Bi_2O_3-SnO_2系统的相关系及Bi_2Sn_2O_7陶瓷的制备与单晶生长

为了探索Bi_2Sn_2O_7的晶体生长方法,应用差热分析(DTA)、淬火、X射线粉末照相和高温显微镜方法对Bi_2O_3-SnO_2系统在较宽组成范围的相关系进行了初步研究。得到的结果是Bi_2O_3-SnO_2系统存在化合物Bi_2Sn_2O_7同时又发现该化合物在1365℃左右时分解,所以不能用熔体提拉法生长单晶。使用熔剂法生长了Bi_2Sn_2O_7单晶。制备了断面烧结致密的Bi_2Sn_2O_7陶瓷,并测定了介电常数。     

(锶)闪叶石的晶体结构

空间群为 C_(2h)~3—C2/m。晶胞参数:a=19.267(5)A;b=7.079(2)A;c=5.385(7)A;β=96.83(2)°。用Patterson法测定了晶体结构,对原子座标、各向同性及各向异性热参数进行了最小二乘方修正。R_(hkl)=0.0561。Ti在(锶)闪叶石中具有两种结晶学位置:与Na、Mn成置换型原子的Ti处于八面体内,而与Fe~(3 )、Mg置换的Ti原子则处于5-配位斜方角锥体内。Ti 原子的这种结晶化学位置,在硅酸盐矿物中极为少见。结构中Ti-O斜方角锥体与Si-O四面体组成络阴离子网层,Ti起着类似Si的作用。在同一结构中,Ti表现出这种结晶化学上的双重作用,(锶)闪叶石是比较典型的一个例子。(Sr,Ba)原子处于8-配位畸变立方体中,起到将阴离子结构基因{(Na,Ti)_6Na_2(TiO_2)_4[Si_2O_7]_4}_(∞∞∞)~(8-)连结的作用。     

计及分布式电源动态行为的配电网重构优化策略

解决分布式电源高渗透率地区电压越限的根本方法是实施合理的配电网规划。现有方法存在着人工智能算法初始域搜索半径过大以及动态时段划分与拓扑寻优分离的问题。引入半不变量法计算随机潮流来处理分布式电源动态行为带来的不确定性,并采用改进的NSGA-II算法实现配电网重构,提出了一种计及分布式电源动态行为的配电网重构概率约束优化策略和求解方法。特别提出了在网架寻优的基础上再在时间层面上依据优压参数再次整合优化来构建配电系统动态重构数学模型,最后采用嵌套基因回路搜索策略改进NSGA-Ⅱ算法并求解上述优化模型,以解决传统配电网规划中对强相关性随机变量考虑较少的不足。IEEE-33节点配电系统算例验证了所提方法的有效性。     

磷灰石型富轻稀土铈族Lessingite的晶体结构

空间群为C_2~2-P2_1。α=9.6283A,b=9.6305A,c=7.0495A,γ=120.02°。用Patterson函数方法确定了全部重原子的坐标。并通过二维及三维电子密度的计算,测定了其它原子的坐标。T_R及Ca原子在赝P6_3/m的6h及4f等效点系位置作无序分布。由磷灰石的P6_3/m降低至Lessingite的P2_1群,主要是由于7角与9角多面体的畸变引起Si原子、O原子及F原子偏离6h、12i及2α等效点系所致,而一定量的T_R对磷灰石中Ca的置换,使T_R与Ca在6h及4f上作无序分布,又可能是7角与9角多面体畸变的原因。这对了解作为激光工作物质中一类重要晶体——磷灰石类的组成与结构的特征以及稀土元素的分布及其晶体化学规律是很有意义的。     

钙钛矿型化合物中铁电-反铁电体存在的稳定区域

对100余种化学式为(A_(α1)~1…A_(α2)~h…A_(αP)~n)(B_(β1)~1…B_(βj)~k…B_(βq)~m)O_3(sum from h=1 to n(αp=1),sum from k=1 to m(βq=1)钙钛矿型(包括畸变型)属性已知的化合物,用化学键参数A、B阳离子价径比(Z/γ_k)之商及电负性的差值ΔX,分别为纵、横坐标作图,显示出铁电-反铁电体与非铁电体之间有明显的分界线,证明所选化学键参数能确定这一类型化合物中铁电-反铁电体存在的稳定区域。进而对其余200余种属性未定的同类型化合物进行了计算,其结果为探索新的钙钛矿型铁电体指明了方向。估计这种方法应用于其他氧八面体复合氧化物铁电材料的探索亦有一定的指导意义。     

VR技术在计算机组装与维护中的应用

不断加强VR技术在计算机组装与维护中的应用,能够有效克服传统计算机组装与维护过程中存在的缺陷,促进计算机行业的长远发展.本文在对VR技术在计算机组装与维护的现状进行综合阐述的基础上,提出了VR技术在计算机组装与维护中的应用策略,以期为相关人士提供借鉴和参考.     

宝石单晶生长取向与脆性关系的研究

用X射线背射劳厄法研究了焰熔法生长的宝石梨晶的生长取向与脆性的关系。按X射线结构研究测定的晶胞参数给出了红宝石的标准极射赤平投影图及面间夹角数据。确定了梨晶开裂面为光面{1010}的晶种的最佳取向:ρ=61±3°;φ=0～5°,即最佳生长层为{1123};梨晶开裂面为粗面{1120}的晶种的最佳取向:ρ=57±3°;φ=25～30°,即最佳生长层为{0112}。将原生产中使用的开裂而为{1010}的晶种,改用开裂面为{1120}的晶种,提高了生长合格率,降低了加工过程中切片的破碎率。