脉冲准分子激光沉积Mg/Ag掺杂薄膜

基于梯度掺杂功能薄膜材料在工业应用中的需要、通过金属掺杂对新材料改性研究的需要 ,用单束激光交替作用于两相异靶材 ,制备了Mg Ag组分比为 0 .9的掺杂薄膜     

单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计

通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10～400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036～4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求。     

基于山区电网规划设计方案的探讨

随着我国经济的快速发展,人们的生产生活越来越离不开电力的支持,相对于城市电力企业发展速度快、供电稳定、技术先进等优点,山区的电网建设一直以来都存在投资资金不足,电网建设技术落后,电网覆盖范围小,供电稳定性差的特点,不能满足山区居民生活用电的需要.在当前形势下,山区政府部门大力开展电网建设,加大投资力度,积极响应党中央大力建设社会主义新农村的号召,使得山区电网建设有了新的机遇和挑战.山区电网规划问题是发展山区电力的主要问题之一,由于山区地势复杂,技术落后等原因,使得电网规划设计具有一定的困难.本文从电网规划建设现状和重要性出发,详细分析了山区电网规划设计方案的合理性,主要从电网结构、运行情况以及设备技术等方面进行了探讨,由于山区电网建设一般都在110kV以下,本文中以10kV配电网的规划为例,阐述了合理的电网规划设计方案,为相关电力企业部门在山区建设电网工程提供了有价值的参考与借鉴.     

谈有线电视网的机遇兼论对称准入

信息产业部副部长张春江在第五届国际互联网研讨会上致词时表示:要顺应技术发展的潮流 ,适应社会主义市场经济的内在要求,批准有线电视网络公司进入电信市场.批准是有条件的,条件有两个方面:一是有线电视网要按照现代企业制度,在实现政企分开、网台分设的基础上,加速有线电视网络单位的公司化改造,并依据<中华人民共和国电信条例>进入基础电信市场开展业务经营;二是同时批准国有电信公司进入广播电视节目传输市场,实现两个市场对称准入.     

三网融合将视频媒体推上通信的历史舞台

三网融合促进网络向宽带发展,促进视频媒体进入通信历史舞台,促进多媒体通信技术的发展,将带来有线电视网和通信事业双繁荣。     

一种高精密集成运算放大器的研制

基于运算放大器的基本原理和一些关键技术(基流自举补偿、偏置微调等)的运用,成功地研制出一种双极型高精度低失调集成运算放大器.测试结果显示,该运算放大器失调电压仅为10 μV,失调电流小于1 nA,开环增益为120 dB,单位增益带宽680 kHz.     

氢原子侵蚀作用的研究

通过热力学计算和动力学分析，研究了热丝ＣＶＤ金刚石薄膜沉积过程中，氢原子对石墨相和金刚石相的侵蚀作用。结果表明；当衬底温度在８２３Ｋ－１２７３Ｋ间变化时，氢原子和石墨相反应的表观活化能小于氢原子和金刚石相反应的表观活化能，这是氢原子更易侵蚀石墨相的原因所在。     

城市有线电视网的工程管理

本文介绍了城市有线电视网，必须从工程设计、器材管理、施工管理、干放供电、初期的维护和有线电视设施的法律保护等方面作艰苦工作，才能保证建设一个成功的有线电视网。     

基于SiGe虚拟衬底的低场迁移率提升140%的应变Si沟道NMOS器件 Cui Wei(崔伟)1,2,Tang Zhaohuan(唐昭焕)2, Tan Kaizhou(谭开洲)2, Zhang Jing(张静)2,

本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。