振动在纸张裁切中的应用研究

一、提出问题 在科学技术领域以及人们的日常生活中,都会遇到各种不同程度的振动问题.振动有利有弊.其有利的一面,如,许多机械设备利用振动产生预期的工作效果,或者提高工作效率等.这类振动机械因其结构简单、效率高、耗能少等优点,已得到了广泛的应用.     

长距离温泉输水管道设计

福州市首次把城市外围的温泉水引入市区,本文简要介绍长距离温泉输水管道设计中一些做法。     

强磁防蜡器工艺改进措施

针对影响强磁防蜡器两个性能指标的关键要素进行分析，设计并制造了专用的模具和采用水浸式焊接新工艺，提高了产品性能，产品质量的稳定性有了可靠的保证，同时加工成本也有较大幅度的下降。     

本钢5号高炉铜冷却壁的设计、安装和应用

本钢5号高炉于2001年进行了改造大修．将2000m^2炉容扩大到2600m^2．在这次大修中引进了PW公司的铜冷却壁．取得了良好的使用效果和显著的经济效益。     

机电一体化设备控制系统的抗干扰措施

针对用单片机控制机电一体化设备必须解决的抗干扰问题,提出了一些对策,旨在提高控制系统的自适应能力,从而做到可靠运行。     

薄膜晶体Si太阳电池的潜力

如果效率和成本这两个“目标”能够达到，薄膜晶体Si太阳电池有可能替代目前在光伏市场上占主导的多晶Si太阳电池。[第一段]     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]