非线性Boussinesq方程的行波解

运用扩展的Jacobi椭圆函数展开法求解非线性Boussinesq方程的行波解,得到8组新的行波解,包括孤波解、周期波解以及Jacobi椭圆函数周期解。证明了在极限情况下可得到相应的孤立波解和三角函数解,丰富和完善了已有文献的研究结果。     

一类变系数自耦合KdV方程组的解析解

利用扩展的Jacobi椭圆函数展开法构造一类变系数耦合KdV方程组的精确解。通过求解非线性代数方程组获得了不同情形下的孤立波解,在极限的情况下可以得到相应的类孤立波解、类冲击波解或类三角函数型解。     

非奇异H-矩阵的一个简捷判别定理

设A=(aij)∈Cn×n,若存在α∈(0,1),使■i∈N,有|aii|≥Rαi(A)S1-αi(A)成立,则称A为α链对角占优矩阵。利用α-链对角占优矩阵、不可约α-链对角占优矩阵、广义严格α-链对角占优矩阵等概念及性质,给出了非奇异H-矩阵的一个简捷判别定理。从而改进和推广了相应的一些结果,并给出相应的数值例子说明结果的有效性。     

宝鸡峡灌区灌溉引水对渭河径流量的影响

宝鸡峡灌区农业灌溉引用渭河水已对渭河生态造成了显著影响。渭河年径流量存在年际差异大的特点,而宝鸡峡渠首引水则多年维持在5.30亿m3/a左右,从而造成枯水年渭河生态基流的缺失及生态系统的破坏。宝鸡峡灌区引水对渭河径流量的影响主要集中在枯水年的枯水段(11月至翌年4月),引水后生态基流缺失量达1.42亿m3/a。通过改进宝鸡峡灌区灌溉方式和减少灌溉损失可以节水1.27亿m3/a,该水量能缓解宝鸡峡灌区引水对渭河径流量的影响。     

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1．2 V,工作电流为27 mA,在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。     

基于时空棱柱方法的目的地选择行为建模

基于时空棱柱方法,将人的活动区域限制在一定的时空棱柱体内,根据出行者的活动计划,确定在一定时间限制下活动场所在空间上的可达性。提出了目的地选择行为分层的建模策略。引入小区吸引力因子,构建了非线性效用函数的目的地选择行为模型,探讨了小区吸引力因子的量化过程、参数标定及结果检验。结果表明:结合出行的时空约束和地理信息系统(Geographic information system,GIS)分析能够确定出行者的目的地选择集合。具有小区吸引力因子的非线性效用函数能够更准确地预测目的地选择行为。本文研究将出行理论与出行者的实际行为相结合,为目的地选择行为的建模提供了一种新思路。     

用超临界二氧化碳法制备超强吸水剂

以N，N’-亚甲基双丙烯酰胺(BIS)为交联剂，研究了疏水性单体丙烯酸十八酯(OA)与亲水性单体丙烯酸(AA)在超临界二氧化碳中的聚合反应，制备了超强吸水剂。结果表明，65℃、压力大于13MPa时，制备的产物都为白色固体粉末。用超临界二氧化碳萃取技术可以对产物进行纯化，50℃、20MPa下，产物经超临界二氧化碳萃取2次后纯度可大于95％，4次后单体残留率为0．28％。该超强吸水剂的吸水率有一定下降，然而保水率却得到提高。     

用于CDMA2000的射频功率放大器仿真实现

该文给出了一个适用于CMDA2000系统的射频功率放大器单片集成电路的实现。放大器采用了具有高线性度、高增益和高效率的砷化镓异质结双极型晶体管，包括驱动级和功率级两级。为了同时实现CDMA2000系统所要求的最大输出功率时的良好线性度和改善中等输出功率时的效率，使功率放大器工作在近乙类，并采用了自适应性无源基极电阻偏置技术来抑制由于近乙类工作造成的增益失真。考虑了寄生效应的后仿真结果表明。该功率放大器在1850MHz。码片速率为1．2288Mcps的混合移相键控调制信号的激励下，在CDMA2000系统要求的最大输出功率28dBm处PAE达到44．8％，增益为27．4dB，偏离中心频率1．25MHz处的ACPR为-47．9dBc。     

岩石边坡平面滑动时的临界滑面倾角的探讨

在岩石边坡中，当出现平面滑坡时，如果边坡内没有确定的滑面，滑面的临界倾角不仅仅是边坡倾角和破坏面摩擦角的函数，而且还应该是滑体高度、破坏面的黏聚力和岩体重度的函数．通过推导和计算得知，滑面的临界倾角与边坡倾角呈线性关系，与破坏面摩擦角呈二次函数关系，与滑体高度呈对数关系，与破坏面的黏聚力呈负指数关系，与岩体重度呈二次函数关系．此外，当边坡中有张裂缝和水时，滑面的临界倾角还与张裂缝的深度和水位高度有关.     

一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术

在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.