有机分子电子器件的研究进展

随着传统硅基电子器件的发展日趋受限,以原子和分子作为电子元器件的研究受到了越来越多的重视.概述了分子电子器件的概念和基本原理,详细介绍了分子导线、分子二极管、分子开关、分子存储器件和分子场效应晶体管的工作原理及最近的研究进展.具有π-共轭结构的有机分子体系是构造分子导线的理想单元;分子结的电子结构不对称性是分子具有整流特性的根本原因;轮烷和索烃是构造分子开关的理想单元之一;分子场效应晶体管的工作原理是量子隧穿,主要是金属-绝缘体-金属间的隧穿效应.最后阐述了目前分子电子器件研究中存在的主要问题.     

基于总线技术的智能液压元件在工程机械上的应用

文章论述了在工程机械单机控制系统的结构由集中控制系统向总线控制系统发展的趋势下，基于总线技术的智能液压元件的发展现状，以及在工程机械上的应用。     

CTAB辅助电沉积V_2O_5薄膜及储锂性能研究

以五氧化二钒、双氧水和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为原料,采用溶胶凝胶法制备了V2O5溶胶,并通过电沉积法在不锈钢基体上制备了正交晶系的V2O5薄膜电极材料。采用X-射线衍射和场发射扫描电子显微镜表征了V2O5薄膜材料的微观结构和表面形貌;采用循环伏安曲线、交流阻抗谱和充放电测试研究了V2O5薄膜作为锂离子电池正极材料的储锂性能。结果表明,在添加3%CTAB的V2O5溶胶中电沉积的V2O5薄膜比未添加CTAB的V2O5溶胶中电沉积的V2O5薄膜具有更高的电化学反应可逆性、更低的电化学反应阻抗、更好的嵌锂活性和倍率性能。     

用硫酸从锡尾矿中浸出铁试验研究

研究了用硫酸从锡选矿尾矿中浸出铁,考察了反应时间、硫酸浓度、液固体积质量比和反应温度对铁浸出率的影响,通过正交试验确定了各因素影响主次及适宜浸出条件。结果表明:铁浸出率随反应时间延长,硫酸浓度、液固体积质量比及反应温度升高而提高;各因素影响顺序为反应温度硫酸浓度液固体积质量比反应时间;在反应温度70℃、硫酸浓度1.5 mol/L、液固体积质量比4 mL/g、反应时间90 min适宜条件下,铁可以完全浸出。     

糖精对柠檬酸盐中性电镀镍影响的研究

研究了糖精添加剂对柠檬酸盐中性电镀镍的影响,重点考察了糖精质量浓度对电镀镍阴极极化、电流效率、镀层表面形貌、硬度及其耐蚀性的影响。结果表明,低电流密度下,糖精可以增加电镀镍的阴极极化;随着糖精质量浓度的增加,阴极电流效率和镀层内应力都降低,但镍镀层硬度却呈上升趋势;此外糖精的加入增大了镍镀层在NaCl溶液中的电荷传递电阻,提高了镍镀层的耐蚀性。     

一种航摄快门曝光时间均匀性的测试方法

在航空摄影中,快门曝光时间均匀性对于获得高质量的航空相片十分重要。为评测卷帘式航摄快门曝光时间的均匀性,根据有效曝光时间的分析计算,提出了一种可变缝宽式快门有效曝光时间均匀性的测试方法。在不同帘缝宽度下,依据光电测试法,利用每个测试位置的多次测量结果,运用最小二乘法得到帘缝宽度与有效曝光时间的拟合曲线,与理论曲线比较可衡量出有效曝光时间的不均匀性程度。最后对某卷帘式航摄快门进行了实验测试,测试结果表明有效曝光时间不均匀性为2.8%,满足快门4%的精度要求。经过飞行实验验证,所获得的照片均匀性良好,满足图像判读要求。     

液压冲击机械的发展概况

该文详细介绍了液压冲击机械以及液压冲击动力学的发展历程。并总结液压冲击机械的设计原理以及各组成部件在设计中应遵循的原则。并对液压冲击机械的发展前景作了进一步的展望。     

基于嵌入式系统的挖掘机智能控制系统开发

介绍了一种挖掘机智能控制系统的解决方案,详细叙述了硬件架构和软件开发平台的搭建以及整个控制网络的构建。本控制系统采用了现场级和规划级的结构,在规划级的嵌入式系统中实现了丰富的智能化控制功能。     

焦面帘幕式快门对画幅式航空遥感器成像畸变的影响

针对胶片型画幅式遥感器倾斜成像时产生图像畸变、在航拍后图像处理中景物无法拼接的问题进行了研究。介绍了该遥感器所采用的焦面帘幕式快门的工作原理,分析了遥感器在飞机姿态变化时的像移补偿。由于在曝光过程中的像移补偿误差使地面景物在像面上存在像移、以及焦面帘幕式快门的分时曝光特性,使地面景物变形,导致图像畸变。通过对产生畸变原因进行分析、计算,给出计算图像畸变量的公式,为航拍图像后处理时校正图像畸变提供技术支持。     

均相沉淀法制备Zn Fe2 O4负极材料及其储锂性能

采用均相沉淀法制备了ZnFe2 O4前驱体,探索了烧结温度对ZnFe2 O4结构和电化学性能的影响。用X射线衍射（XRD）和场发射扫描电子显微镜（FESEM）表征了材料的微观结构和形貌;采用循环伏安（CV）、电化学交流阻抗谱（EIS）和充放电测试了ZnFe2 O4作为锂离子电池负极材料的储锂性能。结果表明：随着烧结温度的升高,样品粒径增大;当烧结温度达到900℃时可以得到纯相尖晶石型ZnFe2 O4,其中在900℃下烧结的ZnFe2 O4样品具有最高的嵌锂活性、最好的电化学反应可逆性、最低的电化学反应阻抗和优良的倍率性能。