信息系统项目后评价综述与思考

本文简述了后评价的概念、作用、内容、流程、方法、历史和特点等;以中国石油的"A1系统"自评价为例,探讨了专业应用信息系统自评价的关键事项,指出"三早"(早意识、早准备、早动手)是自评价的基础,"三观"(客观、直观、乐观)是自评价的基本要求,"三效"(效率、效益、效果)是自评价的重点;分析了当前国内后评价存在的若干问题并提出相应建议。     

高职高专专业剖析的建设成效

高职高专院校人才培养工作水平评估中,专业剖析是重要环节。本文根据四平职业大学电气自动化技术专业剖析的成功经验,介绍了专业剖析所取得的成效及存在的不足。     

大港油田数字油藏关键环节研究及实践

本文阐述了大港油田数字油藏建设的现状、存在问题及其实现过程中的关键环节,主要包括专业云应用中心设计与实现、流程优化、数据交换等;通过建立集中的软硬件环境支撑综合解释、地质建模、数值模拟等研究工作,实现了项目数据、成果数据快速交换,优化了业务流程,初步建成了大港油田数字油藏专业云应用中心。     

浅谈独立院校关于增强对托业(TOEIC)认识的思考

TOEIC(托业)测试由美国教育考试服务中心(ETS)研发,ETS是全球领先的非盈利性、独立的教育考试和评测机构,提供各种公正、有效的测评工具,并致力于不断提高全球的教育质量和公平性.     

集成电路多层铜布线阻挡层CMP技术与材料

以化学机械全局平面化(CMP)动力学过程和机理为基础,在抛光浆料中采用粒径为15～20nm的硅溶胶作为CMP磨料,保证了高的抛光速率(200nm/min),同时可有效降低表面粗糙度,减少损伤层的厚度.     

ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化

分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究.     

微电子器件制备中CMP抛光技术与抛光液的研究

介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15～20nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液,用于介质CMP的120nm水溶胶磨料抛光液、互连插塞钨和铝的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CMP抛光液及切削液、磨削液、倒角液和应力控制技术等研究成果。     

CMP过程中纳米级颗粒在芯片表面吸附状态控制

化学机械全局平面化过程中各种颗粒的污染十分严重.随着时间增长,吸附状态由物理吸附转变为化学吸附最终形成键合.文章提出了一种优先吸附模型,是表面活性剂分子优先吸附在硅片表面,降低能量达到稳定不但可以有效控制颗粒在硅片表面的吸附状态,对已经吸附的颗粒可以起到解吸的作用.实验证明用表面活性剂对硅片进行处理,可以有效控制颗粒的吸附状态,对CMP清洗有重要作用.     

电压稳定性研究与电网仿真初探

阐述了电压稳定性研究的重要性,电压稳定性的概念和定义,电压稳定性问题研究的历史、现状、研究方法、评价及意义,并简述了利用电网仿真系统对电压稳定性问题的研究。     

二氧化硅磨料粒径分布对蓝宝石化学机械抛光的影响

针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的SiO2磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果.结果表明,将粒径为120 nm的40％(质量分数)硅溶胶与粒径为30 nm的20％(质量分数)硅溶胶按体积比8:2混合作为磨料对蓝宝石晶圆进行CMP时,去除速率最高,抛光后蓝宝石晶圆的表面粗糙度(Ra)低至0.158 nm,无明显的划痕、划伤等缺陷.