AlN外延薄膜的生长和特征

文章研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ／Ⅲ比的研究，制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16．9arcsec和615arcsec，接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明AlN薄膜的粗糙度为5．7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动，说明蓝宝石上外延的AlN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收，也表明了AlN外延薄膜具有较好地晶体质量。     

中国企业品牌国际化战略研究

品牌国际化已经成为企业持续成长与提升国家竞争力的重要手段,然而面对复杂的国际经营环境,中国品牌尚未在国际市场中占有一席之地。因此本文即站在战略的层次,审慎地为中国品牌国际化运行机理提出框架,同时亦为中国品牌国际化战略提出方向性的建议,以期实现真正意义的中国国际化品牌。     

面向ISO18000-6C协议的无源超高频射频识别标签芯片设计

本文提出了一种面向ISO18000-6C协议的无源超高频射频识别标签芯片设计。为了降低芯片的成本和功耗,本文设计了一种低功耗且不含电阻的稳压电路,一种低功耗且频率精度达到4%的时钟产生电路,以及一种新颖的具有大动态范围的ASK解调电路。本文还阐述了基于门控时钟技术的低功耗数字基带电路设计。该标签芯片的总功耗约为14微瓦,灵敏度达到-9.5dBm,读取距离可达5米。整个标签采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现,芯片尺寸为880um880um。     

与偏振无关的双向2×2光纤光开关

本文提出了新颖的与偏振无关全光 2× 2光纤光开关结构 ,采用自由空间光互连模块 ,能够实现 2× 2与偏振无关的双向光纤光开关直通和交换功能。以此为基础 ,提出了新的全光 4× 4光纤光开关的光学实现方法。该光开关具有光学元件少、结构紧凑、易于光学装配等特点     

我国信息产业人才短缺4大对策

本文从信息产业的宏观环境出发,对目前我国信息产业发展过程中信息技术人才的状况进行了分析,其中包括当前人才利用过程中存在的问题,人才的素质要求,以及信息产业对人才的要求,结合我国经济发展与就业形势,提出通过体系化的培养信息技术人才方案来解决目前信息产业人才短缺的现状。     

超快泵探针对GaAs中X射线诱导的瞬态光学反射率变化的探测

理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大大减小了载流子寿命,使超热电子的弛豫时间小于110-12 s,载流子的复合时间小于 210-12 s,折射率的扰动时间约为210-12 s。通过理论分析,给出了自由载流子和俄歇效应对该弛豫过程的定量估算,与实验结果吻合较好。该研究表明低温生长砷化镓是一种有效的可用于单次瞬态皮秒时间分辨X射线探测的材料。     

光互连用8×8多量子阱空间光调制器

制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等光强的６４路并将其照射到多量子阱空间光调制器上，测量了其调制特性     

FET－SEED灵巧像素光开关结点的设计

采用ＦＥＴ－ＳＥＥＤ灵巧像素技术分别设计出了直接控制方式下（２，１，１）结点（或２×１结点），直接控制和嵌入控制方式下（２，２，２）结点及２×２结点，为制作这些器件提供了依据。     

光学榕树网络与全混洗网络之间的转换及实现

光学榕树网络的快速控制需要在全混洗网络和光学植树网络间进行快速的相互转换．分别给出了光学榕树网络转换成全混洗网络及全混洗网络转换成光学植树网络时结点、链路、输入端口、输出端口的映射规则，并用电子学进行快速实现．     

NiH/Hβ催化剂的制备及催化正己烷异构化性能

采用浸渍还原法制备了一种新型镍氢化物/分子筛（NiH/Hβ）烷烃异构化催化剂,考察了催化剂制备条件及反应条件对其催化正己烷异构化性能的影响。结果发现,当活性组分质量分数为0.5%,反应温度为300 ℃,反应压力为2.0 MPa,氢/油摩尔比为4.0及质量空速为1.0 h^-1时,NiH/Hβ催化剂催化正己烷异构化活性最优,正己烷的转化率为83.0%,异构烷烃的选择性与收率分别达到78.6%、65.2%。根据实验结果,提出了NiH/Hβ催化剂催化正己烷异构化反应机理,证明NiH金属活性中心具有良好的加氢/脱氢功能。