InGaAsP/InP双异质结的混合外延生长

本文描述以液相外延和汽相外延相结合的混合外延生长法研制1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结材料的实验,并分析其测试结果。     

高密度LED点阵显示器在巡检仪中的应用

研制了发光像元素分别为１６×６４、１６×９６、１６×１９２点、像无中心间距从０．８ｍｍ到１．５ｍｍ的高密度ＬＥＤ点阵显示器、该显示器用于巡回检测仪中作显示屏面．巡回检测及显示控制由８０３１单片机担任，巡回检测被测１２８路报警对象的运行状态，并以文字方式显示于ＬＥＤ点阵显示器上。     

高效散热型COB LED日光灯

在分析LED日光灯各种技术方案的基础上,采用COB工艺,以小功率芯片直接封装在铝基板上,减少了LED器件的结构热阻和接触热阻,研制成高效散热型COB LED日光灯,提高了光效和照度.与贴片LED日光灯相比,除上述优点外还增加了均匀性和降低了成本,应用到公交车上取得了很好的节能效果.     

铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管

从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色发光二极管，这种器件峰值波垂为４５０ｎｍ，外量子效率是２．７％，在正向电流２０ｍＡ时，亮度达１．２ｃｄ，正向压降为３．６Ｖ，比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高１００倍，其在上全色显示方面具有广阔的应用前景。     

第三代LED交通信号灯

叙述了第三代 LED交通灯的研制和性能 ,具有亮度高、视角适中、寿命长、用电省、灯面亮度均匀、成本低等优点 ,是取代白炽灯交通信号灯的最佳产品。     

半导体照明光源的技术进展

半导体照明光源——发光二极管(LED)是近年来快速发展的光源,是光源领域的研究热点。回顾了LED的发展历史,理论分析了LED的光效,通过与其他类型光源的价格等的比较,展示了LED在光源领域未来的重要地位和光明前景。综述了LED技术的发展现状,包括LED外延技术、芯片技术、金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备、封装技术等的进展,并叙述了提高LED内量子效率及光效的主要研究方向。指出,随着LED光效等的进一步提高,LED将成为照明光源的主角。     

发光二极管平板显示（二）

发光二极管平板显示（二）方志烈（复旦大学上海２００４３３）ＦｌａｔＰａｎｅｌＤｉｓｐｌａｙｏｆＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅｓ￥ＦａｎｇＺｈｉｌｉｅ（ＦｕｄａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２００４３３）２发光二极管平板显示ＬＥＤ平板显...     

超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

LED白色照明光源

该文介绍发光二极管（ＬＥＤ）作为照明光源的性能特点以及目前ＬＥＤ在世界各国及地区发展动态和已开始应用的范畴。预言ＬＥＤ将会成为２１世纪新照明光源。     

白色LED照明光源

报道了由黄、蓝二色发光二极管芯片组成的白色发光二极管的研制,结构和性能。