“敦煌行”旅游纪念品包装设计

设计说明:本设计是为敦煌旅游纪念品专门打造的包装设计,在产品的造型上进行了系列创意,在细节上优化,采用传统与现代结合的设计手法,采用传统的"飞天"的造型,突出敦煌的特征。在不改变包装的原则上挖掘敦煌地域特色,用新颖的、现代的手法去表达,把传统敦煌元素进行创意化,把传统图案重新组织排列,呈现不一样的敦煌;色彩的系列化、盒型的系列化、图案的系列化等,强烈的系列感表达了系列作品的变化与统一。     

稀土冶炼废水治理研究进展

分析了稀土冶炼废水产生的原因和组成,阐述了国内外治理稀土冶炼废水的主要技术及研究现状,重点介绍了中和法、吹脱法、折点加氯法、沉淀法和液膜法,并指出了各方法的优缺点。     

扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域应用的研究进展

半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景。半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位。扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性。简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测。探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望。     

利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究

提出一种钝化InP表面的新方法湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度,并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光（PL）谱,对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明,通过对样品进行退火处理,可增强In-S键结合强度,进一步降低表面态密度。最后,利用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行表征。     

基于组分调节减小AZO表面等离子体损耗的研究

在蓝宝石衬底上制备了具有不同铝(Al)掺杂浓度的掺铝氧化锌(AZO)薄膜,并对其进行了紫外-可见吸收光谱、霍尔效应、折射率及介电常数测试,研究了Al组分对AZO薄膜的光电、表面等离子体性质的影响。随着Al组分浓度的逐渐增大,AZO薄膜吸收边发生蓝移且吸收强度逐渐减小,光学损耗减小;同时,载流子浓度与迁移率先增大后减小,而电学损耗先减小后增大。     

碳量子点的合成、性质及其应用

碳量子点(CQDs,C-dots or CDs)是一种新型的碳纳米材料,尺寸在10nm以下,具有良好的水溶性、化学惰性、低毒性、易于功能化和抗光漂白性、光稳定性等优异性能,是碳纳米家族中的一颗闪亮的明星。自从2006年[1]报道了碳量子点(CQDs)明亮多彩的发光现象后,世界各地的研究小组开始对CQDs进行了深入的研究。最近几年的研究报道了各种方法制备的CQDs在生物医学、光催化、光电子、传感等领域中都有重要的应用价值。这篇综述主要总结了关于CQDs的最近的发展,介绍了CQDs的合成方法、表面修饰、掺杂、发光机理、光电性质以及在生物医学、光催化、光电子、传感等领域的应用。     

偏高岭土对预制混凝土路面材料耐久性能的影响

预制装配式混凝土路面因其养护时间短、维修方便、性能优异而发展迅速，但高温导致的膨胀应力造成混凝土内部裂纹的发生扩展，有害孔含量增加，造成预制混凝土耐久性能降低。本文通过加入偏高岭土作为辅助胶凝材料改善预制混凝土路面材料耐久性能，研究了不同掺量（0%、3%、6%、9%、12%）的偏高岭土对其力学和耐久性能的影响规律。研究表明，偏高岭土可以显著提高混凝土的强度、抗冻性和抗渗性能。     

垂直腔面发射半导体激光器腔模位置对器件输出波长的影响研究

为得到高温环境下894.6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL), 设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析,研究了腔模位置对器件输出波长的影响,发现腔模位置与输出波长具有线性对应关系。设计了腔模位置在890.5 nm的VCSEL外延片结构,经工艺制备得到了85 ℃高温环境下894.6 nm稳定波长激光输出的VCSEL芯片。实验结果表明,通过调控腔模位置可得到目标波长激光输出的VCSEL芯片,该研究为研制其他波段稳定波长激光输出的垂直腔面发射激光器奠定了基础。     

PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响

研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层,并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。