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551.
基于0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种全集成的接收信号强度指示计(RSSI)电路.该电路片内集成了限幅放大器,全波整流器,失调减法器,直流失调提取电路和输出缓冲器.该RSSI电路提供放大后的中频输出以及指示输入信号强度的RSSI电压输出.通过在直流失调提取电路中应用微电流偏置的跨导放大器,大幅减小了版图面积,提高了集成度,降低了成本.这种RSSI电路不仅适合低中频接收机,尤其适合于零中频应用.测试结果表明,电路实现了55dB的输入线性检测范围,同时占用版图面积为0.033mm2,功耗为3.1mA.  相似文献   
552.
设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。设计旨在选择合适的输入晶体管,以免除输入电感的使用,减小芯片的面积。经过优化设计,芯片尺寸为0.8 mm×0.8 mm。测试结果表明,放大器在3.4~3.6 GHz频段内实现了1.1 dB的噪声系数以及25.8 dB的小信号增益,带内回波损耗最大值为-16.5 dB。在回波损耗小于-10 dB的范围内,电路带宽拓展到2.8~4.7 GHz,此时增益最小值为20 dB,噪声最大值为1.3 dB。  相似文献   
553.
第十四届中国国际机床展览会,于4月20日-25日在北京举办,本届展会的主题是“新常态·新发展”,该主题准确、鲜明地反映了我国机床工具产业和产业市场的时代特征,新常态下的中国经济,已然告别了过去几十年的高速增长,步入了更加注重追求质量和效益的时代,这也是一个中国经济前所未有的时代,机遇和挑战并存.  相似文献   
554.
坂歧肠杆菌感染与婴儿配方奶粉   总被引:2,自引:0,他引:2  
坂歧肠杆菌,以前被称为“产黄色素阴沟肠杆菌”,1980年冠以此名。全世界由坂歧肠杆菌引起的脑膜炎、败血症、坏死性小肠结肠炎的报告不断增多。大多数病例发生婴幼儿,在一些情况下病死率达80%。虽然坂歧肠杆菌的传染源不很清楚,但婴儿配方奶粉起到了传播媒介的作用。控制配方粉的配制、处置和使用可降低坂歧杆菌的感染率。  相似文献   
555.
本文分别采用常规法和mini VIDAS法结合VITEK诊断,使判读更加客观,缩短了检验流程。  相似文献   
556.
通风空调系统风管中的聚集物可以引发火灾,并且风管的存在成为火灾在建筑物内蔓延的重要途径之一。为研究风管中聚集物燃烧过程的温度变化情况。利用火灾动态模拟软件FDS对其进行模拟研究,结果显示风管内的通风风速、风管断面尺寸和聚集物的燃点对燃烧时的最高温度具有较大的影响,相比之下聚集物的堆积厚度对燃烧时的最高温度影响较小,但堆...  相似文献   
557.
引 言 山楂,又名红果、山里红,属蔷薇科山楂属,为我国所特有。山楂中含有丰富的有机酸、维生素C、果胶及多种微量元素和矿物质。山楂具有开胃健脾、消积化食的功能,特别是其所含的黄酮类物质和三萜酸,对人体可起到降血压、降血脂、增大心脏血流量等作用,被卫生部列为既是食品又是药品的果品之一。  相似文献   
558.
宜宾酒文化主题旅游的“内生式”营销初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
酒文化的主题旅游在国内可以说刚刚起步,实践案例较多,但理论研究很少,缺少对这一新兴旅游现象内在机制的深入探索,而且国人对酒自古以来争议不断,如何认识当前酒文化的发展趋势,发展酒文化旅游带动酒产业、社会饮酒风气的升级是一个亟须解决的课题。简要分析了旅游目的地营销的研究概况,提出酒文化旅游目的地"内生式"营销的基本内涵。在此基础上,以中国白酒金三角核心区、中国白酒之都宜宾为研究对象,分析其开展"内生式"营销的必要性、可行性及实施的一些基本途径,试图为宜宾酒文化旅游营销提供一种新的参考,也对国内有意打造或正在打造酒文化旅游的城市提供借鉴。  相似文献   
559.
随着科技日新月异地发展,飞机电源系统由低压直流电源系统向交流电源系统、高压直流电源系统转变,用电功率也随着机载设备用电量的增加和航电设备现代化程度的提高而迅猛增大。文章从近几年新型飞机设计定型试飞和新型产品鉴定试飞改装两个方面,研究了在不同型号的飞机上加装不同型号的设备时,飞机改装常用的几种供配电设计方法,并分析了这些方法对飞机自身供配电系统的影响。  相似文献   
560.
一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李海鸥  尹军舰  张海英  和致经  叶甜春   《电子器件》2006,29(1):9-11,109
研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理,并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统(Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au).在n型GaAs样品上实验了在380~460℃合金温度和50~120 s合金时间下形成欧姆接触,在400℃、60 s下典型的欧姆接触值为2.1x10-7Ω·cm2,同时合金后表面形貌光滑、平整.  相似文献   
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