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81.
本文针对大规模集成电路应用需要,采用显微付里叶变换红外光谱仪研究了硅中的氧、碳含量,硼、磷硅玻璃中的硼、磷含量及外延层厚度的微区测量技术,在光孔尺寸为100×100μm级时,测量精度达到国标的要求,空间分辨率提高了近两个数量级。 相似文献
82.
测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘LECGaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布,在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。 相似文献
83.
84.
85.
本报道了用液相色谱测定脂肪醇聚氧乙烯醚的低聚物分布和平均聚合度的方法,采用3,5-二硝基苯甲酰氯对脂肪醇聚氧乙烯醚酯化后,经萃取除去过剩的3,5-二硝基苯甲酰氯和吡啶溶剂,在氨基键合相色谱柱上,以石油醚、无水乙醇作流动相进行梯度洗脱,用紫外检测器(254nm)检测,得到了满意的结果。 相似文献
86.
测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。 相似文献
87.
本文报告了硅单晶中替位碳红外吸收带温度特性和光谱分辨率对碳带特征参数影响的研究结果.在 80~310K温度范围,碳带半宽度随测量温度降低而线性减小,吸收系数和峰位分别随温度下降而线性增加和有规律地向高频方向移动;液氮温度时碳带吸收系数较室温增加一倍;低于液氮温度时碳带特征参数不随测量温度而变.不同光谱分辨率(1-4cm~(-1))测量结果表明:碳带吸收系数和半宽度分别随光谱分辨率提高增加和减小.室温和液氮温度碳含量的定量测量,光谱分辨率分别以2cm~(-1)和1cm~(-1)为宜. 相似文献
88.
89.
90.
SpatialDistributionofEL2DefectinSemi-insulatingGaAsRuQiongna;LiGuangpingandHeXiukun(汝琼娜)(李光平)(何秀坤)(TianjngElectronicMaterials... 相似文献