电磁波在消声瓦中传播的特点

潜艇隐身的主要方法是潜艇外壳上粘贴消声瓦,用微波反射电桥法无损检测消声瓦粘贴质量是一种有效方法。本文就电磁波在消声瓦中传播的一些特点作了进一步讨论,当粘贴面有(三角形)大气泡时可发生全反射现象,当粘贴面上有裂缝时反射系数可按指数减小。     

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用185nm紫外线降低高纯水中总有机碳(TOC)的能量传递光化学模型.计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系,从而解决了在工程设计中185nm紫外灯的选择和计算方法.根据理论计算出的结果和实验十分一致,证实了本模型的正确性.使高纯水中的TOC由4200μg/l 降至0.3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平.     

AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究

文章通过AlGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理 论研究等诸方面反映AlGaN材料的欧姆接触及势垒接触研究概况和最新进展。     

无动力运载器纵向运动的非线性动态逆控制

无动力水下运载器的运动有着强烈的非线性,传统的非线性系统近似线性化建模有着不可忽视的局限性,文中将逆系统理论应用于运载器的纵向运动控制中,仿真结果表明所设计的控制律具有较好的控制效果.     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.     

用胶体金显示PbGv在脂肪体中的免疫化学定位

胶体金作为标记物最早由 Faulk和 Toylor( 1 971 ) Romano等 ( 1 974)用于电镜免疫细胞化学研究。近年来胶体金探针已成为定位和分析多种蛋白质、多肽、多糖的有力工具。特别是在抗原酶及激素等物质的细胞免疫化学定位中更加显示了其独特的威力。利用 Ig G的双价性 ,它的一臂可结合到事先包被有抗原的胶体金上 ,也可以把抗体分子包被在胶体金上 ,对细胞内的抗原进行定位。昆虫病毒在感染细胞中有很强的能力。其中杆状病毒包含体蛋白的复制量可达到死虫的2 0 %是当前所了解的真核细胞中表达量最大的病毒蛋白质。为了了解这蛋白合成和代谢的…     

MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

视讯系统中高性能存储管理的实现

视讯系统中,收发双方利用网络队列来缓存媒体数据包,每个队列占据一定大小的存储空间,如何高效率的管理这段存储空间对于视讯系统的性能来说至关重要。文章首先介绍了高性能存储管理策略的关键技术及利用存储管理应用解决若干实现问题;然后描述策略的具体实现,包括存储空间的组织结构,分配、释放媒体数据包的操作流程;最后通过实验分析其相对于FIFO策略的优化效果。     

掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响

采用电阻率为5 ·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料。测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好。对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其B值在620 K左右;对p型硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200 ~4300 K之间。     

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱（SIMS) 、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响. 实验表明，在缓冲层厚度为13～20nm之间时，GaN外延层的张应力最小，同时晶体质量和光学质量达到最优值. 此外，SIMS分析表明，当AlN缓冲层位于13～20nm之间时，可有效抑制Si的扩散.