集成电路制备中化学机械全局平面化(CMP)后的表面清洗技术

论述了集成电路制备中CMP过程带来污染的重大危害,介绍了目前CMP后清洗所面临的两大新挑战,同时对CMP后清洗的现状做出了分析,提出了存在的问题,并且对未来清洗的方向进行了展望。     

调度员培训仿真器仿真支持功能

调度员培训仿真器是电力系统中的重要培训和研究工具。介绍了调度员培训仿真器的软件结构、仿真支持功能、仿真支持功能与其它模块的关系、仿真支持功能的开发及改进。     

2002—2017年中国食源性农药中毒事件分析

目的 了解2002～2017年中国食源性农药中毒事件的特点,为相关部门制定预防食源性农药中毒策略提供科学依据。方法 收集并整理国内文献数据以及国家监测数据,剔除重复事件,对中毒因素、不同原因食品和发生环节进行描述性分析,并在此基础上进行多维度归因分析。结果 农药中毒因素以有机磷类农药中毒为主(361起,占64.23%),其次是氨基甲酸酯类农药和除草剂；原因食品主要为蔬菜类、粮食类、水果类,分别占33.45%(188/562)、14.41%(81/562)、8.36%(47/562)；引发环节以农药残留过高为主(200起,占35.59%)。结论 蔬菜类食品有机磷残留是食源性农药中毒的主要因素。应加强农药(尤其是杀虫剂)的管理,向大众普及农药使用安全教育,将发病风险降至最低。     

浅谈计算机技术在事业单位档案管理中的应用

随着我国信息技术的飞速发展,在现代的事业单位人事档案的管理中已经将计算机管理技术应用于档案的管理工作中.计算机管理技术在事业单位的档案管理中为其提供了巨大的便利,在计算机技术的辅助下事业单位的档案管理工作逐渐的走上了网络化的管理趋势,这对于事业单位的档案管理工作来说是有重大意义的.本文就计算机技术在事业单位档案管理中的应用进行了分析研究.     

电网仿真系统在电网规划中的应用

分析了电网规划工作的特点，要求，认为复电网仿真系统性能良好的图形数据一体化环境、事件操作与事件处理、动态稳定计算等成果进行电网规划是可行的。设计、开发了电网仿真中电网规划软件，将电网规划功能加入电网仿真系统满足了用户进行电网规划的要求，且拓宽了电风仿真系统的应用领域，具有现实意义和实用价值。     

一股东恶意逃债多股东跟着遭殃家族式企业更需要公私分清

新修订的<公司法>已于2006年1月1日起正式实施.这部与经济社会生活息息相关的法律,更加贴近现实需要,体现了我国法治进程的创新和发展,对公司经济的发展有着重大意义,更对中小型企业的发展和利益的保证起到了极为重要的作用.对公司实务部门而言,修订后的公司法建立起了更符合其实际需求的实务运行规范,为投资者和公司当事人提供更具有指导性的行为规则,更为有效和周密地保护公司股东、债权人、劳动者以及公司本身的合法权益,防范、减少和化解公司内外的利益矛盾和冲突.     

改动后的电网仿真系统可用于电网规划

阐述了利用电网仿真系统性能良好的图形数据一体化环境,事件操作与事件处理,动态稳定计算等成果进行电网规划是可行的,并结合软件总体结构图对ＰＳＳ已有功能为适应规划要求需改动的部分一一予以说明,将电网规划功能加入ＰＳＳ为满足用户进行电网规划的要求且拓宽了电网仿真系统的应用领域,有很大的现实意义和较高的实用价值。     

LCD残留液晶的清洗

指出了去除残留液晶在LCD制造过程中的重要性,并为了适应目前ODS的替代趋势介绍了LCD行业中目前广泛采用的替代ODS的清洗剂和清洗工艺。其中详细介绍了各种替代清洗剂的组成及其优缺点,并对清洗机理进行了一定的分析最终给出了一般的工艺流程。     

基于稳定pH值的硅衬底晶圆抛光液成分优化

目的 探究不同配比方案配制pH值相同的抛光液对抛光去除速率、抛光液寿命和表面粗糙度的影响,优化硅衬底晶圆抛光液,使其满足半导体产业的发展要求。方法 以二氧化硅水溶胶为磨料,通过设置有机碱、pH缓冲剂、pH稳定剂的不同配比来调节和稳定抛光液的初始pH值(11.0~12.0),在最佳工艺参数下循环使用抛光液对2英寸(1英寸≈2.54 cm)硅衬底晶圆进行抛光实验。研究不同配比下抛光液pH值、抛光去除速率随抛光液循环使用时间的变化情况。对比实验结果,分析各种成分在抛光过程中的作用,以及对抛光效果产生的影响,得出最佳配比方案,优化抛光液方案。结果 通过优化硅衬底晶圆的抛光液方案,使抛光去除速率达到0.804 μm/min,抛光液的寿命延长了约114.29%,抛光后硅衬底晶圆的表面粗糙度最低为0.156 nm。结论 得到了抛光液的最佳配比方案,有机碱的质量分数为1.0%,pH缓冲剂的质量分数为1.1%,并加入pH稳定剂调节pH,使其抛光去除速率、抛光液寿命、表面粗糙度都得到很大提升。     

ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究

针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。