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磷酸盐基质发光材料由于具有良好的化学稳定性和热稳定性,己被广泛应用在各种照明和显示仪器上。随着稀土发光材料的发展与应用,稀土发光材料的研制及性能日益受到人们的重视。文章运用静电纺丝法制备YP04:Ce的纳米纤维。采用X射线衍射分析仪对所制备的纳米纤维的结构进行研究。并通过对激发光谱和发射光谱的分析,研究其荧光性能。最终获得该体系下,变量的最佳值。研究结果表明:最佳反应条件为Ce的掺杂量为4%,1000℃煅烧3h时,YPO4:Ce^3+荧光粉的激发主峰位于418nm处,为蓝光粉体。 相似文献
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Ti6Al4V基体经NaOH溶液恒温预处理不同的时间(12、24、36、48、60 h),然后分析了不同的碱预处理时间对Ti6Al4V基体及羟基磷灰石(HA)形态、物相的影响。经碱预处理后Ti6Al4V表面呈现三维网状结构,并检测到了钛酸钠凝胶的存在。随后采用水热电化学方法得到了HA涂层,水热反应电解质包括NaCl、K2HPO4·3H2O、CaCl2,在恒温120℃、电流密度为1.25 mA/cm2的条件下保持120 min。结果表明:HA的生长模式及形态均受预处理时间的影响:当基体经过12 h的预处理后,水热反应形成一层针状HA及少量蒲公英状HA。而蒲公英状HA的数量随预处理时间的增加而增多。但预处理时间大于48 h时,其数量稍有减小。HA在(002)晶面的取向指数、结晶度在预处理时间为48 h时分别达到了最小值、最大值。 相似文献
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An outer loop power control algorithm based on triangle norm (t norm) information fusion technology is proposed in this paper. According to the difference between block error rate and bit error rate with target values, the membership function calculation and level dividing of the two differences are dealt with. And then t norm operator is used to fuse the two membership function values to determine the adjustment step size. The algorithm can acquire the optimal adjustment step size in the light of the channel status and avoid the overshoot phenomenon of the existing outer power control methods. As a result, the block error rate can converge to the target value quickly. Experiment results verify the excellent property of the algorithm. 相似文献
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为深入分析热盐应力腐蚀对TA15钛合金高温性能的影响,对大规格TA15钛合金棒材进行不同的表面腐蚀处理,测试了500℃/470 MPa条件下的持久性能,并对试样表面、断口处的组织特征进行观察,分析TA15钛合金的热盐应力腐蚀机制。结果表明:在500℃/470 MPa下,TA15钛合金对热盐应力腐蚀非常敏感,导致持久寿命显著降低;在腐蚀过程中,沿着α相界(β基体)发生复杂的化学反应,形成腐蚀氧化物并向内扩散;应力作用加速了腐蚀裂纹扩展,形成沿晶断裂特征,降低了试样的持久寿命。 相似文献
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This paper presents the design of a low power (LP) and a low noise figure (NF) quadrature demodulator with an on-chip frequency divider for quadrature local oscillator (LO) signal generation. The transconductance stage of the mixer is implemented by an AC-coupled self-bias current reuse topology. On-chip series inductors are employed at the gate terminals of the differential input transconductance stage to improve the voltage gain by enhancing the effective transconductance. The chip is implemented in 65-nm LP CMOS technology. The demodulator is designed for an input radio frequency (RF) band ranging from 10.25 to 13.75 GHz. A fixed LO frequency of 12 GHz down-converts the RF band to an intermediate frequency (IF) band ranging from DC to 1.75 GHz. From 10 MHz to 1.75 GHz the demodulator achieves a voltage conversion gain (VCG) ranging from 14.2 to 13.2 dB, and a minimum single-sideband NF (SSB-NF) of 9 dB. The measured third-order input intercept point (IIP3) is -3.3 dBm for a two-tone test frequency spacing of 1 MHz. The mixer alone draws a current of only 2.5 mA, whereas the complete demodulator draws a current of 7.18 mA from a 1.2 V supply. The measurement results for a frequency divider, which was fabricated individually, prior to being integrated with the quadrature demodulator, in 65-nm LP CMOS technology, are also presented in this paper. 相似文献