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本文描述以液相外延和汽相外延相结合的混合外延生长法研制1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结材料的实验,并分析其测试结果。 相似文献
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研制了发光像元素分别为16×64、16×96、16×192点、像无中心间距从0.8mm到1.5mm的高密度LED点阵显示器、该显示器用于巡回检测仪中作显示屏面.巡回检测及显示控制由8031单片机担任,巡回检测被测128路报警对象的运行状态,并以文字方式显示于LED点阵显示器上。 相似文献
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从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了InGaN超高亮度蓝色发光二极管,这种器件峰值波垂为450nm,外量子效率是2.7%,在正向电流20mA时,亮度达1.2cd,正向压降为3.6V,比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高100倍,其在上全色显示方面具有广阔的应用前景。 相似文献
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第三代LED交通信号灯 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了第三代 LED交通灯的研制和性能 ,具有亮度高、视角适中、寿命长、用电省、灯面亮度均匀、成本低等优点 ,是取代白炽灯交通信号灯的最佳产品。 相似文献
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半导体照明光源的技术进展 总被引:1,自引:1,他引:0
半导体照明光源——发光二极管(LED)是近年来快速发展的光源,是光源领域的研究热点。回顾了LED的发展历史,理论分析了LED的光效,通过与其他类型光源的价格等的比较,展示了LED在光源领域未来的重要地位和光明前景。综述了LED技术的发展现状,包括LED外延技术、芯片技术、金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备、封装技术等的进展,并叙述了提高LED内量子效率及光效的主要研究方向。指出,随着LED光效等的进一步提高,LED将成为照明光源的主角。 相似文献
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发光二极管平板显示(二)方志烈(复旦大学上海200433)FlatPanelDisplayofLightEmittingDiodes¥FangZhilie(FudanUniversity,Shanghai200433)2发光二极管平板显示LED平板显... 相似文献
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介绍了InGaN单量子阱超高亮度蓝色LED的结构和性能,其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为20mA时,分别为8cd、450nm和25nm。 相似文献
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