VSAT卫星通信技术在电力系统的应用

简要介绍ＶＳＡＴ卫星通信系统的特点,组网方式,在分析电力系统信息传输需求的基础上,在电力系统通信网络中,提出通过建立ＶＳＡＴ系统,可以解决一些边远地区的变电所及发供电单位在采用地面通信方式无法解决信息传输的问题,针对各种不同的信息传输需求,提出了不同的ＶＳＡＴ网络组网建设方案及建议。     

深层过滤过程数学模型及其应用

深层过滤是油田注水处理和石化厂废水处理中的重要方法。通过物料衡算方法、颗粒沉积速度方程及阻力方程的联合求解,得出了滤出液浓度随是滤层高度的关系以及床层压降随时间的规律（阻力模型）。在对炉渣滤料实验测定的基础上,利用新建立的数学模型,得出了炉渣滤料过滤器的悬浮物浓度,沉积量和怪压降的计算公式。实验结果表明,新的数学模型符合实际情况,描述深层过滤过程准确,可用于不同滤料的深层过滤过程的工程预估。利用阻     

基于全纯函数嵌入的暂态稳定网络方程算法

数值积分法中是电力系统暂态稳定分析中重要的研究工作,但受限于交替求解微分-代数方程求解的困难,尝试从网络方程入手解决.引入全纯函数嵌入(holomorphic embedding)理论,重构节点模型,以计算解析解为目标,介绍求解非线性系统的原理与数值逼近理论的应用,之后针对电力系统暂态稳定分析,确保兼容电网中恒功率负荷...     

振动信号蓝牙智能传感器概念样机的设计

振动信号蓝牙智能传感器由蓝牙模块、主控微处理器、数据采集、信号调理、传感器和电源组成.传感器将非振动信号转换成电信号,经信号调理成转换为模拟电信号送到数据采集.数据采集再将其转换成数字信号送主控MCU.主控MCU通过蓝牙模块接收上位机命令,并将主控MCU发出的数据转换成蓝牙协议发送出去,同时将上位机发出的无线信号转换成数字信号送给主控MCU.     

嵌入式电子装备在线状态监测系统实现方法研究

提出了嵌入式在线状态监测系统平台构成, 对被测对象进行失效机理分析, 获得要监测的环境和工作应力参数; 嵌入式系统控制传感器对数据的采集并对采集的数据进行处理, 处理结果可以二次开发处理. 监测信息的选取应遵循可测性、代表性、集中性、 针对性等原则. 系统的实现, 对于研究电子装备的全寿命周期具有重要意义.     

基于MMC-UPFC的新型双环电压稳定控制策略

针对多直流馈入交流系统中,交直流故障引起的电压稳定问题,本文提出了基于MMC-UPFC的新型双环电压稳定控制策略.首先基于MMC-UPFC并联换流器电压平衡方程,推导出双环控制结构(电流内环和双前馈控制外环),其中电流内环用于控制交流侧电压稳定;双前馈控制外环一方面为电流内环提供输入参考值,另一方面反馈无功补偿量,实时...     

银川地区10kV配电网合环电流及计算方法的研究

在对10kV配电网合环稳态电流及冲击电流理论分析的基础上,结合银川地区配电网实际情况提出了基于PAS(电网高级应用软件)的合环稳态电流计算方法。该方法简单,易于实时计算,为调度员进行合理的合环操作提供了理论指导,提高了合环操作的可靠性、安全性。     

波浪发电系统发展及直驱式波浪发电系统研究综述

回顾了波浪能利用的历史和目前波浪能的发展应用现状,并按波浪能转换形式的不同对比分析了液压式、气压式、离合器齿轮箱式和直驱式波浪能发电装置的特点。对在离岸大功率并网应用中具有发展前景的直驱式波浪能转换装置进行了重点描述,分析了其结构组成以及优化功率捕获的控制方案,对直线发电机和优化功率的控制方案进行了总结和比较。结合电网对波浪发电机组的控制要求,对直驱波浪发电的输出功率波动处理方案进行了描述和分析。最后总结了波浪发电系统特别是直驱式波浪发电的发展趋势与应用前景。     

20-SIM软件在机电类课程教学中的应用

本文简要地介绍了20-SIM的主要功能、编程环境和仿真方法.在讨论机电类课程涉及内容广的基础上,提出利用20-SIM软件进行建模与仿真.在实例模型中,首先利用20-SIM建立了机电一体化模型. 在此基础上,应用了自动控制技术中的最优状态反馈控制,仿真结果理想的显示了控制效果.由此可见,基于20-SIM建模与仿真方法直观简便,为机电类课程的学习与应用提供了新的思路.     

硅片近边缘形态的研究进展

关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会（SEMI）标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度（ROA）、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评价方法,可以依据不同的应用场景选择适合的评价方法来判断近边缘形态。对于硅片近边缘形态的测量手段,可以分为近边缘卷曲（ERO）和近边缘微粗糙度两个方面。探究了抛光工艺和抛光前道制程对硅片近边缘形态的影响：抛光工艺会影响硅片近边缘局部平整度和硅片ROA,通过控制抛光压力、抛光时间和转速等工艺参数以及抛光垫和抛光浆料等工艺耗材可以改善硅片近边缘局部平整度;对于300 mm硅片,通过对抛光垫的改良和创新,设计出双层抛光垫以及3层抛光垫,可以缓解硅片近边缘塌陷。对于200 mm硅片,通过匹配腐蚀工艺和双面研磨工艺有益于改进局部平整度。近边缘形态相关专利主要通过改进工艺流程、引入单面磨削、改变硅片形状来改善硅片近边缘形态。