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141.
142.
在铜基体上沉积Cu(Cr)-diamond复合过渡层,用热丝CVD法在复合过渡层上沉积出金刚石膜。用压痕法对沉积的金刚石膜/基结合性能进行了研究。结果表明,在Cu-diamond上沉积的金刚石膜,用147 N压痕时压痕边缘出现大面积崩落,并在基体表面留下被拔出的金刚石凹坑;在Cu-diamond中掺入微量Cr,压痕边缘只形成环形裂纹,增大压痕载荷至441 N,环形裂纹区域增大,并出现部分崩落,崩落区域有被切断的金刚石残留。在Cu-diamond复合层中掺入微量Cr能显著提高金刚石膜/基结合力。 相似文献
143.
结合永磁铁氧体的晶体结构理论,探讨了永磁铁氧体高性能化离子取代的理论依据,综述了近年来国内外有关离子取代永磁铁氧体的研究现状与进展.详细分析了稀土离子单独取代以及稀土元素离子与过渡金属离子联合取代对铁氧体的化学成分、显微结构、主要电磁性能(Ms、Hcj、TC及电阻系数等)的影响规律.稀土离子La、Nd、Sm单独取代可以稳定磁铅石结构,提高矫顽力等磁性能;适量的La-Co、La-Zn联合取代,Co、Zn离子进入M型铁氧体的4f2、4f1晶格,可以降低反向磁矩,增大材料的饱和磁化强度.离子替换结合优良的加工工艺可以制备出高性能的铁氧体. 相似文献
144.
145.
研究了掺杂稀土Dy对锶铁氧体制备工艺、结构与性能的影响关系。研究表明,取向磁场对铁氧体磁性能的影响十分显著:随着取向磁场强度的增加,锶铁氧体晶粒发生的晶面择优取向度也增大,剩磁Br、最大磁能积(BH)max和矫顽力Hc均有上升趋势。烧结温度的影响则较复杂:随着烧结温度的增加,剩磁Br和最大磁能积(BH)max均有上升趋势,而矫顽力Hc则呈下降之势。通过在Y30牌号SrFe12O19预烧料基础上掺杂0.2%Dy2O3,经700kA/m磁场、4414N/cm2压力湿法成型的样品在1230℃温度下烧结1h后的磁性能达到了Br=398mT、Hcj=254kA/m和(BH)max=29.1kJ/m3,它与不掺杂Dy2O3的样品相比分别提高了12mT、31kA/m和0.7kJ/m3。 相似文献
146.
用弯曲磁过滤提高弧离子镀TiN薄膜质量 总被引:1,自引:0,他引:1
采用弯曲磁过滤真空阴极放电弧离子镀法制备高质量TiN薄膜。用场致发射电子扫描显微镜观察薄膜表面与截面形貌。分析弯曲磁过滤对膜表面质量与晶粒尺寸、膜基结合形态的影响。磁过滤能有效减少大颗粒数量,减小大颗粒尺寸,形成光滑的TiN薄膜表面,细化TiN晶粒,形成结合紧密的膜基结构。 相似文献
147.