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991.
992.
通过双槽电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备了大孔硅。然后通过直流对靶反应磁控溅射法在大孔硅表面淀积了纳米氧化钨薄膜。使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察大孔硅和氧化钨/大孔硅样品的形貌。分别使用X射线衍射(XRD)图谱和X射线光电子能谱(XPS)分析氧化钨晶体结构和钨的化合价。在室温下测试大孔硅和氧化钨/大孔硅气敏传感器的气敏特性。结果表明:氧化钨/大孔硅气敏传感器表现出了P型半导体气敏传感器的气敏特性。它对1ppm的二氧化氮显示了良好的恢复特性和重复性。氧化钨/大孔硅气敏传感器的长期稳定性要好于大孔硅气敏传感器。氧化钨的添加提高了大孔硅气敏传感器对二氧化氮的灵敏度。氧化钨/大孔硅气敏传感器对于二氧化氮的灵敏度要高于其对氨气和乙醇的灵敏度。通过淀积纳米氧化钨薄膜,改善了大孔硅对二氧化氮的选择性。 相似文献
993.
有线数字电视整体转换后,用户分配网络中的许多故障都使用户不能正常收看数字电视.本文通过对用户分配网络中漏电干扰、接触不良等故障的检修和分析,提出了一种新的解决办法,从电缆头和分支分配器入手,设计了一种全新的数字电视用户分配器,供大家在网络改造挑选器材时选用和参考. 相似文献
994.
在激光二极管(LD)抽运腔内倍频Nd3 :GdVO4/LBO深蓝456 nm激光器中.为对比激光品体掺杂浓度对倍频输出功率的影响.利用同样尺寸为3 mm×3 mm×2 mm,稀土离子掺杂原子数分数分别为0.15和0.25的Nd3 :GdVO4品体作为对比.实验中利用同样长为20 mm的线性直腔,在使用10 mm长、按基频光为914 nm方向切割的Ⅰ类相位匹配倍频晶体LBO,在抽运功率为2.85 w时,前者获得了输出率为105 mW的深蓝456 nm激光,明显高于后者.通过对准三能级激光晶体的最佳长度分析表明,掺杂原子数分数为0.15的Nd3 :GdVO4晶体与0.25的相比,其实际长度更加接近于最佳长度.通过对倍频晶体LBO的最佳切割角和温度控制等分析表明,利用针对914 nm基频光切割的LBO晶体在912 nm激光器中.其切割角的差别可以通过温控的改变得到补偿. 相似文献
995.
随着社会的进步,人民群众的通信需求日益提高,为了提高通信质量,蜂窝无线通信基站开始日趋小型化、微型化,基站架设越来越密集,用频矛盾也开始日益显现,主要表现为通信基站之间的频率协调以及通信容量与频率资源之间的矛盾。同时,大量微蜂窝无线电通信基站发射设备的长时间高负荷工作,造成基站技 相似文献
996.
997.
介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)多层基板工艺的宽带发射/接收(T/R)组件的设计,详细论述了组件的电路布局和装配工艺,给出了具体的测试数据。T/R组件的体积为65mm×29mm×9mm,连续波输出功率大于25W,均方根移相误差小于3°,已达到工程应用要求。 相似文献
998.
分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件. 相似文献
999.
1000.