性产生因素进行了分类，以便对图像的非均匀性校正的方法及减小图像非均匀性产生的技术途径。     

NaI(Tl)闪烁探测器性能随温度变化实验

采用高低温试验方法探究了温度变化对NaI(Tl)闪烁探测器性能及能谱测量的影响,观察能谱并以常温25 °C为基准,计算137Cs的0.662 MeV、60Co源1.173 MeV,1.332 MeV特征峰位道址、γ射线全能峰计数率、能量分辨率在25 °C下相对变化值。结果为：137Cs的0.662 MeV、60Co源1.173 MeV, 1.332 MeV特征峰位道址在0 °C~20 °C范围内基本保持一致,在20 °C~45 °C范围内随温度升高逐渐降低;0.662 MeV和1.173 MeV全能峰计数率随温度变化分别在±5.19%和±4.48%范围内保持一致;3个对应能量分辨率分别在±4.3%范围内随温度变化保持一致。可看出利用γ源作为稳峰源是可行的。     

基于TMS320LF24系列DSP的核子计联合功能教学仪的设计

提出了针对实验室核子计（包括料位计、密度计、厚度计）实验的核子计联合功能教学仪设计方案，阐述分为硬件设计和软件设计两部分。硬件设计方案包括系统硬件组成以及基于TMS320LF24系列DSP的信号处理单元的电路原理设计，它涉及电源转换、时钟和复位、液晶显示模块和PC串行接口模块，信号处理单元采用DSP芯片，提高了数据采集处理速度；软件设计方案采用模块化的设计思想，给出了主程序的流程图及数据处理的相关说明。     

一种用CPLD和单片机实现的多道脉冲幅度分析器

介绍了一种用CPLD和单片机实现的带有USB接口的功能强大的多道脉冲幅度分析器。CPLD主要负责完成整个谱数据的获取和存储,单片机负责谱数据的传输、稳峰、高压显示和控制等。     

13N监测仪的稳谱技术研究

本文论述了13N监测仪中的谱漂移和稳谱问题,给出了实验测量方法及测量原理框图,并对谱仪系统的能量与温度的非线性关系进行了测量;采用非线性方法稳谱,温度在10-45℃范围内变化时,511keVγ光子的峰位道址漂移小于±1道.     

一种电离室型探测装置的深化维修研究

简述了一种电离室型探测装置的基本组成,介绍了电离室型探测器的维护要点,介绍了前放电路的工作原理及电路分析,介绍了故障排除后的探测装置进行电路调整的理论计算和现场验证结果。该项研究提供了此类探测装置的深化维修思路和方法,对维护人员具有一定的实用价值。     

新型放射性气溶胶总β测量组合探测器设计

安全壳内放射性气溶胶总β测量为壳内污染情况及一回路系统承压边界有无破坏、泄漏提供判断依据。对β射线敏感的塑料闪烁体对γ也敏感,γ本底扣除是总β测量中的难题。新型组合探测器用塑料闪烁体作为总β测量主探测元件,BGO作为γ测量从探测元件。根据两种闪烁体光衰减时间差可实现它们各自输出信号的甄别与计数,参照BGO中产生的脉冲计数扣除塑料闪烁体中γ本底。本工作推导出探测器中两种闪烁体对γ绝对探测效率的计算公式,用蒙特卡罗方法模拟,确定γ分别在BGO与塑料闪烁体中引起脉冲数的比例。结果表明,该组合探测器能使γ本底降低约1个数量级。     

基于GSM的温湿度远程监控系统设计

针对温湿度数据远程有线传输方式布线难、成本高等不足,提出一种采用GSM无线网络进行数据传送的温湿度数据采集远程监控系统。该系统包括温湿度数据采集终端软硬件设计以及监控系统通信终端软件的具体实现。实验结果表明,该系统总体方案结构合理,软硬件设计切实可行,具有灵活的扩充性和伸缩性,能够满足温湿度数据采集远程监控的实际需要。     

基于X荧光涂层厚度测量的试验研究

涂层厚度的控制至关重要,如果涂层厚度没有达到设计标准,对产品性能影响很大。利用实验室仪器搭建起一套涂层测厚试验平台,本试验中以铜、铁作为试验样品,用油漆作为涂层。利用射线穿过物质时的指数衰减规律I=I0e-μx,用不同涂层厚度的标准样品进行标定以后,作出工作曲线;测量铜、铁两种基底上的涂层厚度,在涂层厚度介于0.01 g/cm2-0.06 g/cm2的范围内,相关系数分别为0.992和0.995,表明此测厚方法是可行的。     

PET核孔膜蚀刻速率影响因素的研究

核孔膜是通过重离子照射薄膜后进行化学蚀刻所得到的高性能过滤材料,蚀刻速率是影响高质量核孔膜制备的重要因素。本文探讨了不同蚀刻液浓度、温度以及重离子辐照能量对蚀刻速率的影响。利用140 MeV的32S离子在室温和真空条件下对4层堆叠的PET(polyethylene terephthalate)薄膜进行了辐照。在对辐照样品进行化学蚀刻期间采用电导法确定了径迹蚀刻速率Vt。结果表明:蚀刻速率与蚀刻温度呈指数相关,随蚀刻液浓度增加而线性增大;径迹蚀刻速率随能量损失率(离子能损)增大。研究确定,在入射32S能量为1.6 MeV·u-1时,NaOH浓度为1mol·L-1、蚀刻温度为85°C时最有利于形成圆柱形微孔。