基于主动防御技术的电力网络异常行为自动监测系统

正智能电网将现代的信息技术、通信技术、自动控制技术和电网基础设施有机融合,虽然大幅度提高了电能的使用效率,然而也给电网带来了病毒、木马、黑客攻击等网络安全的全新挑战。恶意软件指尝试破坏计算机、工业控制系统,搜集敏感信息的计算机软件,它对工业网络造成了很大威胁。2010年的Stuxnet病毒是首个针对工业控制系统的蠕虫病毒,该病毒针对下位机的Siemens S7200-300 PLC执行恶意代码注     

导向挡板流化床内气固两相流的变尺度格子气模拟

基于格子气方法,建立了变尺度格子气模型。二维流场空间被离散成两层不同尺度的正六边形网格,固体颗粒和气体粒子分别在各自的网格上运动;设计了气固相作用规则;确定了模型宏观物理量的统计计算方法以及与真实物理量之间的转换关系。用建立的模型对导向挡板流化床内气固两相流的动态行为进行了模拟,数值模拟结果与文献中实验结果吻合较好,表明了建模方法的正确性和模型的有效性,证明该模型有望在工程领域得到应用。     

山西柳林地区煤系地层对比特征

山西柳林煤层气区块的煤系地层是在奥陶系海相碳酸盐岩基础之上发育的一套包含了灰岩、煤层和碎屑岩在内的海相、海陆交互及三角洲相的石炭-二叠系沉积地层层序。所有这些地层在以往的工作中已得到充分鉴别,并且在区块东部均有出露。通过对地质标志层的特征描述并结合测井资料所做的地层对比,进而深入了解了该区煤系地层的横向展布格局。     

液相色谱串联质谱法测定茶叶中氯虫苯甲酰胺残留量

目的 建立液相色谱-串联质谱法检测茶叶中氯虫苯甲酰胺残留量的方法。方法 样品采用乙腈振荡超声提取, HLB固相萃取柱净化, 液相色谱串联质谱检测, 外标法定量。结果 方法的线性范围为0.50~ 20.00 ng/mL, 相关系数r2大于0.999; 检出限为 0.05 μg/kg, 定量限为0.17 μg/kg。在不同基质中, 氯虫苯甲酰胺在0.20、0.40、2.00 μg/kg添加水平下的平均回收率为79.25%~88.42%, 相对偏差为1.50%~7.10%。结论 该方法具有快速简便、灵敏度高、准确性强等特点, 适用于茶叶中氯虫苯甲酰胺残留量的检测。     

令人担心的村镇住宅质量

1　村镇住宅的质量现状当前 ,村镇住宅在施工等方面存在不少问题 ,特别在工程质量上事故较多。每年都有不少起房屋倒塌事故发生 ,造成财产损失、人员伤亡。由于住宅质量低劣 ,抵御自然灾害的能力差 ,每年都有成千上万间房屋毁于地震、洪水、台风等自然灾害。因设计不周、施工不善造成返工等情况 ,更是比比皆是 ,主要原因有以下几点。( 1)沿用传统的分散式建房不少地方 ,仍自己动手建房 ,即使是由建筑队或个体工匠施工 ,因技术水平低下 ,质量也很难保证。( 2 )先设计后施工的思想十分淡薄建房时东抄西仿 ,在建造过程中随意拆改 ,特别是用传统…     

移动式高压大流量天然气实流检定装置设计与实现

利用0.2级标准涡轮流量计,建立综合不确定度小于0.33%(k=2)的移动式高压大流量天然气实流检定装置,实现1.0级流量计的在线实流检定。文章从装置的工艺流程设计、标准/核查流量计的选择、监控与数据采集/处理系统,辅助功能设计等出发,论述如何用0.2级标准流量计满足检定1.0级流量计的要求,并且用实流台位和固定台位测试对比的方法,验证0.2级标准涡轮流量计和0.5级核查超声波流量计在移动标准装置上应用的可靠性和准确性。车载移动式高压大流量天然气流量标准装置克服了拆送检定过程中对流量计的损伤和影响以标准器溯源上的诸多不便,越来越受到用户的重视和采用。     

浅谈图书生产流程及制作周期管理

提倡出版社根据本社稿件的实际情况,制定行而有效的生产周期表,使不同稿件能够对号入座,在严格保证图书质量的前提下,图书制作周期做到有据可依,对流程各阶段的执行起到监督的作用,保证图书按计划出版,提高出版社出版计划的完成率,使图书能在规定时间内保质保量的完成.     

太仓配电网信息管理改进方案

在配电网自动化的实现和完善的过程中,存在着多个相关系统不协调的问题。针对太仓配电网信息管理现状,提出了将调度防误系统与OPEN2000调度自动化系统和地理信息系统配合使用的方案,并分析了该方案的设计、安全措施等。作为配电网自动化实施前的过渡期方案,该方案容易实现并有效。     

氧化物薄膜晶体管刻蚀阻挡层PECVD沉积条件研究

为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZO TFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer,ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率,分析了PECVD沉积ESL SiO2的成膜规律,并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时,后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层,从而引起TFT特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT特性劣化。结果表明,在保证膜层致密性前提下,等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。