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81.
对辽中凹陷南洼三维地震资料进行解释,将剖面解释与平面成图分析相结合,探讨辽中凹陷南洼旅大21油田和旅大16油田构造转换带的变形特征,并分析构造转换带与油气成藏的关系。研究结果表明,郯庐断裂带贯穿辽中凹陷南洼,在中央走滑断层、旅大16-3断层和旅大16-21断层的局部弯曲段形成旅大21油田增压型"S"型构造转换带、旅大16油田北部增压型"S"型构造转换带和旅大16油田南部释压型"S"型构造转换带,在旅大16-3断层和旅大16-21断层的叠覆区形成旅大16油田中部释压型叠覆型构造转换带。构造转换带改变了分段断层传递的应力,使三维空间应变守恒,采用断层的位移-距离法探讨旅大16油田中部释压型叠覆型构造转换带的变形特征。构造转换带对油气成藏的控制作用主要表现为:控制构造圈闭的形成,控制优质储层的发育,控制油气运移过程和断层封堵。辽中凹陷南洼增压型构造转换带是有利的油气勘探领域。 相似文献
82.
83.
以物质的电子、空间等结构性质为基础,运用Gaussian98和Cerius2程序包对偶极距(Dipole)、最高占据轨道能量(EHOMO)、最低空轨道能量(ELUMO)、分子总能量(E)、旋转键(Rotlbonds)、最弱的R-NO2键长(R-NO2 bond length,R为C或N)、氢键供体(Hbond donor)和中点势(Vmid)8种描述符进行了计算,采用Cerius2程序包中的QSPR方法建立了芳香系炸药密度与8种描述符之间的构效关系式,相关系数R为0.909,30个化合物所构成的训练集和15个化合物所构成的预测集预测密度与实测密度之间的平均误差分别为3.33%和2.94%。 相似文献
84.
利用动态密勒补偿电路解决LDO的稳定性问题 总被引:6,自引:0,他引:6
针对LDO稳压器的稳定性问题,设计了一种新颖的动态密勒补偿电路。与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能;同时将开环增益提高了30 dB左右,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率。通过具体投片,验证了该方法的正确性和可行性。 相似文献
85.
86.
87.
88.
In this work, we comprehensively study the electronic and photocatalytic properties of single-layer and multilayer bismuth oxyhalides Bi OX(X=Cl, Br, and I) sheets by means of extensive density functional theory, which have been successfully synthesized in the previous experimental studies. Our computational simulations show that single-layer Bi OX sheets possess indirect band gap, suitable band edge alignments, and pronounced optical properties, suggesting that they can be utilized as photocatalysts for splitting H2O into H2 and O2 from theoretical aspects. In the case of multilayer Bi OX sheets, some primary physical properties determined the photocatalytic performance are rather robust, almost independent of the layer number. According to these calculated results, we are optimistic that Bi OX sheets, especially for single-layer Bi OI, have great chances to be used for photocatalytic water splitting. 相似文献
89.
现有输电线路行波故障测距方法由于受行波波速的不确定性以及输电线路弧垂的影响,容易出现较大的定位误差.为此,提出了一种无需波速和线路长度整定的线路故障行波定位方法.利用线路两端的行波信号检测装置记录故障电压行波波头到达时间,同时根据电压行波折反射过程中的传播路径列出关于距离、速度和时间的方程组,经过数学变换可以消去线路弧垂的影响,并在线路上实时在线测量行波速度.用PSCAD软件对双端结构的输电线路进行了仿真,实验结果表明该方法具有好的适应性,在实际测距中对线路电气参数依赖性低,不受故障类型,故障位置和过渡电阻等因素的影响,定位误差较小,原理简单,具有较高的准确性和良好的适用性. 相似文献
90.
电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。 相似文献