靶面激光光斑尺寸原位测量的研究

提供了一种简便易行的靶面激光光斑尺寸原位测量的方法。从高斯光束的横向光强分布特性出发,建立了激光烧蚀斑半径与辐照激光能量、光斑尺寸、烧蚀阈值间的关系式,模拟分析发现辐照激光光斑尺寸对烧蚀斑半径随辐照能量变化曲线有较大影响。对于脉宽为2 ms,波长为1064 nm的激光,实验测量了不同能量激光辐照下相纸烧蚀斑半径,并用推导出的关系式拟合测量数据,获得了靶面处光斑尺寸和样品烧蚀阈值。同时,也测量了不同位置处的光斑尺寸和样品烧蚀阈值,对高斯光束束腰位置和样品烧蚀阈值的光斑尺寸效应进行了验证。研究结果表明该技术结果可靠,简单高效。该技术可以为高能激光与固体物质相互作用的基础研究和激光加工等应用领域中实现简单方便地测量靶面光斑尺寸提供帮助。     

“智慧南京”顶层设计下的“智慧教育”总体架构及信息服务平台构建

南京"智慧教育"建设在理念上应该是"智慧南京"落实在教育管理领域的一个完整的、极具创新性和突破性的设想,主要着力解决如何统筹建设教育基础设施,如何通过更好地整合、开发教育资源,建立应用服务协同运作机制,向社会提供教育信息服务等问题。     

基于FPGA的无刷直流电动机控制器的设计

设计一种基于FPGA的无刷直流电动机控制系统,提出了控制系统的相应部分的功能及工作原理,给出了控制策略及设计方案,采用PWM方式,以霍尔传感器作为系统的位置和速度传感器,最终实现对电动机的控制。     

激光切割镍基合金的工艺研究

镍基合金是一种重要的航天航空材料,所以研究激光切割镍基合金的工艺参数对航天航空制造业有重要的价值。首先,采用正交试验法进行激光切割镍基合金,评估不同工艺参数的切割质量,直观分析优化工艺参数,得出优化值为80.175。然后,采用反馈式神经网络对切割质量进行训练拟合,预测17、18号样本的切割质量,误差百分比分别为3.14%、2.20%。最后,以此预测模型为基础,进行遗传算法的极值寻优,通过概率为0.4的交叉操作和概率为0.2的变异操作寻找种群范围内最优适应度值及对应变量值,此迭代进化过程为100次,得出的理论评分为89.076,验证试验得出的实际评分为89.150,误差仅为0.074。相比正交法直观分析优化,该方法只做少量试验样本,就可以快速找到最优工艺参数。     

基于单片机的智能黑板擦的设计

文章主要介绍一款基于单片机的智能黑板擦的制作工艺。具有红外遥控、吸尘等功能。该黑板擦以无线遥控小车为载体,加入单片机和电机带动其工作,使用红外遥控控制黑板擦的运动。     

基于复合介质层材料的硅通孔热结构耦合分析

硅通孔(TSV)技术是三维封装的关键技术,对三维IC的可靠性起决定性作用。基于ANSYS Workbench平台,通过有限元仿真对退火阶段的TSV模型进行热结构耦合分析。比较了二氧化硅(SiO₂)介质层与苯并环丁烯(BCB)介质层在不同负载下的热应力,研究了不同填充材料、介质层厚度、通孔直径、深宽比条件下的热应力分布和热应力影响,分析了碳纳米管掺杂的苯并环丁烯(BCB-CNT)介质层的热应力。结果表明,该复合介质层能有效降低热应力,提高了三维IC的可靠性。     

具有时滞和的离散系统的稳定性分析

为了解决具有时滞和的离散系统的稳定性问题,基于Lyapunov稳定性理论,通过采用新构造的Lyapunov泛函和线性矩阵不等式处理方法,以线性矩阵不等式形式给出了使得系统满足稳定的时滞相关型准则。同时通过数值实例验证了结果的有效性。研究结果表明:所给准则可有效判定具有时滞和的离散系统的稳定性,该成果对具有时滞和的离系统的稳定性和其它控制问题的进一步研究具有一定参考价值。     

SOA工作条件对全光异或输出性能的影响研究

理论分析了SOA动态模型和SOA-MZI全光异或原理,采用光通信系统设计软件OptiSystem搭建了基于SOA-MZI的全光异或实验模型,仿真研究了注入SOA的数据信号光功率、连续探测光功率、偏置电流等工作条件对异或输出消光比、Q值以及误码性能的影响,取得了一组最佳工作条件,即数据信号光功率为3dBm,连续探测光功率为0dBm,偏置电流为600mA,此时可以得到最佳的异或输出性能:消光比约11.5dB,Q值约22,误码率约10-108量级。研究方法和相关结论可以推广到基于SOA的其他全光信号处理应用中,为未来全光网络的全面建设做准备。     

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。     

在硅片上电沉积不同形貌的ZnO纳米结构的研究

采用简单的电化学沉积方法,通过调节电解液浓度和pH值,在硅衬底上实现了ZnO纳米结构的形貌控制。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱等表征手段对不同形貌的ZnO纳米结构进行了研究。研究发现,通过调节沉积条件,可以获得纳米棒、纳米簇丛和纳米片等不同形貌的ZnO纳米结构。其中,溶液pH值是纳米ZnO从一维结构到二维结构转变的关键因素。当pH值为12时,所获得的纳米ZnO为二维片状结构。光致发光谱显示二维ZnO纳米片的紫外本征峰相对于一维ZnO纳米棒发生了明显的蓝移,并且可见区的发光峰大大降低。这一结构将在光电器件、传感器等领域有很好的应用前景。