考虑频变参数的高压直流输电线路距离保护

提出了一种基于频变参数模型的高压直流输电线路距离保护方法。该方法的主要原理是将线路的频变参数特性用补偿矩阵表征,从而将频变参数模型传输矩阵分解为理想分布参数模型传输矩阵与补偿矩阵的级联,并在实际应用中将该补偿矩阵用有限冲激响应(FIR)滤波器实现。在此基础上,用保护安装处的电压电流准确地计算保护整定点处的电压电流;然后,以整定点为观测点,通过解时域微分方程求得故障距离。所述算法提高了直流线路末端故障的测距精度,容易在时域实现且动作快速,显著改善了高压直流输电线路距离保护的动作性能。     

输电线路综合阻抗纵联保护新原理

提出了一种基于综合阻抗的纵联线路保护新原理。利用故障时线路两端电压相量和与电流相量和的比值,来判断线路上是否发生故障。在外部故障时,该比值反映输电线路上的容抗,其虚部为一个绝对值较大的负数;内部故障时,其虚部为正数或为绝对值较小的负数,据此可以区分线路上的内部和外部故障。新原理易整定,本身具有选相能力,不受电容电流的影响,可用于带或不带电抗器补偿的线路,抗过渡电阻能力强。EMTP仿真和动模数据验证了新原理的有效性。     

铍材在高温时的冲击性能初探

参考GB／T229—1994的方法,在普通冲击实验机上,研究铍材在室温到450℃时的冲击性能,并使用电子探针观察冲击断口的表面形貌．试验发现,铍材冲击韧性随温度的变化无很明显变化,冲击性能稳定,无脆韧转变温度点出现,高温冲击断裂机理主要以准解理断裂为主;不同的是随温度升高,撕裂棱也不断增多,但没有明显韧窝出现．     

超高压线路后备保护整定原则探讨

通过一起线路保护拒动造成330kV变电站全站失压事件的分析,指出在微机保护主、后一体化配置情况下,当线路发生故障而由于装置自身或相关设备原因造成主保护拒动时,装置内的后备保护也难以可靠出口,只能依靠相邻线路的后备保护切除故障。在采用近后备方式条件下,相邻线路保护会由于灵敏度不足而无法可靠动作,从而导致事故范围进一步扩大。为此,提出超高压线路保护可采用近后备与远后备相结合的方式,距离Ⅲ段主要作为相邻线路故障的后备保护,应对相邻线路故障有灵敏度。详细介绍了距离Ⅲ段的整定计算原则,并分析了应用中需注意的问题。所提方法提升了线路保护保障电网安全稳定运行的能力。     

铍材温轧过程中显微组织和织构演变规律的研究

采用电子背散射衍射技术(EBSD)对热压烧结铍锭在温轧过程中的显微组织和织构演变规律进行了研究。结果表明,温轧过程中的主要变形机制为滑移;随着轧制变形量的增加,晶粒逐渐拉长细化;在压下量为37.9%时,轧制铍板中的基面织构达到最大值,此后继续增加压下量,铍材内织构、晶粒尺寸及显微硬度均不再发生明显变化;铍材轧制中或轧制后都需要进行退火,退火工艺对铍板的基面织构有一定的弱化作用,可改善板材的内部组织结构,提高轧制性能。     

西北330 kV线路弱电强磁问题的分析及采取的措施

分析了一起发生在西北330 kV线路中由线间零序互感影响而导致的纵联零序方向保护误动事件。分别从理论和定量的不同角度,深入分析了网络结构和纵联零序方向保护误动之间的联系,总结了双回线不同运行情况下纵联零序方向保护的动作行为,指出弱电强磁的网络联系是保护误动的原因,两侧零序电压反相是保护误动的必要条件。针对这种弱电强磁问题,提出采用基于故障类型的零序方向元件替代零序方向元件的解决措施,录波数据的分析结果证明了这种方法的有效性和准确性。     

被逼的“高碳”生活

最能决定你我是高碳还是低炭生活的,是公共产品、公共服务的提供者和僻理者,面非你一闪面过的善念。     

高导电特种粉体材料及导电涂料研究

采用快速凝固雾化技术制备Cu-Ag(质量分数为10%～30%)系列超细铜银合金粉末,再结合化学镀的方法制备了Ag/Cu-Ag包覆粉末.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及电阻测量等方法对粉末及涂料性能进行表征,检测了涂料的表面电阻、电阻率等.结果表明:银包覆超细铜银合金粉末为球形和近球形、表面致密、镀银层均匀,制作的导电涂料表现出优异的导电性能;并且随着银质量分数的增加,涂料的表面电阻和电阻率减小,趋近于纯银涂料.银包覆超细铜银合金粉末既克服了铜粉易氧化的缺陷,又解决了银粉价格高等问题.还对导电涂料的导电机理、影响因素及应用领域进行了分析和说明.     

硅钼蓝分光光度法测定高铍铍铝合金中硅

高铍铍铝合金中的杂质元素硅对高铍铍铝合金热等静压、精密铸造及耐腐蚀性能影响较大,需要对其含量进行严格控制,所以测定高铍铍铝合金中的硅具有重要意义。采用硫酸(1+1)、硝酸和氢氟酸于水浴条件下溶解试样,用硼酸掩蔽剩余氟离子,在0.10~0.15mol/L硫硝混酸介质下,钼酸铵与硅反应生成硅钼黄杂多酸,稳定20min后,用草酸掩蔽铁离子,同时加入抗坏血酸将硅钼黄还原成硅钼蓝,放置10min,于波长820nm处采用分光光度法进行测定,实现了硅钼蓝分光光度法对高铍铍铝合金(铍的质量分数为60%~70%)中硅的测定。在优化的实验条件下,试液中硅质量在10~60μg范围内与其对应的吸光度呈良好的线性关系,相关系数为1.000,方法中硅的检出限和测定下限分别为0.0021%(质量分数,下同)和0.0071%。按照实验方法测定60BeAl和70BeAl两个高铍铍铝合金试样中硅含量,测得结果的相对标准偏差(RSD,n=8)为2.9%~3.4%。将实验方法用于测定高铍铍铝合金实际试样中硅含量,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)相吻合。     

铍室温变形过程中的孪生及织构演变

利用万能试验机在室温下对等静压铍材进行不同应变量的压缩试验,并采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术分析了铍材的孪生形成情况和织构演变。结果表明:铍在室温压缩变形时只发生{1012}拉伸孪生,在拉伸孪生的演变过程中,孪生萌生和长大过程对晶粒发生大角度转变和新织构{0001}的形成有着很大的促进作用;孪生后期对铍滑移变形的协调作用减少,单轴压缩力偶对新织构{0001}的形成也起着重要作用。