Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(αl)以及密度随Bi2O3含量的变化关系。结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi—O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大。     

含火山灰的致密砂岩储层成岩相及其分布——以鄂尔多斯盆地定北地区上古生界为例

鄂尔多斯盆地定北地区上古生界致密砂岩具备一定的油气勘探潜力,但纵横向上成岩差异较大,且富含火山灰,成岩相及其展布较常规碎屑岩更为复杂。综合运用普通薄片、铸体薄片、扫描电镜、X射线衍射及测井响应等资料,对定北地区上古生界太2段、盒1段含火山灰的致密砂岩储层的成岩作用、成岩演化过程进行研究,划分成岩相类型并厘清成岩相平面展布规律。研究结果表明：(1)研究区储层经历了火山灰蚀变、压实—压溶、胶结、交代、自生矿物充填等对储层不利的成岩作用及溶蚀、破裂等对储层有利的成岩作用。不同火山灰经过成岩作用演化形成不同成岩相类型,进一步影响储层储集性能,其中研究区中—基性火山灰易形成溶蚀相,储集性能较好。(2)综合成岩环境、矿物成分、成岩作用等多因素,依据“成岩环境—岩性—成岩作用”复合因素的成岩相划分标准,划分出5种成岩相：大气淡水塑性颗粒砂岩致密压实相、酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀压实相、酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀蚀变相、酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀相及碱性环境碳酸盐矿物胶结交代相,其中酸性环境可溶颗粒砂岩溶蚀相为有利成岩相。(3)依据各成岩相测井判别特征确定了研究区成岩相分布特征,太2段和盒1段各小层优质成岩...     

AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制

研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点     

在Transputer并行加速器上实现并行的版图参数提取

本文叙述了ＶＬＳＩ ＣＡＤ中版图参数提取并行算法在Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器上的实现。参数提取的并行算法是利用图形运算的区域并行性将版图划分为与处理器数目相等的若干区域，然后并行地在各处理器中完成对应区域的版图参数提取。用保持划分区域内图形向量数相等的方法，使各处理器负载均衡，经计算证实，各处理器负载均衡性较好，大大提高了运行速度。Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器具有优良的性能价格比，在其上实现     

高压差分FET放大器171

高压差分ＦＥＴ放大器１７１龙科慧，梁胜一、主要性能指标和管脚图１７１具有下列主要特性：１．输出电压：土（Ｖ。一１０Ｖ）ｍｉｎ；ＩＶ。１～士１５０Ｖ２．输人阻抗：１０’‘Ｏ３．共模抑制比ＣＭＲＲ：大于１００ｄＢ４．直流偏置：小于工ｍＶ５·最大温度漂移：...     

乙醇基溶胶 凝胶法制备BNKLT无铅压电薄膜

以乙醇作溶剂,氧化物和碳酸盐为原料,利用溶胶 凝胶法制备了Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)TiO3(BNKLT)无铅压电薄膜。通过红外光谱(IR)、同步热分析仪(TG DSC)、X线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等分析了乙醇基溶胶 凝胶法制备BNKLT压电薄膜的工艺参数。结果表明,乙酰丙酮与Ti(OC4H9)4的物质的量比(N)≥1.0时,反应温度40~60 ℃,pH=2.0~2.5,能获得稳定性良好的乙醇基溶胶;采用旋涂法制备的湿膜在600 ℃热处理30 min后,可得表面光亮平整,厚度均一,致密性良好,单一钙钛矿结构的BNKLT无铅压电薄膜。     

钻铤螺纹联接载荷分布规律与疲劳失效

钻铤螺纹联结失效是钻铤失效的主要因素,在整个钻具失效事故中占很大比例。疲劳是导致螺纹联接失效的主要原因。文中从螺纹载荷分布入手,运用有限元软件分析螺纹疲劳失效机理,最后提出预防螺纹先期疲劳失效的措施。     

太赫兹二次谐波回旋振荡器时域多模分析

推导了时域多模公式并结合频域单模理论对394 GHz二次谐波回旋管进行了模式激励及模式互作用分析.当工作电压为15 kV,工作磁场为7.185 T,工作电流为0.25 A时,在频域单模稳态计算中TE_(261-)~2不能起振,工作模式TE_(261+)~2达到稳定振荡;时域多模仿真结果显示TE_(261+)~2和TE_(261-)~2均能在393.87 GH稳定振荡,TE_(261+)~2在最终振荡中占主导地位,其输出功率和效率分别为136.8 W、3.6%,两者获得的工作模式的输出特性完全吻合.     

F2602/GAP/CL-20复合纤维的静电纺丝制备及性能

通过静电纺丝工艺制备了氟橡胶/聚叠氮缩水甘油醚/六硝基六氮杂异伍兹烷(F2602/GAP/CL-20)复合纤维,研究了不同溶液浓度、黏结剂含量、纺丝电压以及注射速率的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)观察其微观形貌,发现在溶液质量浓度为20％、黏结剂F2602/GAP含量为10％、纺丝电压为14 kV、注射速率为5×10-3 L·h-1时,制备的F2602/GAP/CL-20复合纤维呈三维网状结构,表面均匀且光滑.采用X射线衍射(XRD)分析、红外光谱(IR)分析、差示扫描量热仪(DSC)分析以及机械感度测试分析了F2602/GAP/CL-20复合纤维以及原料CL-20的性能.静电纺丝后复合纤维中的CL-20晶型由ε型转变成β型,且静电纺丝过程中CL-20与F2602/GAP未发生化学反应.经静电纺丝后,F2602/GAP/CL-20复合纤维的表观活化能(374.3 kJ·mol-1)比原料CL-20(178 kJ·mol-1)提高了196.3 kJ·mol-1,热稳定性得到提高.F2602/GAP/CL-20复合纤维的撞击感度H50(62.6 cm)比原料CL-20(21.2 cm)提高了41.4 cm,摩擦感度(52％)比原料CL-20(84％)降低了32％,降感效果显著.