桩锚支护结构在深基坑中的应用

结合某具体工程，论述了适用于周边建筑物邻近、场地狭窄的深基坑中桩锚支护结构的设计概念和计算要点。实施效果，达到了预期的目的，也取得了较好的经济效益，对城市改造建设，有良好的发展前景。     

新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析

提出一种图形化SOILDMOSFET结构,埋氧层在器件沟道下方是断开的,只存在于源区和漏区.数值模拟结果表明,相对于无体连接的SOI器件,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高57%和70%,跨导平滑,开态I-V曲线没有翘曲现象,器件温度低100K左右,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容.沟道下方开硅窗口可明显抑制SOI器件的浮体效应和自加热效应.此结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.     

高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。     

校园网视频系统实现分析

在职网络上实现多媒体服务存在很多问题．本文从流媒体传输的一些关键技术出发，对在以宽带网为主干的校园网中实现视频服务进行了探讨，并提出了具体的实现方案．     

发泡印花及发泡印花浆NK SKYRESIN SP-3 8应用性能测定

论述了发泡立体印花中物理性发泡（起绒印花）和化学性发泡（发泡印花）印花浆的组成、发泡机理以及印花织物在视觉上的区别。同时对NK SKYRESIN SP-38水基型低温发泡粘合剂进行了应用性能的测定，其应用工艺十分简单，且印花织物干摩、湿摩、刷洗牢度及手感均较好。     

基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计

介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。     

严重意识障碍患者对音乐和嗜好刺激的EEG研究

研究严重意识障碍患者对音乐和嗜好刺激的响应机制,比较哪种刺激的脑电信号响应程度更高。研究采集严重意识障碍患者样本12例,应用小波变换方法计算患者在音乐和嗜好刺激前后的脑电信号小波能量值变化量并进行统计分析,比较两种不同刺激间的脑电响应。结果表明,嗜好刺激对于严重意识障碍患者的响应程度显著大于音乐刺激,为临床对意识障碍患者实施嗜好刺激的合理性提供了实验依据。     

基于焊缝模拟的圆钢管K型、T型节点承载力分析

通过焊材材性试验得到焊材本构模型,分别建立不考虑焊缝模拟、焊缝采用壳单元模拟、焊缝采用实体单元模拟的圆钢管K型及T型节点有限元分析模型,进行节点的有限元分析,并与已有文献试验结果进行对比分析。结果表明:采用实体单元模拟焊缝,节点破坏模式和承载力更接近试验结果,均是支管局部破坏和主管管壁破坏。将焊材和母材材性区别考虑进行焊缝模拟得到的节点承载力值更接近试验值。同时,区别焊材与母材材性建立的有限元模型分析表明:K型搭接节点隐藏焊缝焊接以及隐藏焊缝不焊接时贯通支管受拉将影响节点破坏模式。采用上述分析得到的最优有限元分析模型进行K型搭接节点参数分析,并拟合得出考虑节点参数影响的4类搭接节点承载力计算式,通过试验值校验后发现吻合程度良好。     

结构化方法与面向对象方法的可结合性

结构化方法和面向对象方法是当今最流行的软件开发方法.本文对这两种开发方法进行了对照比较,讨论了它们各自的特点以及结构化方法在维护与面向对象在表述对象等方面的不足,分析了将两者结合在一起进行软件开发的可行性,并且得出了在某些场合将这两种方法结合起来比单独采用一种方法能发挥更好效果的结论.     

基于推理模型的产品快速设计方法研究

为了快速、准确地设计出最大程度上满足用户需求的产品,分析了案例推理和规则推理技术的应用特点,提出了基于案例推理和规则推理相结合的产品快速设计方法。根据用户的设计需求,利用规则推理技术在已有产品案例库中筛选出与设计需求相关的产品,利用模糊评估算法挑选出最相近的设计案例,再根据案例推理技术队最相似的案例进行修改,使案例符合最终设计需求。以汽车散热器结构模块为例来详细说明了所提出的产品快速设计方法。