一种用于清理捣固焦炉操作台上落煤的刮板输送机

本实用新型涉及一种用于清理捣固焦炉操作台上落煤的刮板输送机,该装置由托板槽、链条、刮板、链条头轮传动系统和链条尾轮传动系统构成,托板槽由底板、侧板、中间托板构成,由中间托板分隔为上下双层结构,沿焦炉侧纵向布置,链条位于托板槽内,两侧连接链条头轮传动系统和链条尾轮传动系统,     

挖掘装载机工作装置运动特性分析及控制

针对挖掘装载机多路阀阀口流量控制稳定性不够、导致整机工作效率不高的问题,建立多路阀电液比例控制系统模型,实现挖掘装载机多路阀流量智能调控。基于D-H原理实现装载工作装置运动学和动力学分析;运用MATLAB/Simulink建立装载工作装置的机电液耦合仿真模型;设计PID控制算法实现液压多路阀口流量智能控制,提高装载工作装置运动精度和控制效果。仿真结果表明:基于Simulink平台能够准确高效建立复杂系统机电液联合仿真模型,满足铲斗的平移性和装载工作装置定角度运动的要求。     

高质量立方相InGaN的生长

利用LP-MOCVD技术在GaAs(001)衬底上生长了高质量的立方相InGaN外延层.研究了生长速率对hGaN质量的影响,提出一个简单模型解释了在改变TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合,由此推断,在现在的生长条件下,表面单个Ga原子作为临界晶核吸附Ga或In原子实现生长的模型与实际情况较为接近.对于晶体质量的变化也给予了说明.得到的高质量立方相InGaN室温下有很强的发光峰,光致发光峰半高宽为128meV左右.     

立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究

本文通过光致发光（ＰＬ）测试发现了ＮＨ３流量的大小对以ＧａＡｓ（１００）为衬底生长立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体性质的影响的规律,ＮＨ３流量愈少,立方相ＡｌＧａＮ的纯度愈高,而且,其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中,ＮＨ３气流的下游的晶体纯度高于上游,而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件,制备出纯度较高的立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体,并对实验结果进行了简单的讨论     

等离子喷涂Cu-Al2O3梯度涂层与涂层耐磨性分析

利用等离子喷涂法制备了Cu-Al2O3梯度涂层,采用金相显微镜、SEM等手段对涂层进行微观组织结构和磨损后表面形貌分析,用自制销盘式固定磨料磨损试验机,测试了Cu-Al2O3梯度陶瓷涂层的耐磨料磨损性能。结果表明,制备的Cu-Al2O3梯度涂层无明显的组织突变和宏观层间界面,涂层的组织表现出宏观不均匀性和微观连续性分布特征;梯度涂层中当Al2O3含量达到80％时（GC6）,涂层的耐磨性最高,约为基体的3倍,随着Al2O3含量继续增大,纯陶瓷涂层（GC7）的耐磨性有所下降;磨损机制随Al2O3含量增大,由犁沟塑变型转变为脆性断裂、剥落型.     

风电场静止无功补偿装置性能测试分析

针对内蒙古电网风电场不同类型的SVC在运行过程中出现的响应速度不一致、调节范围不统一、控制模式不合理等问题，对3座风电场SVC的Ⅲ特性、响应时间、谐波进行测试分析，研究SVC各性能指标的测试方法，得到SVC运行的实际技术数据。通过测试得出结论：实际运行中的SVC斜率调节范围较理论计算分析的范围有所缩小；采用新技术的MCR型SVC系统响应时间最短；TCR型SVC抑制谐波效果最好，MCR型SVC的滤波效果不明显。     

银纳米材料的应用进展

随着纳米技术的发展,银纳米材料独特的电学、光学、热学、催化及弹性等性能,使其在表面增强拉曼光谱、透明导电薄膜、催化剂、传感器及抗菌杀菌领域展现出广阔的应用前景。立足于近年来国内外银纳米材料的研究现状和热点问题,重点论述了银纳米材料的应用进展,指出了银纳米材料应用中面临的问题并对其未来的发展趋势进行了展望。     

2,4-二氯-5-烷氧基苯肼的合成研究

2，4－二氯－5－烷氧基苯肼是新一代除草剂的中间体，它先由2，4－二氯－5－烷氧基苯胺重氮化，再经Snd2还原而制得，产率在95％以上。     

快中子辐照玉米自交系的细胞学效应及后代变异

为了探索快中子辐照玉米的细胞学效应及后代变异,为玉米种质创新及品种改良提供有益的种质资源,本实验采用低剂量(0.36~4.19 Gy)的快中子辐照玉米自交系LY8405和PH6WC干种子。结果表明:两个自交系根尖细胞有丝分裂指数均随吸收剂量的增加而降低;核畸变率随吸收剂量的增加而升高;吸收剂量4.19Gy对自交系LY8405的M1染色体分裂行为影响效应最为明显,2.48 Gy对自交系PH6WC的M_1染色体分裂行为影响效应次之;辐照M_2、M_3代突变类型包括株型、叶色、穗形、株高、籽粒形状及大小等;生物学和细胞学效应表明,2.48~4.19 Gy的吸收剂量是0.36~4.19 Gy范围内快中子辐照选育玉米突变体的适宜剂量。     

135°伴随粒子法D-T中子产额测量研究

研究了伴随粒子法D-T中子产额测量的各向异性修正因子的计算方法,计算给出了D束流能量20 ～ 600 keV范围135°随粒子法中子产额测量的各向异性修正因子数据,数据的不确定度约为1.4％.在兰州大学Z -300强流中子发生器上建立了135°伴随粒子测量法中子产额测量系统,并进行了实验测试,结果显示,在较长的测量距离下,α粒子多道幅度谱清晰,快中子与Si探测器反应产生的带电粒子的影响可忽略,D-T中子产额测量的不确定度不大于2％.