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41.
42.
设计了面向Web服务多层安全框架,将整体安全框架分为信任入口层、业务处理安全层、Web服务目录及注册安全层、通信安全层4个层次;在业务处理安全层中组合Web服务的过程中,引入Web服务安全预处理模块,选择最佳服务组合,提高安全性验证和匹配的效率,并简要阐明了其它层次的安全策略和实现方法。 相似文献
43.
针对现代电子系统中预偏置电压保护与电压边际界限的情况,提出了一种应用于DC/DC数字控制芯片的预偏置电压保护与电压边际界限功能模块的设计.利用CPLD验证该模块的正确性,实现了预偏置电压保护与电压边际界限功能. 相似文献
44.
薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析 总被引:2,自引:2,他引:2
提出了基于二维Poisson方程的薄膜SOI降低表面电场(RESURF结构解析物理模型.并在该模型基础上,给出了一种分析薄膜SOIRESURF结构击穿电压的方法.利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜SOIRESURF结构击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并定量分析了场SiO2界面电荷密度对击穿电压和漂移区临界掺杂浓度的影响.首次提出了临界场SiO2界面电荷密度的概念,并研究了其与漂移区掺杂浓度的关系.而且计算结果与MEDICI模拟结果符合得很好.这些为漂移区长度较长的薄膜SOIRESURF结构击穿电压的优 相似文献
45.
46.
阈值电压对超深亚微米SRAM存储单元SNM的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,结果与 HSPICE仿真相符 ;文中同时分析了栅宽与 SNM的关系 ,其结论与实验结果一致 ,并给出了 VDSM SRAM存储单元设计中应注意的问题 相似文献
47.
在化工和其它部门的一些工厂中,有时可以遇到调节阀并联工作的情况。当流量负荷增加而原有调节阀口径不能满足时,往往把正常运行时应当关闭的旁路阀部分地打开,而形成并联流通支路。对于调节阀并联工作流量特性,过去尚未进行过比较深入的的分析和讨论。下面提出一些粗浅看法,供 相似文献
48.
49.
分析了传统PWM调制和Sigma-Delta调制在噪声性能方面的差异,以及它们对DC-DC变换器输出噪声的影响。在Chartered 0.35μm CMOS工艺条件下实现了一个基于二阶Sigma-Delta调制的低噪声DC-DC变换器,并对其中Sigma-Delta调制模块进行了流片验证。测试结果表明,Sigma-Delta调制模块能够将环路带宽内噪声抑制到-50 dB左右,并且未引入与开关频率有关的谐波成分。仿真结果表明,DC-DC变换器输出电压噪底能够达到-60 dB以下。 相似文献
50.
基于CAN总线的井下人员定位系统上位机软件设计 总被引:1,自引:0,他引:1
针对煤矿系统安全系数低、人员管理落后的问题,设计了一种煤矿井下人员定位系统。该系统采用低功耗的射频技术,分站实时采集识别卡所发送的信息,然后将数据通过CAN总线传送到上位机实现井下人员的管理。现场调试证明,该系统运转良好,易维护,具有广泛的应用前景。 相似文献