大规模阵列信号处理机的FPGA设计

在雷达和声纳系统中，需要进行非常复杂的数据处理。目前解决这些问题的有效办法是将多个DSP组成阵列处理系统，以增加整体数据处理能力。针对系统的要求，采用基于CPCI的高速阵列信号处理板卡。该板选用AD公司的高性能浮点DSP处理器TigerSharc101，使整板具有14．4GFLOPS的峰值浮点运算能力，它提供Link Port来实现片间和板间通信。该文介绍了该板的原理框图，FPGA的实现结构，着重于Host接口逻辑设计。实践证明，该板具有了超强的运算能力，良好的扩展性。     

Cr含量对氢分离合金V90-xTi10Crx(x=0,5,10,20)组织和性能的影响

单相V基合金膜具有比Pd合金膜更高的氢渗透率及较低的成本,在氢分离合金膜纯化领域有潜在的应用前景。通过增加Cr含量来探究斥氢元素Cr对单相V_90-xTi₁₀Cr_x(x=0, 5, 10, 20)(原子分数,%)合金氢溶解、氢渗透以及抗氢脆能力的影响。结果表明,Cr含量的增加降低了氢在V_90-xTi₁₀Cr_x合金中的氢溶解度以及氢扩散系数,从而降低了氢渗透率,但V_90-xTi₁₀Cr_x合金仍表现出优于Pd及Pd-Ag合金的氢渗透性能。另一方面,随着Cr含量的增加,V_90-xTi₁₀Cr_x合金破裂温度从184℃(x=5)降低到141℃(x=10),而x=20时,合金膜冷至室温仍保持完整性,表现出优异的抗氢脆性能。     

氢分离单相V基合金膜研究进展

Pd-Ag合金膜作为分离高纯H2的金属膜目前已经商业化应用,但由于Pd-Ag合金膜的材料成本高,限制其大规模应用。 单相V基合金膜拥有比钯银合金膜更高的H渗透率、机械强度和较低的成本,且氢脆抗力较纯V得到很大提高,塑性和H渗透率也比多相V基合金膜高,因此成为替代Pd-Ag合金膜的潜在材料之一。 本文综述了氢分离单相V基合金膜的研究进展,包括V基合金膜种类及H渗透性能、微观结构对H渗透性能的影响、合金膜失效机制等,并对氢分离单相V基合金膜未来的发展趋势进行了简单的展望。     

水文模型在计算干旱等级中的应用比较

应用消退曲线超渗产流模型与垂向混合产流模型计算的日土壤含水量和蒸发量作为干旱指标划分重庆市7个流域的干旱等级,评定结果与实际情况吻合.通过实例应用对比,垂向混合产流模型较合理.     

基于Pro/E的齿轮变速箱参数化建模设计

以变速箱产品设计为基础,以工程应用为背景,以新技术新方珐的应用为重点,介把了基于Pro／ENGINEER三堆CAD设计软件建立变速箱的参数化特征实体模型,完成了参数之间的关联设计,通过对控制参数的改变,快速完成不同系列变速箱零部件的设计。通过三维参数化特征建棋技术的应用,系统地探索了变速箱设计中的新技术运用前景。     

双向波演算模型验证

针对河口地区洪水演算受地形、河床结构影响大的特点,水动力学方法常受这些资料条件限制而导致其使用效果不佳或甚至无法使用问题.在水量平衡、河段单元蓄量方程和谢才公式基础上,提出了以物理定律为基础的水位演算模型.考虑到河口地区河道洪水运动受上游洪水波的顺水传播影响的同时又受下游潮水波的逆水传播作用特点,提出了双向波水位演算设想,把水位演算模型改进成了适合于河口特点的双向波水位演算模型.再结合动力学数学物理方程,提出双向隐式差分格式,组成了差分解模型,进而证明了河道水流双向波演算模型与运动波方程的一致性及其演算模型的物理基础.并在曹娥江的河口段进行了检验,表明双向波水位演算模型结构合理、模拟效果良好.     

TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版,详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、生产节拍、量产可行性等。研究表明：栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高端产品,工艺稳定性要求高,需求品质优,可以选择40%透光率;中低端产品,工艺波动性容忍度大,考虑生产产能,可以选择45%透光率。     

ITO连接过孔电阻定量计算与设计方法

TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系,为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先,通过分析过孔的结构,抽象出等效电阻电路图,得到多种不同结构的过孔电阻分解公式。过孔电阻主要由深孔接触电阻、浅孔接触电阻和深浅孔之间连接的ITO电阻组成。然后,通过设计不同尺寸的金属与ITO的接触过孔,使用开尔文四线检测法测量得到深孔接触电阻和浅孔接触电阻与孔尺寸之间的关系式。同时,深浅孔之间连接的ITO电阻可通过ITO方块电阻与深浅孔之间的ITO尺寸计算得到。由此,我们仅依据过孔的尺寸信息及ITO方阻数据即可计算得到各种结构的过孔电阻阻值。通过对大量过孔电阻的实测值与计算值进行相关性分析,线性相关系数达到0.96,证明了该计算方法的可靠性。最后,通过测量大量过孔的电阻阻值及其击穿电流值,发现过孔电阻阻值与击穿电流之间存在显著的幂函数关系,幂指数在-1.3附近,相关系数达到0.98。自此,建立起了一整套可定量计算和设计过孔电阻和击穿电流的方法。     

单电子隧穿器件的研究进展

单电子隧穿现象作为纳米电子学及超高密度信息存储的理论基础已经引起了全世界科学界的广泛关注.与之相关的研究工作正在成为凝聚态物理的研究热点之一.本文从单电子隧穿现象的起源入手,概述了单电子隧穿现象的半经典理论及其器件的研究进展,并简述了其潜在的应用价值.     

智能化接口技术在磁轴承系统中的应用

介绍了磁悬浮轴承(AMB)智能化的构思,即IMB设计思想.探讨了IMB中"在线设计"的方法及所需的相关信息、存储方式、软件与硬件的实现方法以及为实现系统控制器与IMB之间的智能数据传输可能采用的智能接口方案.提出了一种可能的方法:在AMB中预先安装一个智能化部件,将有关特征(固有)信息存储于其内部;采用计算机中的USB智能接口技术,利用Cypress公司的符合DRD标准的USB Host/Slave接口控制器SL811HS来实现存储器与IMB的主控制器件TMS320LF2407之间的信息传输.