排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
电镀法制备的CoNiMnP永磁薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜,并以该薄膜的微结构,组成,磁性能等进行了分析与测试,结果表明,在室温,pH值3~4,电流密度小于10mA/cm^2的条件下,能够获得性能良好的垂直各向异性CoNiMnP永磁薄膜,薄膜的组成(质量分数)为:Co90.32%,Ni7.83%,Mn0.74%,P1.11%,垂直薄膜方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m^3,平行薄膜方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=0.42T,(BH)max=3.2kJ/m^3。 相似文献
22.
23.
After analyzing the phenomena and processes of hydrogen embrittlement of NdFeB permanent magnets, RF magnetron sputtering was used to fabricate A1 thin films and then oxidized to form the Al/Al2O3 composite films on the magnets as the hydrogen resistance coatings. SEM and EDS were used to examine the morphology and composition respectively. Hy-drogen resistance performance was tested by exposing the magnets in 10 MPa hydrogen gas at room temperature. The results show that the magnets with 8μm Al/Al2O3 coatings can withstand hydrogen of 10 MPa for 65 min without being embrittledinto powd er. The samples with and without hydrogen resistance coatings have almost the same magnetic properties. 相似文献
24.
为了提高永磁薄膜阵列的剩磁和最大磁能积 ,在电镀制备CoNiMnP永磁薄膜阵列过程中引入少量稀土Nd原子替代部分Ni原子 ,采用光刻和电镀技术在 5mm× 5mm× 0 .2mm的硅片上设计并制备了 2 0 0 0个大小为 5 0 μm× 5 0 μm的CoNi1 -xNdxMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列 ,并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试。结果表明 :薄膜阵列的组成为 (质量分数 ) :Nd 1.90 % ,Co 86.62 % ,Ni 5 .68% ,Mn2 .0 6% ,P 3 .74% ;阵列垂直方向磁性能为 :Hc=5 9.7kA·m- 1 ,Br=0 .5 3T ,(BH) max=11.3kJ·m- 3;阵列水平方向磁性能为 :Hc=2 7.8kA·m- 1 ,Br=0 .42T ,(BH) max=3 .2kJ·m- 3。 相似文献
25.
26.
纳米材料科学的研究现状与未来 总被引:4,自引:0,他引:4
原子团簇与纳米材料是新型的具有发展前途的高科技功能材料。本文重点探讨了这二咱一般特性以及在电子领域中的应用前景及今后的研究方向。 相似文献
27.
28.
采用直流磁控溅射法制备了非晶态 TbFe磁致伸缩薄膜,通过基片的倾斜安装研究了基片倾斜角度对TbFe薄膜磁致伸缩性能的影响。结果表明:随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的磁致伸缩系数增大,在外加磁场110kA·m-1下基片倾斜角度为 60°时薄膜磁致伸缩系数达到最大值 1.02×10-4,并且随着基片倾斜角度的增大 TbFe薄膜的易磁化方向由垂直膜面方向逐渐转向平行膜面方向。这是由于倾斜基片溅射形成的倾斜的薄膜柱状微结构产生的形状各向异性引起的。 相似文献
29.
30.