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41.
以往模拟滤波器的设计,需要经过人工多次修改、计算和调试。提出一种模拟跨导滤波器的硬件进化结构及多目标并行进化的设计方法。应用一种基于渗透原理迁移策略的多目标并行遗传算法,实现跨导滤波器的参数优化。对多目标并行遗传算法的遗传操作进行了改进,构造了适合滤波器参数进化的多目标适应度函数。在高[Q]值的跨导滤波器的设计中,采用级联法构成的四阶带通跨导滤波器能够满足其在阻带、通带以及过渡带方面的性能要求,对其实效性进行了仿真和验证,进化的参数数值与理论结果符合得非常好。  相似文献   
42.
以往的滤波器一旦结构固定后是不能改变其自身参数的,而进化型模拟状态变量滤波器能够随着外界环境的变化实时地改变自身的技术参数指标。给出该滤波器的硬件结构,介绍了该进化型硬件的基本工作原理。运用一种改进的多目标自适应遗传算法,实现进化型状态变量滤波器参数优化。采用级联法所构成的高[Q]值四阶状态变量滤波器能够满足其在阻带、通带以及过渡带方面的性能要求,对其实效性进行了仿真和验证,进化的参数值符合理论结果,仿真的结果令人满意。  相似文献   
43.
常规粉末压片制样是一种简单、高效的绿色环保制样技术,但是应用于富钴结壳样品制备存在样片表面粗糙和粉末容易脱落的问题.实验探索了高压压片制样技术在富钴结壳样品制备中的应用,建立了X射线荧光光谱法(XRF)分析富钴结壳样品中Na2O、MgO、Al2O3、SiO2、P2 O5、K2O、CaO、TiO2、Mn、Fe、Co、Ni...  相似文献   
44.
李强  张学华 《冶金分析》2014,34(1):28-33
应用台式X射线荧光光谱仪结合压片法制样现场快速测定太平洋多金属结核和富钴结壳样品中的氧化钠、氧化镁、三氧化二铝、二氧化硅、五氧化二磷、氧化钾、氧化钙、二氧化钛、硫、氯、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钒、锶、锆、钡、铈和钇等组分。采用国家标准物质、以国家标准物质为基体制备的校准样品和定值富钴结壳样品绘制校准曲线, 解决了相关标准样品不足的问题。对22个组分的测量条件进行优化, 并通过经验系数法校正了主要成分二氧化硅、氧化钙、铁和锰的干扰。方法的检出限在10.5~733 μg/g。精密度试验结果表明, 各组分测定值的相对标准偏差(RSD, n=7)在0.56%~7.7%之间。方法用于实际样品分析, 分析结果与实验室内其他方法的结果吻合, 能够满足野外现场多种组分同时快速分析的要求。  相似文献   
45.
1959年全国各地电力建设单位,在制造厂的大力配合协作下,安装了不少国产设备,取得很大成绩。1960年全国将要安装更多的国产设备,本刊本期特选登几篇国产汽机的安装经验,以期各单位迅速掌握和提高国产设备的安装技术。同时要求安装过国产设备的单位,积极总结安装汽机和锅炉的经验教训,及时在本刊上交流,以取长补短,共同提高。  相似文献   
46.
介绍了 5 0 0kV交联聚乙烯电缆设计、生产、试验等 ,包括分割导体形式选择 ,绝缘厚度计算与确定 ,外护层的选形以及产品的性能指标  相似文献   
47.
介绍了电机全复式定子冲片和转子圆片一次冲压成型的落料工艺,通过阶梯冲实现定子内外圆、定子槽型、转子内外圆的分离。该工艺关键点在于转子凸凹模,其既是刃口又是卸料板,全部采用模具钢制造。整个冲裁过程仅需一道工序即可完成,生产效率大幅提高,节省了人力,降低了生产成本,提高了定子冲片精度。  相似文献   
48.
王君玉  陈静  张学华  陈浩凤 《黄金》2006,27(12):60-62
文中介绍了矿石样品中Au、Pt、Pd、Rh、Ir的连续测定方法,并讨论了测定每种元素分析条件和注意事项。经过国家一级标准物质和多次样品检验,该方法可靠,易于操作。  相似文献   
49.
珊瑚礁样品中SiO2、Al2O3、Fe2O3、Na2O、K2O、MnO、TiO2和P2O5等低含量组分的测试通常需要采用不同的方法和仪器,难以满足批量样品测试的需求。实验以Li2B4O7-LiBO2-LiF为熔剂,采用高温熔融制样,建立X射线荧光光谱法(XRF)测定珊瑚礁样品中SiO2、Al2O3、Fe2O3、MgO、CaO、Na2O、K2O、MnO、TiO2、P2O5、SO3、Sr、Zr、Ba和Cr含量的方法。对熔融制样条件进行了优化,其中脱模剂LiBr饱和溶液最佳用量为150 μL。选取岩石、碳酸盐岩石、水系沉积物国家标准物质以及在标准物质中加入Sr标准溶液的方式建立校准样品系列,Sr和Zr采用经验系数法和康普顿散射线内标法校正基体效应,其他组分采用理论α系数校正基体效应,有效克服了基体效应的影响。结果表明,各组分测定值的相对标准偏差(RSD,n=7)为0.25%~19.5%。方法用于珊瑚礁实际样品分析,其分析结果与采用化学湿法的测定结果吻合,各组分的相对误差绝对值为0~28.86%。  相似文献   
50.
电子束蒸发及氧化制备SnO2气敏薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
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